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超越視距極限！安森美iToF技術(shù)開啟深度感知新紀(jì)元
在自動(dòng)駕駛、機(jī)器人導(dǎo)航和增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)等前沿科技領(lǐng)域，深度感知技術(shù)正成為實(shí)現(xiàn)空間認(rèn)知與智能交互的核心引擎。這項(xiàng)技術(shù)通過精確測(cè)量物體距離與空間關(guān)系，為機(jī)器賦予"立體視覺"，使3D 測(cè)繪、物體識(shí)別、空間感知成為可能。作為深度感知的關(guān)鍵技術(shù)路徑，iToF（間接飛行時(shí)間）技術(shù)通過發(fā)射調(diào)制光并分析反射...
2025-05-29
安森美 iToF技術(shù) 深度感知
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意法半導(dǎo)體拓展新加坡“廠內(nèi)實(shí)驗(yàn)室” 深化壓電MEMS技術(shù)合作
全球半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體（ST）宣布擴(kuò)大新加坡"廠內(nèi)實(shí)驗(yàn)室"（Lab-in-Fab）項(xiàng)目，聯(lián)合科技研究局微電子研究所 (A*STAR IME)、愛發(fā)科（ULVAC）、新加坡科技研究局材料研究與工程研究所 (A*STAR IMRE) 及新加坡國(guó)立大學(xué)（NUS），共同推進(jìn)壓電MEMS技術(shù)開發(fā)。
2025-05-29
意法半導(dǎo)體 Lab-in-Fab 壓電MEMS技術(shù)
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電解電容技術(shù)全景解析：從核心原理到國(guó)產(chǎn)替代戰(zhàn)略
電解電容作為電子系統(tǒng)的“能量水庫(kù)”，在電源管理、信號(hào)耦合和濾波電路中扮演著不可替代的角色。其獨(dú)特的高容量體積比和電壓適應(yīng)性使其成為工業(yè)設(shè)備、新能源系統(tǒng)和消費(fèi)電子的核心元件。隨著固態(tài)化、高頻化技術(shù)突破，電解電容正突破壽命與頻率限制，而中美科技競(jìng)爭(zhēng)加速了國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程。本文將深入解析...
2025-05-29
電解電容
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有機(jī)實(shí)心電位器選型避坑指南：國(guó)際大廠VS國(guó)產(chǎn)新勢(shì)力
有機(jī)實(shí)心電位器是一種以有機(jī)聚合物為基材，通過填充導(dǎo)電顆粒（如碳黑、石墨）形成連續(xù)電阻體的無源電子元件。其核心結(jié)構(gòu)由電阻軌道、集電刷和轉(zhuǎn)動(dòng)軸組成，通過機(jī)械旋轉(zhuǎn)改變集電刷與電阻體的接觸位置，實(shí)現(xiàn)電阻值的連續(xù)調(diào)節(jié)。
2025-05-29
有機(jī)實(shí)心電位器
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CMOS有源晶振電壓特性與精準(zhǔn)測(cè)量指南
CMOS有源晶振的供電電壓（Vcc）直接決定其輸出電壓特性。這種“高壓平、低壓差”的設(shè)計(jì)確保了數(shù)字電路的噪聲容限。例如LVCMOS3V3標(biāo)準(zhǔn)要求Voh≥3.2V（3.3V供電時(shí)），以滿足下游芯片的高電平識(shí)別閾值（≥2.0V）。供電電壓的兼容性是選型核心——如YXC YSO110TR系列支持1.8~3.3V寬壓輸入，適配低功耗IoT設(shè)備...
2025-05-29
CMOS有源晶振 電壓特性 精準(zhǔn)測(cè)量
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IO-Link技術(shù)賦能智能工廠傳感器跨協(xié)議通信實(shí)戰(zhàn)指南
在工業(yè)4.0浪潮席卷全球制造業(yè)的今天，智能工廠建設(shè)正面臨前所未有的技術(shù)挑戰(zhàn)。當(dāng)生產(chǎn)線需要同時(shí)兼容Profinet、EtherCAT、Modbus等多種工業(yè)協(xié)議時(shí)，傳統(tǒng)專用型傳感器已難以滿足柔性制造需求。本文將深度解析如何打造具備"網(wǎng)絡(luò)無關(guān)性"的智能傳感器，通過模塊化設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)溫度、壓力等物理量的精準(zhǔn)采集與...
2025-05-29
現(xiàn)場(chǎng)總線 智能工廠傳感器 IO-Link技術(shù)
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Arm 生態(tài)系統(tǒng)：從云端到邊緣全面驅(qū)動(dòng) AI
人工智能 (AI) 正以前所未有的速度重塑科技，成為人們?nèi)粘Ｉ钪胁豢苫蛉钡囊徊糠帧rm 計(jì)算平臺(tái)正處于這場(chǎng)變革的核心。基于 Arm 架構(gòu)的芯片出貨量迄今已累計(jì)超過
2025-05-28
Arm 生態(tài)
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