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電源管理

打破電動(dòng)汽車“里程焦慮”，主驅(qū)能效如何升級(jí)？

因續(xù)航能力有限而導(dǎo)致的“里程焦慮”是許多消費(fèi)者采用電動(dòng)車的一個(gè)障礙。增加電池密度和提高能量轉(zhuǎn)換過程的效率是延長車輛續(xù)航能力以緩解這種焦慮的關(guān)鍵。能效至關(guān)重要的一個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域是主驅(qū)逆變器，它將直流電池電壓轉(zhuǎn)換為所需的交流驅(qū)動(dòng)，以為電機(jī)供電。

2022-09-19

電動(dòng)汽車主驅(qū)能效

TO-247封裝碳化硅MOSFET中引入輔助源極管腳的必要性

功率開關(guān)器件（如MOSFET, IGBT）廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)、醫(yī)療、交通、消費(fèi)等行業(yè)的電力電子設(shè)備中，直接影響著這些電力電子設(shè)備的成本和效率。因此，實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗和更低的導(dǎo)通損耗一直是功率半導(dǎo)體行業(yè)的不懈追求。

2022-09-15

TO-247封裝 MOSFET 源極管腳

了解為高分辨率、高幀率CMOS圖像傳感器設(shè)計(jì)供電方案的挑戰(zhàn)

了解為當(dāng)今高分辨率、高幀率CMOS圖像傳感器設(shè)計(jì)供電方案的關(guān)鍵挑戰(zhàn)，是設(shè)計(jì)一個(gè)滿足每位設(shè)計(jì)工程師要求的含LDO (DC-DC, PMIC)的優(yōu)化的電源系統(tǒng)方案的關(guān)鍵要素。電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員需要知道不同應(yīng)用中的電源方案有何不同，比方說，一個(gè)800萬像素（MP）的相機(jī)與一個(gè)5000萬像素的相機(jī)的電源方案有何不同...

2022-09-15

CMOS 圖像傳感器供電方案

安森美獲蔚來“守望獎(jiǎng)”

中國上海—2022年9月13日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，在蔚來于2022年7月30日舉行的合作伙伴大會(huì)上獲其授予“守望獎(jiǎng)”。作為蔚來體系中值得信賴的關(guān)鍵技術(shù)供應(yīng)商，安森美通過多種渠道確保對(duì)蔚來的供貨支持，包括專職負(fù)責(zé)順利生產(chǎn)和交付流程的小組。

2022-09-14

安森美蔚來 SiC模塊

ABB采用IGBT7的新一代高功率密度變頻器ACS180系列

變頻器是各行業(yè)中至關(guān)重要的節(jié)能設(shè)備，ABB傳動(dòng)一直致力于用先進(jìn)的產(chǎn)品和技術(shù)，創(chuàng)新的解決方案為客戶創(chuàng)造價(jià)值，提高生產(chǎn)效能水平，助力變頻器產(chǎn)業(yè)升級(jí)。

2022-09-14

ABB IGBT7 變頻器

電源應(yīng)用問題之應(yīng)用環(huán)境分析

本文簡述開關(guān)電源常見的應(yīng)用環(huán)境，分析各種典型環(huán)境因素對(duì)電源產(chǎn)品的主要影響機(jī)理，推薦與應(yīng)用環(huán)境相匹配的金升陽電源產(chǎn)品，提升電源在不同應(yīng)用環(huán)境中的可靠性。

2022-09-14

開關(guān)電源應(yīng)用環(huán)境金升陽

開啟大功率無線充電新時(shí)代

無線充電技術(shù)包括感應(yīng)、磁諧振、電容、射頻輻射、激光、聲波和其他新興技術(shù)。感應(yīng)耦合技術(shù)處于領(lǐng)先地位 [1]，因此，其相關(guān)標(biāo)準(zhǔn) Qi 在無線充電領(lǐng)域應(yīng)用最為廣泛。

2022-09-14

無線充電 WLC1115 發(fā)射器

碳化硅MOS 四引腳封裝在應(yīng)用中的優(yōu)勢

瑞森半導(dǎo)體科技有限公司經(jīng)過多年研發(fā)，推出碳化硅MOS和SBD系列產(chǎn)品，目前已得到市場和客戶認(rèn)可，廣泛應(yīng)用于高端服務(wù)器電源、太陽能逆變、UPS電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、儲(chǔ)能、充電樁等領(lǐng)域。

2022-09-14

碳化硅 MOS TO-247封裝

深入剖析高速SiC MOSFET的開關(guān)行為

本文探討了影響高速SiC MOSFET開關(guān)特性的關(guān)鍵因素，包括器件特性、工作條件和外部電路；解釋了開關(guān)損耗的主要影響因素，并確定了影響器件行為和使用的重要因素，這些因素可以顯著提升SiC MOSFET在功率電路中的開關(guān)性能。

2022-09-13

SiC MOSFET 開關(guān)

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