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技術(shù)文章

利用單片機(jī)實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的分立邏輯

開發(fā)人員可利用PIC16F13145系列單片機(jī)中的可配置邏輯模塊（CLB）外設(shè)實(shí)現(xiàn)硬件中復(fù)雜的分立邏輯功能，從而精簡(jiǎn)物料清單（BOM）并開發(fā)定制專用邏輯。

2024-11-05

單片機(jī) 分立邏輯

實(shí)時(shí)控制技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)可靠且可擴(kuò)展的高壓設(shè)計(jì)

隨著功率水平需求的提升和現(xiàn)代電源系統(tǒng)的日趨復(fù)雜，對(duì)高壓系統(tǒng)的需求也發(fā)生了重大變化。為了有效滿足這些需求，有必要采用實(shí)時(shí) MCU 或數(shù)字電源控制器來控制先進(jìn)的電源拓?fù)洌ㄟ^這些出色的拓?fù)鋪硗瑫r(shí)滿足精細(xì)的規(guī)格和各種電源要求。本文將討論數(shù)字電源控制在高壓應(yīng)用中的一些優(yōu)勢(shì)，并演示其如何助力...

2024-11-05

高壓系統(tǒng) 電力電子設(shè)備實(shí)時(shí)控制技術(shù)

我的熱插拔控制器電路為何會(huì)振蕩？

使用高端N溝道MOSFET (NFET)的熱插拔控制器，浪涌抑制器、電子保險(xiǎn)絲和理想二極管控制器，在啟動(dòng)和電壓/電流調(diào)節(jié)期間可能會(huì)發(fā)生振蕩。數(shù)據(jù)手冊(cè)通常會(huì)簡(jiǎn)要提到這個(gè)問題，并建議添加一個(gè)小柵極電阻來解決。然而，如果不清楚振蕩的根本原因，設(shè)計(jì)人員就可能難以在布局中妥善放置柵極電阻，使電路容易受...

2024-11-04

熱插拔控制器電路振蕩

為惡劣工業(yè)環(huán)境中的以太網(wǎng)安裝保駕護(hù)航

如今，“工業(yè)以太網(wǎng)”一詞使用非常頻繁，以至于人們很容易混淆，并開始認(rèn)為它一定與消費(fèi)和計(jì)算設(shè)備中使用的以太網(wǎng)有所不同。本博文旨在回顧這種網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的演變，并解釋消費(fèi)以太網(wǎng)和工業(yè)以太網(wǎng)的區(qū)別。本文還介紹Nexperia的一系列器件，這些器件可用于保護(hù)以太網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)免受靜電放電(ESD)的破壞性影響，無...

2024-11-04

以太網(wǎng) 工業(yè)環(huán)境

第8講：SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)

SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)是SiC功率器件制備的核心技術(shù)之一，外延質(zhì)量直接影響SiC器件的性能。目前應(yīng)用較多的SiC外延生長(zhǎng)方法是化學(xué)氣相沉積（CVD），本文簡(jiǎn)要介紹其生產(chǎn)過程及注意事項(xiàng)。

2024-11-04

SiC 外延生長(zhǎng)技術(shù)

二極管的單向?qū)щ娦院头蔡匦郧€說明

二極管的正、反向特性與生活中的開門類似:當(dāng)你從室外推門(門是室內(nèi)開的)時(shí)，如果力很小，門是推不開的，只有力氣較大時(shí)，門才能被推開，這與二極管加正向電壓,只有達(dá)到門電壓才能導(dǎo)通相似;當(dāng)你從室內(nèi)往外推門時(shí)，是很難推開的，但如果推門的力氣非常大，門也會(huì)被推開，不過門被開的同時(shí)一般也就損壞...

2024-11-04

二極管向?qū)щ娦?nbsp; 伏安特性

如何使用GaNFET設(shè)計(jì)四開關(guān)降壓－升壓DC－DC轉(zhuǎn)換器？

在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中，氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項(xiàng)新興技術(shù)，有望進(jìn)一步提高功率、開關(guān)速度以及降低開關(guān)損耗。這些優(yōu)勢(shì)讓功率密度更高的解決方案成為可能。

2024-11-04

GaNFET DC－DC轉(zhuǎn)換器降壓升壓

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