美高森美宣布提供下一代650V非穿通型(non-punch through, NPT)絕緣柵雙極晶體管(insulated bipolar gate transistors, IGBT)產品，備有45A、70A和95A額定電流型款。美高森美全新NPT IGBT產品系列專為嚴苛環境工作而設計，尤其適用于太陽能逆變器、焊接機和開關電源等工業產品。

 

美高森美新的功率器件通過提供業界最佳的損耗性能來改進效率，與最接近競爭廠商的IGBT產品相比，效率提高了大約8%。新的NPT IGBT器件還能夠實現高達150 kHz的極高開關速率，在與美高森美的碳化硅(silicon carbide, SiC)續流二極管(free-wheeling diode)配對使用，開關速率可獲得進一步提高。針對最高150 KHz的較低速率應用，這些領先的650V NPT IGBT通過替代成本更高的600V至650V MOSFET器件，可讓開發人員降低總體系統成本。

下一代650V產品系列中的所有器件都基于美高森美先進的Power MOS 8™ 技術，并且采用了最先進的晶圓薄化(wafer thinning)工藝。與競爭解決方案相比，顯著降低總體開關損耗，且可讓器件在難以置信的快速開關頻率工作。利用公司大功率高可靠性市場的傳統，美高森美期望擴大IGBT市場份額，根據Yole Développement最新報告，這個市場正從現今的36億美元增長到2018年的60億美元。

這些NPT IGBT器件易于并聯(Vcesat正溫度系數)，可以提升大電流模塊的可靠性。它們還具有額定短路耐受時間(short circuit withstand time rated, SCWT)，可以在嚴苛的工業環境中可靠運作。

 

新的IGBT器件備有各種封裝，包括TO-247、T-MAX和模塊。要了解更多信息或獲取樣品，請聯絡當地分銷商或美高森美銷售代表，或發送電子郵件到sales.support@microsemi.com。要了解更多的生產信息，請訪問公司網站www.microsemi.com。