電子展新聞事件：

• 電子展第二年登錄成都
• 國內外企業前來參展
• 多場技術論壇與展會同期舉辦

電子展事件影響：

• 為西部提供電子電路的解決方案

日前，2010年中國(成都)電子展(CEF West)在成都世紀城新國際會展中心開幕，這是中國電子展系列展覽連續第二年登陸四川成都。400余家來自國內外的電子元器件、電子材料、制造設備、測試/測量設備等領域的企業前來參展；此外，多場技術論壇與展會同期舉辦，其中節能、環保、安全成為熱議的話題。

節能議題備受關注

在第四屆新型節能設計技術研討會上，來自麥肯集成電路設計(深圳)有限公司的陳文中副理介紹了MCU產品在節能減排領域的應用。他表示，包括美國、歐盟、澳大利亞、韓國等在內的國家和地區都針對電子電器產品制定了待機能耗標準，通過高性能的集成電路設計，可以利用軟件程序對具有待機功能的日用電器的工作狀態進行監測，并自動控制輸出電源的通斷。“設備的有功功率是實現其功能所必需的。”東重集團機械電子研究所所長朱少書教授補充道，“我們從事節能設計，應重點著眼于減少其無功功率。”

據陳文中介紹，用MCU控制電路電源的運行狀態就體現了朱教授所闡述的理念。當電器正常使用的時候，MCU就將該裝置的電源輸出設置為開通狀態，此時，該產品等同于帶有過載保護功能的電源；當電器處于待機狀態時，MCU會將該其電源輸出設置為關斷狀態，此時該產品的無用能耗則為零。“在LCD TV、空調、微波爐、電磁爐等電器產品中使用待機電源管理器，不僅可以延長這些產品的使用壽命，而且可以增強其安全性。”陳文中說。

半導體照明也是目前最受追捧的節能技術之一，不過，LED的壽命問題一直制約著其應用的推廣。“盡管LED的壽命能達到4萬～5萬小時，但傳統的LED驅動器必須使用電解電容，而小型電解電容器的壽命只有幾千小時，而且還會隨著熱量的升高而減少。”創意電子有限公司技術部經理龍金節表示，“如果用創意電子擁有專利的IC來替代電解電容，其壽命可以達到4萬小時以上，跟LED的壽命正好匹配。此外，在使用IC之后，LED驅動器所占的面積只有以前的40%，可以使LED系統更加簡單化、小型化。”

新能源應用被熱捧

電子器件在新能源領域的應用也是與會人士談論的焦點。應用在風力發電、太陽能發電領域的功率器件電流大、損耗大、發熱高，若不采取合適的散熱措施，則管芯的溫度可達到或超過允許的結溫，限制了功率密度的提升，嚴重時器件將受到損壞。來自AVC公司的高百齡博士介紹了該公司基于空冷、相變化技術和水冷板的解決方案，利用這些方案，可以通過精確計算來確定相應的散熱措施并選擇合適的散熱器，從而優化大功率器件散熱的處理能力，保證器件可靠性。

在新能源領域，系統對一些平常看似并不起眼的普通元器件也提出了很高的要求。威世(中國)投資有限公司電阻電感部門區域市場經理呂愛強告訴記者，電阻是所有元器件中最普通最常用的器件，但它是實現電路可靠性和穩定性的基礎；在太陽能、風能以及電動汽車應用中，由于工作環境惡劣且維護困難，因此對設備的可靠性和穩定性要求非常高，這就要求所使用的電阻也要具備很好的性能。

在電動汽車和混合動力汽車中，電阻還將幫助系統對電池的電流進行實時監測。據呂愛強介紹，使用極低阻值的電阻進行監測的方案能使系統精確度高、穩定性好、成本低，如今已越來越多地被電動汽車制造商所采用，這一方案中的關鍵器件就是電阻。

電路保護不容忽視

電路保護是電路設計的基礎學科，也是最容易出現問題的部分，同時也是往往被忽略的問題。只要涉及接口電路設計的地方，都需要考慮電路保護問題。ESD防護、防雷設計、過流保護等難題幾乎困擾著每一位電路設計工程師，實際上，在通信、消費、軍工、航空航天等領域，ESD往往是引起電路失效的罪魁禍首。

認識到ESD、過壓、浪涌、過熱等現象的巨大危害性，保護器件廠商也在不斷推出各種新產品滿足設計需求。除了關注伏安特性、保護級別等因素，最新的電路保護器件還需要考慮更多的問題。例如，電子設備越來越輕薄，為了符合尺寸的限制并在更小的空間中提供電路保護，保護器件制造商需要開發出尺寸更小的元器件，這就需要廠商不斷提高元器件的能量密度；同時，接口速率不斷提升，為保證信號完整性就必須考慮保護器件電容的大小，保護方案必須緊隨接口發展的趨勢，以保障接口的可靠性；此外，保護元器件的耐沖擊次數和抗震、防潮等特性也需要考慮。

在本屆電子展上，專注于電路保護器件的君耀電子向業界展示了高品質的ESD靜電保護器、Hyperfix高耐量TVS以及B6A貼片式低電容TVS。該公司認為，伴隨著智能終端的小型化，電路保護將成為基本要求，該公司將順應客戶這一需求而變化，重點推進小型化終端電路保護。

新材料新器件登場亮相

一些國際領先企業也將基于新材料的創新型電子器件帶到了本屆展會上，來自日本的羅姆(ROHM)半導體就展示了該公司基于SiC材料的3英寸肖特基二極管(SBD)和DMOS器件。

ROHM半導體(深圳)有限公司總經理李天龍在接受記者采訪時表示，ROHM最近開始了肖特基二極管(SBD)SCS110A系列的量產，本系列產品采用了因具有低功耗、高耐壓等優點而有望成為下一代功率組件材料的碳化硅(SiC)。“與其他公司已經量產的SiC-SBD相比，在正向電壓和動作時阻抗等特性上有很大的改善，可廣泛應用于太陽能發電、電動汽車/混合動力車等需進行功率轉換的逆變器、轉換器、PFC電路等領域和其他可能的領域。”李天龍說。

記者了解到，碳化硅被視為下一代功率半導體器件的重要原材料。與傳統的硅材料相比，以碳化硅為代表的寬禁帶半導體材料擁有較高的臨界擊穿電場，用于制造功率器件可以明顯地減少所需要的漂移區厚度，同時提高漂移區的摻雜濃度，達到大大減少器件電阻的效果。李天龍表示，ROHM高性能、低功耗的創新型器件迎合了當前低碳經濟的發展趨勢，特別是具有高耐壓、高可靠性、優良阻抗特性的新器件將為中國西部傳統工業帶來應用創新和產品升級的機會。