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新ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 CDM測試標準概覽
元件充電模式(CDM) ESD被認為是代表ESD充電和快速放電的首要實際ESD模型，能夠恰如其分地表示當今集成電路(IC)制造和裝配中使用的自動處理設備所發生的情況。到目前為止，在制造環境下的器件處理過程中，IC的ESD損害的最大原因是來自充電器件事件，這一點已廣為人知。1
2021-02-09
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為系統安全選擇電壓檢測器、監控器和復位IC：第1部分
電信、工業和航空電子應用中的電源電壓可能由于許多原因而變化，例如線路和負載瞬變；停電；或低電量。電壓檢測器和監控器/復位集成電路（IC）提供了與這些問題相關的電源電壓偏差的預指示，以幫助保護系統。
2021-02-09
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為系統安全選擇電壓檢測器、監控器和復位IC：第2部分
在本系列的第一部分中，我定義了電壓檢測器和監控器/復位IC，并解釋了不同的輸出類型及一些基本設備。由于設計變得更加復雜，可能需要更高級的設備來成功監視電壓。在本期中，我將重點介紹電壓檢測器和監控器/復位IC中的各種功能，以幫助設計人員選擇正確的電路。
2021-02-09
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物聯網系統需要高集成度和小尺寸功率轉換器件
在功率譜的中低端存在一些不太大的功率轉換要求，這在物聯網(IoT)設備之類的應用中很常見。這些應用需要使用能夠處理適度電流水平的功率轉換IC。電流通常在數百毫安范圍，但如果板載功率放大器為了傳輸數據或視頻而存在峰值功率需求，那么電流量可能更高。因此，隨著支持眾多物聯網器件的無線傳感器的激增，業界對專門用于空間和散熱受限器件的小型、緊湊、高效功率轉換器的需求在不斷增加。
2021-02-08
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如何準確地測量芯片的電源噪聲
隨著5G、車聯網等技術的飛速發展，信號的傳輸速度越來越快，集成電路芯片的供電電壓隨之越來越小。早期芯片的供電通常是5V和3.3V，而現在高速IC的供電電壓已經到了2.5V、1.8V或1.5V，有的芯片的核電壓甚至到了1V。芯片的供電電壓越小，電壓波動的容忍度也變得越苛刻。對于這類供電電壓較小的高速芯片的電壓測試用電源噪聲表示，測求要求從±5%到 ±-1.5%，乃至更低。
2021-02-05
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集成電路是如何被發明的？
也許上天有意要人類發明出集成電路（IC：Integrated Circuit），幾乎在同時，兩組人在個不知曉對方發明工作的情況下，獨立設計出幾乎相同的集成電路。
2021-02-05
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開關IC控制器的去耦旁路設計
旁路和去耦是指防止有用能量從一個電路傳到另一個電路中，并改變噪聲能量的傳輸路徑，從而提高電源分配網絡的品質。它有三個基本概念：電源、地平面，元件和內層的電源連接。
2021-02-05
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接收器IC混合式混頻器、頻率合成器和IF放大器
無線基站曾經封裝在采用氣候控制技術的大型空間中，但現在卻可以裝在任意地方。隨著無線網絡服務提供商試圖實現全域信號覆蓋，基站組件提供商面臨壓力，需要在更小的封裝中提供更多的功能。
2021-02-03
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采用具有驅動器源極引腳的低電感表貼封裝的SiC MOSFET
人們普遍認為，SiCMOSFET可以實現非常快的開關速度，有助于顯著降低電力電子領域功率轉換過程中的能量損耗。然而，由于傳統功率半導體封裝的限制，在實際應用中并不總是能發揮SiC元器件的全部潛力。在本文中，我們首先討論傳統封裝的一些局限性，然后介紹采用更好的封裝形式所帶來的好處。最后，展示對使用了圖騰柱（Totem-Pole）拓撲的3.7kW單相PFC進行封裝改進后獲得的改善效果。
2021-02-03
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交錯式反相電荷泵——第二部分：實現和結果
本系列文章的第一部分介紹了一種從正電源產生低噪聲負電源軌的獨特方法，并說明了控制其運行的方程式推導過程。第二部分將借助ADI公司新產品 ADP5600深入探討這種交錯式反相電荷泵(IICP)的實際例子。我們將ADP5600的電壓紋波和電磁輻射干擾與標準反相電荷泵進行比較，以揭示交錯如何改善低噪聲性能。我們還將其應用于低噪聲相控陣波束成型電路，并使用第一部分中的公式來優化該解決方案的性能。
2021-02-02
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如何減少SiC MOSFET的EMI和開關損耗？
碳化硅（SiC）MOSFET的快速開關速度，高額定電壓和低RDSon使其對于不斷尋求在提高效率和功率密度的同時保持系統簡單性的電源設計人員具有很高的吸引力。
2021-02-02
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貿澤電子新品推薦：2021年1月
2021年2月1日 – 致力于快速引入新產品與新技術的業界知名分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics)，首要任務是提供來自1100多家知名廠商的新產品與技術，幫助客戶設計出先進產品，并加快產品上市速度。貿澤旨在為客戶提供全面認證的原廠產品，并提供全方位的制造商可追溯性。
2021-02-01
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