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      飛兆半導體和英飛凌科技達成功率MOSFET兼容協議

      發布時間:2010-04-27 來源:電子元件技術網

      新聞事件:
      • 飛兆半導體和英飛凌宣布達成功率MOSFET兼容協議
      行業影響:
      • 保證供貨穩定性
      • 滿足對同級最佳的DC-DC轉換效率和熱性能的需求

      全球領先的高性能功率和移動產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布,兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協議。

      兼容協議旨在保證供貨穩定性,同時滿足對同級最佳的DC-DC轉換效率和熱性能的需求。這項協議利用了兩家企業的專業技術,為3A至20A的DC-DC應用提供非對稱、單一n溝道MOSFET。

      飛兆半導體低壓產品高級副總裁John Bendel稱:“飛兆半導體和英飛凌實現了引腳輸出的標準化,并在性能水平方面相輔相成,為客戶提供兩個供貨來源以滿足計算、電信和服務器市場對高效率設計的需求。這一攬子協議(package alignment)的目的是通過多個來源和行業標準封裝,為客戶提供性能領先的產品。”

      英飛凌科技低壓MOSFET產品總監兼產品線經理Richard Kuncic表示:“我們不單通過減少市場上的‘獨有’封裝種類,能夠使客戶從功率產品封裝的標準化中獲益,還能夠以相較上一代產品更小的占位面積,帶來提升效能水平的解決方案。”
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