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HTRN系列：Vishay推出高性能薄膜電阻網(wǎng)絡用于發(fā)動機控制及工業(yè)應用
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列可在-55℃～+215℃寬溫條件下工作的雙通道薄膜電阻網(wǎng)絡---HTRN系列。該系列電阻網(wǎng)絡的工作溫度范圍比傳統(tǒng)薄膜片式電阻擴大了近100℃，絕對TCR低至±25ppm/℃，TCR跟蹤為5ppm/℃，以及±0.05%的嚴格比例容差。
2011-12-09
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CHPHT：Vishay推出耐高溫環(huán)繞式厚膜片式電阻用于鉆井設備
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款新型耐高溫、表面貼裝的環(huán)繞式厚膜片式電阻---CHPHT。對于鉆井應用，CHPHT是業(yè)內首款具有-55℃～+230℃的工作溫度和-55℃～+245℃儲存溫度的此類器件。
2011-12-06
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TH4：Vishay 推出耐高溫固態(tài)模壓片式鉭電容器用于汽車及工業(yè)應用
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出在-55℃～+175℃溫度及50%電壓降額情況下工作的新系列HI-TMP? TANTAMOUNT?表面貼裝固態(tài)模壓片式鉭電容器---TH4系列。通過AEC-Q200認證的TH4電容器能在遠遠超過工業(yè)標準的高溫下工作，為汽車和工業(yè)應用的設計工程師提供了穩(wěn)固和更可靠的產品。
2011-12-06
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VSOP383|VSOP584：Vishay發(fā)布寬電源電壓和低供電電流的紅外遙控信號解調IC
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布業(yè)內首款用于調制由分立光敏二極管接收的紅外遙控信號的解調IC--- VSOP383..和VSOP584..，擴大其光電子產品組合。VSOP383..和VSOP584..系列產品采用小尺寸的2mm x 2mm x 0.76mm QFN封裝，能夠處理連續(xù)的數(shù)據(jù)傳輸，具有寬電源電壓和低供電電流的特點。
2011-11-30
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ICM-2824/3528/4743：Vishay發(fā)布高可靠性表面貼裝共模扼流圈
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型表面貼裝共模扼流圈--- ICM-2824、ICM-3528和ICM-4743，為直流電源線提供了低直流電阻、高電流處理能力和高可靠性。
2011-11-30
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Vishay大幅縮短CDR MLCC的供貨周期
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，為適應設備制造商對更快上市時間要求的不斷提高，縮短其通過MIL認證的CDR多層陶瓷片式電容器(MLCC)的供貨周期。對于至關重要的軍工和航天應用，Vishay的客戶可以在最快六周的時間內獲得這些器件，并開始組裝。
2011-11-24
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VJ CDC：Vishay發(fā)布具有集成電阻的新表面貼裝MLCC用于爆破設備
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用一個集成電阻和低電致伸縮陶瓷配方的新款陶瓷多層片式電容器(MLCC)--- VJ CDC。對于高脈沖電流應用，VJ受控放電電容器(CDC)提供了出色的穩(wěn)定性，可承受1000VDC～1500VDC的高電壓，容量為33nF～560nF。
2011-11-23
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SiZ300DT|SiZ910DT：Vishay擴充雙芯片不對稱功率MOSFET家族
Vishay Siliconix擴充PowerPAIR?雙芯片不對稱功率MOSFET家族，新的25V和30V器件大大簡化了高效DC/DC轉換器的設計
2011-11-15
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Vishay發(fā)布采用SurfLight表面發(fā)射器技術的850nm紅外發(fā)射器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款采用該公司的SurfLight表面發(fā)射器技術制造的850nm紅外(IR)發(fā)射器--- VSMY7852X01和VSMY7850X01，擴大其光電子產品組合。VSMY7852X01和VSMY7850X01采用高功率Little Star?封裝，占位為6.0mm x 7.0mm x1.5mm，具有超群的高驅動電流、發(fā)光強度和光功率，同時具有低熱阻系數(shù)。
2011-11-11
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VBUS54ED-FBL：Vishay推出超小尺寸4線總線端口保護陣列用于便攜產品
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用新型超小尺寸LLP2510封裝的新款4線ESD保護陣列---VBUS54ED-FBL。VBUS54ED-FBL的占位面積只有2.5mmx1.0mm，高度低至0.55mm，其低電容和低泄漏電流的特性可以保護高速信號線免受瞬態(tài)電壓信號的損害。
2011-11-08
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P13L：Vishay發(fā)布壽命長達2百萬次、適用于極端環(huán)境的新款面板式電位計
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款金屬陶瓷面板式電位計---Sfernice P13L，這種電位計的壽命長達2百萬次，全IP67密封使其能夠在極端的環(huán)境條件下可靠工作。
2011-11-07
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Vishay Siliconix推出通過JAN認證的軍用級N溝道功率MOSFET
Vishay Siliconix推出通過JAN認證的軍用級N溝道功率MOSFET采用密封TO-205AD封裝的軍用級器件具有低導通電阻和快速開關性能。
2011-11-02
- 聚合物電容全景解析：從納米結構到千億市場的國產突圍戰(zhàn)
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