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      0.8mm x 0.8mm封裝的芯片級功率MOSFET

      發(fā)布時間:2012-12-03 責(zé)任編輯:Lynnjiao

      【導(dǎo)讀】Vishay推出采用業(yè)內(nèi)最小芯片級MICRO FOOT封裝的新款Vishay Siliconix功率MOSFET,器件具有0.8mm x 0.8mm封裝,在4.5V下導(dǎo)通電阻低至43m?,可使便攜式電子產(chǎn)品變得更薄、更輕。

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT封裝的CSP規(guī)格尺寸,具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET功率MOSFET。

      這次發(fā)布的器件將用于智能手機(jī)、平板電腦和移動計(jì)算設(shè)備等便攜式電子產(chǎn)品的電源管理應(yīng)用中的電池或負(fù)載開關(guān)。MOSFET的外形緊湊小巧,可節(jié)省PCB空間并實(shí)現(xiàn)超薄的外形,使便攜式電子產(chǎn)品變得更薄、更輕,低導(dǎo)通電阻可實(shí)現(xiàn)更低的傳導(dǎo)損耗,以減少功耗并延長電池壽命。器件的低導(dǎo)通電阻還可以降低負(fù)載開關(guān)上的壓降,避免討厭的欠壓鎖定。

      這些MOSFET是首批采用這種規(guī)格尺寸的產(chǎn)品,采用超高密度技術(shù)制造,使用自對齊工藝技術(shù),將10億個晶體管單元裝到1平方英寸的硅片里。通過MICRO FOOT的無封裝CSP技術(shù),使器件在給定的外形面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)了盡可能低的導(dǎo)通電阻。

      0.8mm x 0.8mm封裝的芯片級功率MOSFET
      圖題:0.8mm x 0.8mm封裝的芯片級功率MOSFET

      12V Si8806DB是P溝道器件,在4.5V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻為43m?。如需要20V電壓,Si8812DB提供59m?的最大導(dǎo)通電阻。N溝道器件適用于DC/DC升壓轉(zhuǎn)化器等高速開關(guān)應(yīng)用,開啟/關(guān)斷時間小于100ns。

      20V P溝道Si8817DB和Si8489EDB適用于降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。更小的0.8mm x 0.8mmx 0.4mm Si8817DB在4.5V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻為76m?,可用于空間比導(dǎo)通電阻更重要的應(yīng)用場合。1mm x 1mm的Si8489EDB在4.5V的導(dǎo)通電阻更低,只有54m?,適用于導(dǎo)通電阻更重要的應(yīng)用。

      Si8489EDB是首個1mm x 1mm規(guī)格尺寸的P溝道Gen III器件,典型ESD保護(hù)達(dá)2500V。此外,Si8817DB可以在1.5V電壓下導(dǎo)通,可以搭配手持設(shè)備中常見的更低電壓柵極驅(qū)動和更低的總線電壓一起工作,節(jié)省電平轉(zhuǎn)換電路的空間和成本。

      器件符合RoHS指令2011/65/EU和JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定。


      器件規(guī)格表:

      規(guī)格表

      新款TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。
       

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