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      三菱電機(jī)發(fā)布具有電流測量功能的SiC制MOSFET用于功率模塊

      發(fā)布時(shí)間:2011-06-08 來源:日經(jīng)BP社

      產(chǎn)品特性:
      • 柵極-源極間的電壓為15V
      • 漏極-源極間的電壓為4V左右
      • 電流值接近90A
      應(yīng)用范圍:
      • 功率模塊

      三菱電機(jī)面向過電流保護(hù)電路試制出了具有“電流感測功能”的SiC制MOSFET,并在功率半導(dǎo)體相關(guān)國際學(xué)會 “ISPSD 2011”上進(jìn)行了發(fā)布。這是用于同時(shí)內(nèi)置有驅(qū)動電路和過電流保護(hù)電路的SiC功率模塊的 MOSFET。該模塊此前已經(jīng)公開,但此次是首次公開MOSFET的具體性能。

      此次試制的MOSFET除了用于電源電路開關(guān)的主要MOSFET單元以外,還針對電流測量功能在一片芯片上配備了將電流進(jìn)行部分分流的小型MOSFET單元。芯片尺寸為3.3mm見方。過電流保護(hù)電路用來監(jiān)控該分流電流的大小,當(dāng)檢測到電流值超過一定值時(shí)(過電流),就會切斷驅(qū)動電路(柵極驅(qū)動電路)。

      MOSFET單元的主要性能如下:柵極-源極間的電壓為15V、漏極-源極間的電壓為4V左右,電流值接近90A。換算成電流密度為100A/cm2。此時(shí),室溫下的導(dǎo)通電阻為3.6mΩcm2。三菱強(qiáng)調(diào),即使是在230℃的高溫環(huán)境下,導(dǎo)通電阻也只有6.9mΩcm2。

      另外,如果向電流感測MOSFET分流的電流值為1,那么在室溫下流向主要MOSFET的電流值相當(dāng)于4400。雖然溫度越高這個(gè)比值越小,但是變化量很小。例如,溫度175℃時(shí)為4000左右。
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