產品特性：

• 采用小型扁平引腳封裝
• 兼具大額定電流及低導通阻抗
• 為汽車模塊節省珍貴空間并提供強固性能

應用范圍：

• 用于汽車模塊

六款新的邏輯電平功率MOSFET通過AEC-Q101認證，采用小型扁平引腳封裝，兼具大額定電流及低導通阻抗，針對汽車要求

2011年2月9日，應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體推出6款新的通過AEC-Q101認證邏輯電平單通道功率MOSFET，用于汽車模塊，采用小型扁平引腳(FL)封裝。

這些器件采用5 mm x 6 mm SO-8FL封裝及3.3 mm x 3.3 mm WDFN-8封裝，占位面積比業界標準DPAK封裝小50%或以上，但提供相同或更低的導通阻抗。相對采用歷史較長的DPAK封裝的元件而言，這些器件節省珍貴的電路板空間，非常適合于燃油噴射系統及電機控制驅動器等汽車應用中的負載開關、DC-DC轉換及電源管理。

安森美半導體新的功率MOSFET產品組合中涵蓋30 V、40 V和60 V及N溝道和P溝道器件，為客戶的新產品設計提供了寬范圍選擇。極低的導通阻抗[RDS(on)]將導電及功率損耗降到最低，同時大電流能力(介于6.3 A到65 A之間，因器件而異)確保提供強固的負載性能。這些器件通過AEC-Q101認證，彰顯它們適合汽車應用。

NVMFS4841N (30 V、65 A單N溝道)器件采用SO-8FL封裝，NVTFS4823N (30 V、30 A單N溝道)、NVTFS5116PL (60 V、14 A單P溝道)、NVTFS5811NL (40 V、40 A單N溝道)、NVTFS5826NL (60 V、20 A單N溝道)及NVTFS5820NL (60 V、29 A單N溝道N)采用WDFN-8封裝。

安森美半導體功率MOSFET業務部副總裁Paul Leonard說：“減小模塊總體尺寸及提供可靠和強固的性能，是汽車電子應用的兩大要求。我們新的功率MOSFET器件滿足這些要求，使汽車客戶節省珍貴的印制電路板(PCB)占位面積，或在更小的總體設計中集成更多的功能。”

安森美半導體這些新的MOSFET器件每1,500片批量的單價在0.39至0.60美元之間。