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測(cè)試測(cè)量

過(guò)去五六年中國(guó)多晶硅消耗每年增長(zhǎng)180%

值全國(guó)兩會(huì)召開(kāi)之際，全國(guó)政協(xié)委員、通威集團(tuán)董事局主席劉漢元談新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向，并對(duì)多晶硅國(guó)內(nèi)供需狀況做了評(píng)析。

2010-03-17

多晶硅太陽(yáng)能過(guò)剩

REACH法規(guī)新增15種SVHC物質(zhì)

2009年12月7日，ECHA成員國(guó)委員會(huì)達(dá)成一致意見(jiàn)，將另外15種物質(zhì)列入REACH高度關(guān)注物質(zhì)（SVHC)候選清單。預(yù)計(jì)ECHA將在2010年1月份正式采納此決定，并將這15種物質(zhì)正式列入SVHC候選清單，屆時(shí)SVHC候選清單將增至30種物質(zhì)。

2010-03-17

REACH 法規(guī) 15種 SVHC物質(zhì) 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

比亞迪電子09年凈利潤(rùn)7.59億

比亞迪電子發(fā)布2009年全年財(cái)報(bào)，2009年比亞迪電子實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售收入11.199億元人民幣，同比上升31%；凈利潤(rùn)約7.59億，較上一年微跌1%……

2010-03-17

比亞迪 09年凈利潤(rùn) 手機(jī)元件

電子信息產(chǎn)業(yè)：加快調(diào)整搶占高端

電子信息產(chǎn)業(yè)是受?chē)?guó)際金融危機(jī)影響較大的行業(yè)，通過(guò)貫徹落實(shí)產(chǎn)業(yè)調(diào)整振興規(guī)劃，正逐步復(fù)蘇，走向新的發(fā)展征程。溫家寶總理在政府工作報(bào)告中指出，大力發(fā)展信息網(wǎng)絡(luò)和高端制造業(yè)，加快物聯(lián)網(wǎng)的研發(fā)應(yīng)用，這些都為電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展指明了方向。

2010-03-17

電子信息業(yè) 結(jié)構(gòu) 軟件服務(wù)業(yè) 新興產(chǎn)業(yè)

光伏產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)赚F(xiàn)分化組件價(jià)跌硅片價(jià)漲

隨著去年四季度以來(lái)全球光伏應(yīng)用市場(chǎng)逐漸復(fù)蘇，國(guó)內(nèi)光伏產(chǎn)業(yè)也開(kāi)始欣欣向榮。但由于過(guò)去幾年產(chǎn)能擴(kuò)張嚴(yán)重，光伏下游組件價(jià)格連續(xù)下挫。相比之下，由于產(chǎn)能不足，中游的硅片價(jià)格近期卻意外上漲。

2010-03-17

光伏組件硅片

MZP系列：村田制作所發(fā)布便攜終端用燃料電池泵

村田制作所發(fā)布了便攜終端用燃料電池泵“MZP”系列。主要用于以最佳壓力將直接甲醇型燃料電池（DMFC）的甲醇燃料輸送至發(fā)電部分。據(jù)介紹，其尺寸為24mm×33mm×1.325mm，是燃料電池用液體輸送泵中最薄的產(chǎn)品。該款電池泵的優(yōu)勢(shì)是薄且功耗低，估計(jì)已被東芝2009年10月上市的“Dynario”等便攜終端用燃料電池...

2010-03-17

村田制作便攜終端燃料電池泵

N溝道MOSFET延長(zhǎng)便攜設(shè)備電池壽命

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)因應(yīng)手機(jī)、便攜醫(yī)療設(shè)備和媒體播放器等便攜應(yīng)用設(shè)備的設(shè)計(jì)和元件工程師對(duì)在其設(shè)計(jì)中加入節(jié)省空間的高效器件的需求，推出N溝道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ，這兩款器件使用先進(jìn)的PowerTrench工藝技術(shù)，具有更低的RDS(ON)，更高的效率，并可延長(zhǎng)電池壽命。

2010-03-17

N溝道 MOSFET 便攜設(shè)備電池

高檔汽車(chē)音頻市場(chǎng)到2016年將翻一番

據(jù)iSuppli公司，在2009年下滑之后，全球車(chē)用高端音響系統(tǒng)的出貨量在2010年將以兩位數(shù)速度增長(zhǎng)，出貨量預(yù)計(jì)將上升到670萬(wàn)套；到2016年，出貨量更將上升到1370萬(wàn)套，約為2010年的兩倍。

2010-03-17

高檔音響汽車(chē)電子北美 iSuppli

半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)高端MOSFET驅(qū)動(dòng)方案選擇：變壓器還是硅芯片？

在節(jié)能環(huán)保意識(shí)的鞭策及世界各地最新能效規(guī)范的推動(dòng)下，提高能效已經(jīng)成為業(yè)界共識(shí)。與反激、正激、雙開(kāi)關(guān)反激、雙開(kāi)關(guān)正激和全橋等硬開(kāi)關(guān)技術(shù)相比，雙電感加單電容(LLC)、有源鉗位反激、有源鉗位正激、非對(duì)稱半橋(AHB)及移相全橋等軟開(kāi)關(guān)技術(shù)能提供更高的能效。因此，在注重高能效的應(yīng)用中，軟開(kāi)關(guān)...

2010-03-16

半橋拓?fù)?nbsp; MOSFET 驅(qū)動(dòng) 變壓器硅芯片

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半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)高端MOSFET驅(qū)動(dòng)方案選擇：變壓器還是硅芯片？

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