產(chǎn)品特性：
- 采用具有雙面冷卻功能的PolarPAK封裝，散熱出色
- 低導(dǎo)通電阻：最大0.0024?
- 低Qgd/Qgs比率
- Qrr 為 30 nC，VSD 為 0.37 V
- 可通過Rg和UIS測試
應(yīng)用范圍：
- 服務(wù)器和通信系統(tǒng)
- VRM運用
- 顯卡和負載點等應(yīng)用
Vishay目前宣布，推出業(yè)內(nèi)首款采用具頂?shù)咨嵬返姆庋b的30V單片功率MOSFET和肖特基二極管，該可在具有強迫通風冷卻功能的系統(tǒng)中高性能運作。新型SkyFET SiE726DF器件采用具有雙面冷卻功能的PolarPAK封裝，可提升高電流、高頻運用的效率。
新型SiE726DF在10V柵極驅(qū)動時，具有極低的導(dǎo)通電阻，最大為0.0024?（在4.5V驅(qū)動時，最大為0.0033?），且在無散熱片的情況下，能夠處理的電流水平比具有相同占位大小的SO-8高50%，為服務(wù)器和通信系統(tǒng)中的高電流直流—直流轉(zhuǎn)換器的同步整流低端控制開關(guān)、VRM運用、顯卡和負載點等應(yīng)用進行了優(yōu)化。該器件的典型柵極電荷為50nC，具有很低的Qgd/Qgs比率，能夠提供良好的擊穿保護。
該器件的 Qrr 為 30 nC 且 VSD 為 0.37 V — 兩者均比標準MOSFET低50%以上 — 集成了MOSFET和肖特基二極管的SiE726DF因為寄生器件減少和MOSFET體二極管相關(guān)的功率損耗降低，效率也得到了提高。隨著開關(guān)頻率升高，功率損耗減少越來越顯著。此外，取消外接肖特基二極管可在降低成本的同時，令設(shè)計人員創(chuàng)造出更小、更簡潔的電路設(shè)計。
PolarPAK封裝提供的雙面冷卻功能在高電流運用領(lǐng)域表現(xiàn)出更出色的散熱性能。這使器件能夠在更低結(jié)溫下運作，頂部熱阻為1°C/W，底盤熱阻為1°C/W。除簡化生產(chǎn)外，基于引線框架的密封設(shè)計因芯片密封，同樣提供了保護和可靠性。無論芯片大小，該器件提供相同的布局布線，簡化PCB設(shè)計，且100%通過Rg 和 UIS 測試。
目前，可提供SiE726DF的樣品與量產(chǎn)批量，大宗訂單的的供貨周期為 10 至14 周。
