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      提高OLED發光效率的方法

      發布時間:2009-07-31

      中心議題:
      • OLED的功率效率
      • OLED的發光率與衰減
      • OLED發展動向
      解決方案:
      • 增加傳輸層的厚度影響光學的out-coupling效率
      • 利用摻雜(doping)技術增加注入電荷
      • 用較厚的載電荷子傳輸層,藉此增加OLED的穩定性
      雖然最近幾年有機發光二極管(OrganicLightEmissionDiode,OLED)顯示器已經商品化,不過OLED顯示器不論是發光效率、使用壽命,或是改用無晶硅基大型面板等問題仍有待改善。
        
      目前已商品化OLED顯示器,可分為小分子OLED(SM-OLED)搭配熒光體與被動式矩陣(PassiveMatrix)基板;高分子(polymer)+被動式矩陣基板:以及主動式小分子OLED構成的小型OLED顯示器等等。上述OLED顯示器主要是應用在移動電話與數字相機、PDA等領域。
        
      由于OLED顯示器的發光效率(亦即功率效率),幾乎與LCD背光模塊相同甚至更低,這意味著OLED發光效率仍有很大的改善空間,一般認為提高OLED發光效率,并大幅降低OLED制作成本,未來OLED才有機會取代LCD,并且在市場上占有一席之地。尤其是試量產階段的主動式矩陣OLED顯示器,由于產量性與良品率偏低,因此制作成本是同等級LCD的兩倍。
        
      功率效率(Powerefficiency)
        
      有關功率效率可以根據下式求得:


      所謂功率效率值主要是指量子效率(quantumefficiency),除上操作電壓后獲得的百分比。根據上式可知即使有高的量子效率,功率效率值則會隨著高操作電壓而減少,亦即增大操作電壓,其結果只是補償注入與傳輸carrier時的損失(因各層有限的傳導率),對功率效率并無實質助益。
        
      理論上電能轉換成光線的熱力極限,以綠光而言大約是2.5V。Novaled已經證實在carrier傳輸層內,必需整合穩定擴散的氧化還原摻雜物(redox-dopants)。需注意是單純的摻雜(doping),只會減少組件的量子效率,因此正確的device設計也非常重要。
        
      實驗證明發光層或是各堆棧層,保持電子和電洞的平衡,可使載荷子的平衡系數(chargecarrierbalancefactor)接近1,在此同時設計device時,必須確定上述變量不會受到改善其它動作而減少。
        
      長期激發加速衰減
        
      Triplet/Singlet系數主要是表示發光材料的發射狀態。若以Triplet狀態的發射效率而言,理論上幾乎可達到100%;如果采用熒光體(或Singlet)的話,Triplet/Singlet系數會受到限制,大約只有25%左右(Triplet狀態在此無法產生光)。
        
      由于Triplet發射方式,使得device長期處于激發狀態,因此會有無輻射性的衰減現象,最后造成device的設計變得更加困難。雖然采用Singlet發光材料的OLED,使用壽命比較長,不過使用Triplet發光材料的OLED正迎頭趕上中,一般認為不久的將來可望進入商品化階段。photoluminescencequantumyield主要是取決于材料,值得一提的是合成材料的純度、潔凈度、存放、處理與接口設備,都會使該值從接近100%遽降至50%。

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      OLEDdevice產生的光線被局限在device內,并且被平行地引導至基板,或是有機的表面以及有電層。簡單的概算是假設ITO的折射指數在1.8左右時,可以獲得光學上的out-coupling系數是20%,這表示有80%的光被傳導到組件的側邊,無法被取出應用,雖然理論上該現象可以進行大幅改善,然而設計者必須考量一個復雜的out-coupling,如此一來,結構上的改變會使device成本大幅上升,同時可能會降低其它效率的系數。
        
      此外device內可使光線反射的電極,由于本身自重特性質會強烈影響光學的out-coupling效率,此時若適度增加傳輸層的厚度,對out-coupling效率具有相當程度的助益,不過它涉及到低導電層的動作特性,因此操作電壓和量子效率也會隨著變化。

      根據實驗結果顯示,65cd/A與80lm/W(在100cd/m2,2.6V)的綠色磷光OLED,經過doping后的載電荷子傳輸層(如下圖所示),它的內部量子效率(quantumefficiency)可以達到接近100%(相較之下Out-coupling系數只有20%),而且可以獲得較佳的亮度,運作電壓更接近熱力極限。
                                             
                                         
      OLED發展動向
        
      為改善上述三項缺點,同時使OLED主動顯示器作高發光效率,因此必需提高發光效率(大部分的光線被非透明的驅動硅電路遮蔽),因為適合的接點材質受限于無機半導體,使得下層ITO和與上層金屬電觸的一般OLED結構無法正確運作,因此利用摻雜(doping)技術增加注入電荷,產生載電荷子傳輸層,可以使適用材料發揮最大功率效益。
        
      除此之外,提高OLED顯示器產量也是不可或缺的條件之一。目前OLEDdevice常用超薄載電荷子傳輸膜層,雖然這樣的結構可以降低高操作電壓帶來的負面效應,不過如此一來device卻有短路之虞,根本對策是改用較厚的載電荷子傳輸層,藉此增加OLED的穩定性。
        
      次世代OLED的應用除了家用與工業用照明之外,更將目標鎖定在平均亮度1000cd/m2、80lm/W的白光市場。要達到這個目標,首先是所有其它的參數接近其100%極限時,out-coupling系數必需超過至20%以上。
        
      長久以來照明設備業者莫不殷切期盼,獲得輕巧可折迭的光源環境,事實上這也是OLED未來發展目標。

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