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技術文章

STGxL6NC60D：意法半導體新款IGBT系列

意法半導體推出一系列新的IGBT，新系列產品采用高效的壽命控制工藝，有效降低了關斷期間的能耗。如果設計工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過20kHz的照明鎮流器等節能型電路內，應用的整體功率可望提高到一個新的水平，遠勝標準技術的MOSFET。

2008-05-13

STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開關電源

DG系列：Vishay八款高精度儀表應用模擬多路復用器與開關

日前，Vishay推出八款面向高精度儀表應用的新型高頻、低電荷注入模擬多路復用器與開關。這些產品還是同類器件中首批除標準 TSSOP 與 SOIC 封裝外還提供采用 1.8mm×2.6mm 無引線微型 QFN 封裝的器件。

2008-05-12

DG604 DG4052A DG4051A DG4053A DG611A DG612A DG613 DG636 多路復用器與開關

ACAS 0612 AT：Vishay新型汽車精密薄膜芯片電阻陣列

日前，Vishay宣布推出ACAS 0612 AT汽車精密薄膜芯片電阻陣列，該器件已通過AEC-Q200測試，并具有1000V額定電壓的ESD穩定性。該器件經優化可滿足汽車行業對溫度和濕度的新要求，同時可為工業、電信及消費電子提供較高的重復性和穩定的性能。

2008-05-09

ACAS 0612 AT 薄膜芯片電阻陣列

VLRE31/VLRK31系列：Vishay新型高亮度SMD LED

為滿足日益增長的對AlInGaP技術的需求，日前，Vishay宣布推出兩種新系列的、采用倒立鷗翼式封裝的黃色和紅色SMD LED，這兩種系列的SMD LED具有高發光強度和低功耗的特點。

2008-05-09

VLRE31 VLRK31 LED

VAR：Vishay 新型超高精度、高分辯率 Z 箔音頻電阻

日前，Vishay宣布推出新型超高精度 Z 箔音頻電阻，該電阻采取特殊設計，可增加信號清晰度。當溫度范圍在 -55°C 至 +125°C 時，該器件具有 ±0.2 ppm/°C 的超低典型 TCR、在額定功率時 5ppm 的出色PCR（自身散熱產生的 ?R）、0.01% 的絕對容差且電流噪聲小于 -40dB。

2008-05-07

VAR Z 箔音頻電阻

NBXxxxx：安森美高性能單頻和雙頻晶體振蕩器模塊

安森美半導體擴充了高性能時鐘和數據管理產品系列，推出九款基于鎖相環(PLL)的新PureEdge時鐘模塊，替代晶體振蕩器(XO)。NBXxxxx系列非常適用于高速網絡、電信和高端計算應用。

2008-05-07

PLL PureEdge NBXxxxx 通信應用振蕩器

《電子元件技術網互動精彩回放》有獎小測驗獲獎名單

2008-05-06

《電子元件技術網互動精彩回放》有獎小測驗獲獎名單

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