從事電源設(shè)計(jì)的朋友肯定都接觸過運(yùn)算放大器，在運(yùn)算放大器的說(shuō)明書當(dāng)中，有些參數(shù)的標(biāo)注讓人看著并不那么明確其含義。比如有些參數(shù)并不能用最大或者最小來(lái)進(jìn)行規(guī)范。所以有時(shí)不得不依靠規(guī)范表或者典型性能圖標(biāo)中的典型值來(lái)作為參考，那“典型值”的含義是什么，其范圍又是多大呢？

 

要想回答這個(gè)問題并不容易，它取決于具體的規(guī)范。下面，我們對(duì)容易引起疑問的3個(gè)特性進(jìn)行逐一說(shuō)明：

 

圖1

 

運(yùn)算放大器的增益帶寬積（GBW）主要由輸入級(jí)電流和片上電容值控制。這兩個(gè)變量的變化，可產(chǎn)生的GBW變化范圍為±20%左右。看起來(lái)，這是一個(gè)比較寬的范圍，但是通過選擇一個(gè)大裕量的運(yùn)算放大器，卻可以更加輕松地進(jìn)行大范圍GBW設(shè)計(jì)。如果必要，可以利用一些反饋組件，對(duì)應(yīng)用的閉環(huán)帶寬進(jìn)行控制。請(qǐng)注意，在開環(huán)增益/相位圖(請(qǐng)參見圖1)上，這種變化看起來(lái)非常的小。

 

 

受到諸如帶寬、內(nèi)部電流和電容等相同變量的影響。通常，選擇比最低需求速度高20%的運(yùn)算放大器便已足夠。或者希望在一些重要的應(yīng)用中擁有更多的裕余量。大多數(shù)應(yīng)用并不會(huì)將放大器推高至其轉(zhuǎn)換率極限值附近，因此這樣做并無(wú)問題。

 

圖2

 

放大器的寬帶或者平帶電壓噪聲主要取決于一個(gè)或者多個(gè)輸入級(jí)晶體管的電流。大電流會(huì)以一種平方根的方式降低噪聲。因此20%的電流變化，可帶來(lái)約10%的平帶噪聲密度變化（請(qǐng)參見圖2）。

 

低頻1/f噪聲（也稱作閃爍噪聲）是另一回事，它的變化范圍更大。1/f區(qū)的噪聲振幅在約3：1范圍變化。JFET和CMOS制作工藝的差異可能稍大一些。該噪聲區(qū)域決定低頻帶（通常規(guī)定為0.1到10Hz）的峰值到峰值噪聲大小。

 

的確存在一些較好的指導(dǎo)原則，但卻無(wú)法詳細(xì)說(shuō)明放大器設(shè)計(jì)和所用IC工藝的確切變化范圍。但是，有一些資料總比沒有強(qiáng)，并且大多數(shù)設(shè)計(jì)都可以較好地適應(yīng)這些估計(jì)差異。

 

適合于應(yīng)用的裕量，可能會(huì)隨設(shè)計(jì)的設(shè)備（也可能是您正進(jìn)行的終端產(chǎn)品測(cè)試）類型而變化。裕量與規(guī)范不符會(huì)影響設(shè)計(jì)針對(duì)的目標(biāo)余量。這種“工程判斷”是良好模擬設(shè)計(jì)的一個(gè)重要因素。