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互連技術(shù)

意法半導(dǎo)體：邊緣AI開發(fā)的挑戰(zhàn)及ST的解決方案

今天，人工智能（AI）被廣泛應(yīng)用，幾乎無所不在，AI有助于汽車、工業(yè)、個(gè)人電子等產(chǎn)品設(shè)備實(shí)現(xiàn)數(shù)字化和智能化，改變我們的日常生活和工作方式。在很多應(yīng)用領(lǐng)域，尤其是工業(yè)應(yīng)用，AI 將是一個(gè)“攪局者”，將會(huì)改變現(xiàn)有的游戲規(guī)則。

2023-12-15

意法半導(dǎo)體邊緣AI

瑞薩推出基于云的開發(fā)環(huán)境以加速車用AI軟件的開發(fā)與評(píng)估

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子宣布推出一款基于云的全新開發(fā)環(huán)境，旨在簡化車用AI工程師的軟件設(shè)計(jì)流程。新平臺(tái)AI Workbench作為集成虛擬開發(fā)環(huán)境，可幫助車用AI工程師在云端實(shí)現(xiàn)車載軟件的設(shè)計(jì)、模擬和調(diào)試。

2023-12-15

瑞薩開發(fā)環(huán)境車用AI

MOS非理想性對(duì)VLSI電路可靠性的影響

在快速 VLSI 電路中，晶體管每秒開關(guān)數(shù)百萬次。在開關(guān)過程中，被稱為“熱載流子”的高能載流子（電子或空穴）很容易注入并捕獲在柵極氧化物中。這種熱載流子注入會(huì)導(dǎo)致柵極氧化物中出現(xiàn)雜質(zhì)，從而改變器件的 I-V 特性。

2023-12-14

MOS VLSI電路

試一試能快速實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比的電路保護(hù)的eFuse

隨著電子設(shè)備在家庭、辦公室和工業(yè)中的普及，對(duì)高速、緊湊、低成本、可復(fù)位和可調(diào)節(jié)電路保護(hù)器件的需求越來越重要，以確保用戶安全和最長的正常設(shè)備運(yùn)行時(shí)間。傳統(tǒng)熔斷方法的熔斷電流不準(zhǔn)確、響應(yīng)時(shí)間慢，而且通常保險(xiǎn)絲更換不方便。

2023-12-14

電路保護(hù) eFuse

解決角雷達(dá)系統(tǒng)的 3 大電源設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

在過去十年內(nèi)，雷達(dá)傳感技術(shù)開始逐步替代傳統(tǒng)的汽車傳感方式。雷達(dá)傳感技術(shù)具有多項(xiàng)優(yōu)勢，例如可以進(jìn)行遠(yuǎn)距離檢測，具有更高的分辨率和精度。因此，雷達(dá)傳感技術(shù)被廣泛應(yīng)用于駕駛安全功能、自動(dòng)駕駛和高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)。

2023-12-13

角雷達(dá)系統(tǒng)

超聲技術(shù)在醫(yī)療領(lǐng)域的發(fā)展趨勢和應(yīng)用

超聲波（Ultrasound）是指頻率高于兩萬赫茲的聲波，在工業(yè)、醫(yī)療等領(lǐng)域均有具體應(yīng)用。隨著醫(yī)療技術(shù)的進(jìn)步和設(shè)備的不斷更新，超聲已經(jīng)成為醫(yī)學(xué)領(lǐng)域不可或缺的應(yīng)用技術(shù)。醫(yī)學(xué)超聲設(shè)備主要利用超聲波對(duì)于人體不同部位反饋產(chǎn)生的信號(hào)或能量屬性，對(duì)于人體的異常狀態(tài)或疾病進(jìn)行診斷或治療。

2023-12-13

超聲技術(shù) 醫(yī)療領(lǐng)域

意法半導(dǎo)體推出車規(guī)人工智能慣性測量單元，適合環(huán)境溫度高達(dá)125°C的始終感知應(yīng)用

意法半導(dǎo)體的車規(guī)ASM330LHHXG1慣性測量單元(IMU)整合傳感器內(nèi)部人工智能與改進(jìn)的低功耗工作模式，并將最高工作溫度擴(kuò)展到125°C，確保傳感器能夠在惡劣環(huán)境中可靠地工作。

2023-12-13

意法半導(dǎo)體人工智能慣性測量單元感知應(yīng)用

使用SIL 2器件設(shè)計(jì)功能安全的SIL 3模擬輸出模塊

需要安全完整性等級(jí)(SIL) 3解決方案的制造商，在使用SIL 2器件時(shí)面臨著多項(xiàng)挑戰(zhàn)。隨著工業(yè)功能安全標(biāo)準(zhǔn)IEC 61508第3版的發(fā)布，制造商必須采用新的方法。本文概述了一種能夠克服挑戰(zhàn)以成功實(shí)現(xiàn)SIL 3并加速產(chǎn)品上市的解決方案。

2023-12-12

SIL 2 器件設(shè)計(jì) SIL 3 ADI 模擬輸出模塊

MOS管G極與S極之間的電阻作用

MOS管具有三個(gè)內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點(diǎn)在MOS管的規(guī)格書中可以體現(xiàn)（規(guī)格書常用Ciss、Coss、Crss這三個(gè)參數(shù)代替）。MOS管之所以存在米勒效應(yīng)，以及ＧＳ之間要并電阻，其源頭都在于這三個(gè)寄生電容。

2023-12-11

MOS管 G極 S極

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