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      SiB455EDK:Vishay 推出新款12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

      發布時間:2010-01-06 來源:EDN

      產品特性:
      • P溝道器件最低的導通電阻
      • 占位面積1.6mm x 1.6mm
      • ESD保護電壓高達1500V
      • RoHS指令2002/95/EC
      應用范圍:
      • 手機、智能手機、PDA和MP3播放器等手持設備中的負載、功放和電池開關

      日前,Vishay Intertechnology宣布,推出新款12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強的PowerPAK SC-75封裝,占位面積為1.6mm x 1.6mm,具有業內P溝道器件最低的導通電阻。 

      SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術的最新產品,使用了自對準工藝技術,在每平方英寸的硅片上裝入了10億個晶體管單元。這種最先進的技術實現了超精細、亞微米的節距工藝,將業內最好的P溝道MOSFET的導通電阻減小了一半。 

      SiB455EDK具有超低的導通電阻,在4.5 V、2.5 V、1.8 V和1.5 V下的導通電阻分別為27mΩ、39mΩ、69mΩ和130mΩ,比前一代領先的12V P溝道器件在4.5 V、2.5 V、1.8 V下的導通電阻分別低55%、52%和39%。


      該MOSFET可用做手機、智能手機、PDA和MP3播放器等手持設備中的負載、功放和電池開關。SiB455EDK的低導通電阻意味著更低的導通損耗,小尺寸的PowerPAK SC-75封裝能夠將節省下來的空間用于實現其他功能,或是讓終端產品變得更加小巧。 

      新器件也是僅有的同時具有10V柵源電壓和可在1.5V電壓下導通的12V MOSFET,因此該器件可用在由于浪涌、尖峰、噪聲或過壓引起柵極驅動電壓波動的應用中,同時也為更小的輸入電壓提供更安全的設計。 

      為減少由ESD引起的現場故障,器件的典型ESD保護電壓高達1500V。MOSFET符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定和RoHS指令2002/95/EC。

      新款SiB455EDK TrenchFET功率MOSFET現可提供樣品,將在2010年第一季度實現量產,大宗訂貨的供貨周期為14周到16周。

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