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SiC 晶片的切片和表面精加工解決方案
如今，碳化硅用于要求苛刻的半導(dǎo)體應(yīng)用，如火車、渦輪機(jī)、電動汽車和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見要求的應(yīng)用。盡管 SiC 功率器件推動了電動汽車、5G 和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)等要求苛刻領(lǐng)域的進(jìn)步，但高質(zhì)量 SiC 基板的生產(chǎn)給晶圓制造商帶來了多重挑戰(zhàn)。
2023-06-19
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SiC 和 GaN 功率器件的可靠性和質(zhì)量要求
在 SiC 方面，GeneSiC 使用溝槽輔助平面柵極工藝流程，確保可靠的柵極氧化物和具有較低傳導(dǎo)損耗的器件。測試表明，在 150-kHz、1,200-V、7.5-kW DC/DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中，溫度較低的器件運行溫度約為 25°C。據(jù)估計，這種溫差可將器件壽命提高 3 倍。該公司對其 SiC 產(chǎn)品進(jìn)行了 100% 的雪崩測試，其示例如圖 3 所示。
2023-05-31
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解析智能功率開關(guān)
功率器件可以在各種非正常工況下保護(hù)自己并報錯會大大提高功率器件自身的可靠性和整個系統(tǒng)的安全性。以下圖中英飛凌的智能高邊經(jīng)典產(chǎn)品PROFET系列為例，它集成了診斷和保護(hù)功能(Protect)的功率器件(MOSFET)，它可以對異常工況作出反應(yīng)，并及時向控制單元匯報。尤其是在汽車級的應(yīng)用中，汽車復(fù)雜的電氣架構(gòu)大大提高了電子的故障檢測的難度，我們需要知道電路和器件的工作狀態(tài)，才能快速對故障進(jìn)行定位。
2023-05-17
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瑞能半導(dǎo)體在PCIM Europe 2023展示全新功率器件及解決方案
【2023年5月9日 - 德國紐倫堡】當(dāng)?shù)貢r間5月9日，全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商瑞能半導(dǎo)體攜其最新產(chǎn)品亮相在德國紐倫堡揭幕的PCIM Europe 2023。產(chǎn)品組合包含碳化硅器件，可控硅和功率二極管，高壓和低壓Si-MOSFET, IGBT，保護(hù)器件以及功率模塊，豐富的產(chǎn)品矩陣彰顯了瑞能半導(dǎo)體領(lǐng)先的產(chǎn)品實力和對未來電力電子行業(yè)可持續(xù)發(fā)展的思考，受到了與會者的高度關(guān)注。CEO Markus Mosen先生率領(lǐng)公司研發(fā)工程師、市場部、銷售部組成的參展團(tuán)隊出席了活動現(xiàn)場。
2023-05-10
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安森美和極氪簽署碳化硅功率器件長期供應(yīng)協(xié)議
2023 年 4 月 26日—智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美（onsemi，美國納斯達(dá)克上市代號：ON）和豪華智能純電品牌極氪智能科技（ZEEKR）宣布雙方簽署長期供應(yīng)協(xié)議（LTSA）。安森美將為極氪提供EliteSiC碳化硅（SiC）功率器件，以提高其智能電動汽車（EV）的能效，從而提升性能，加快充電速度，延長續(xù)航里程。
2023-05-03
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總結(jié)肖特基勢壘二極管對寬帶隙材料的利用
由于碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙材料具有優(yōu)于硅 (Si) 的固有材料特性，因此工業(yè)界采用寬帶隙材料來滿足功率器件應(yīng)用中的低功耗需求。這種需求導(dǎo)致了基于 SiC 和 GaN 的 SBD 的制造。
2023-04-29
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常見的24V電池供電的應(yīng)用有哪些？
從電動汽車、摩托艇到光伏裝置和數(shù)據(jù)中心，電池供電系統(tǒng)正蓬勃發(fā)展。目前的趨勢主要是增加系統(tǒng)的運行電壓以縮減系統(tǒng)尺寸、重量或增加負(fù)載的可用功率。在寬輸入功率器件的不斷進(jìn)步下，處在這股潮流最前線的是從 12V 轉(zhuǎn)換到 24V 的應(yīng)用。
2023-04-24
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RS瑞森半導(dǎo)體在汽車充電樁上的應(yīng)用
充電樁按照技術(shù)分類，可分為交流充電樁也叫“慢充”，直流充電樁也叫“快充”，隨著我國新能源汽車市場的不斷擴(kuò)大，充電樁市場的發(fā)展前景也更加廣闊。目前充電樁的母線電壓范圍通常為400V～700V，但隨著快速充電的需求不斷增加，整個電壓平臺都會向 800～1000V以上提升，電壓等級提升的同時也凸顯了SiC功率器件的優(yōu)勢。
2023-04-18
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針對高壓應(yīng)用優(yōu)化寬帶隙半導(dǎo)體器件
自從寬帶隙材料被引入各種制造技術(shù)以來，通過使用MOSFET、晶閘管和 SCR等功率半導(dǎo)體器件就可以實現(xiàn)高效率。為了優(yōu)化可控制造技術(shù)，可以使用特定的導(dǎo)通電阻來控制系統(tǒng)中的大部分功率器件。對于功率 MOSFET，導(dǎo)通電阻仍然是優(yōu)化和摻雜其單元設(shè)計的關(guān)鍵參數(shù)。電導(dǎo)率的主要行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)是材料技術(shù)中的特定導(dǎo)通電阻與擊穿電壓（R sp與 V BD ）。
2023-04-13
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知名半導(dǎo)體芯片制造企業(yè)——揚(yáng)州晶新微電子參展CITE2023
揚(yáng)州晶新微電子有限公司是一家專業(yè)從事半導(dǎo)體芯片設(shè)計與制造的企業(yè)，在功率器件和高頻小信號芯片生產(chǎn)制造方面深耕多年，具有悠久的歷史，前身可追溯到60年代成立的國營“揚(yáng)州晶體管廠”，在半導(dǎo)體行業(yè)具有廣泛的影響力。
2023-03-21
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功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)選型避坑指南
“ 動態(tài)特性是功率器件的重要特性，在器件研發(fā)、系統(tǒng)應(yīng)用和學(xué)術(shù)研究等各個環(huán)節(jié)都扮演著非常重要的角色。故對功率器件動態(tài)參數(shù)進(jìn)行測試是相關(guān)工作的必備一環(huán)，主要采用雙脈沖測試進(jìn)行。”
2023-03-03
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第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車上的應(yīng)用
目前碳化硅(SiC)在車載充電器(OBC)已經(jīng)得到了普及應(yīng)用，在電驅(qū)的話已經(jīng)開始逐步有企業(yè)開始大規(guī)模應(yīng)用，當(dāng)然SiC和Si的功率器件在成本上還有一定的差距，主要是因為SiC的襯底良率還有長晶的速度很慢導(dǎo)致成本偏高。隨著工藝的改進(jìn)，這些都會得到解決。
2023-02-21
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