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      過流保護器件的浪涌測試

      發(fā)布時間:2009-08-28

      中心議題:
      • 過流保護器件的浪涌測試
      解決方案:
      • 通過電阻限制電流
      • 輸入電感限制峰值電流

      對于1.2A限流,通常認為在發(fā)生故障或短路時電路保護IC會保持在完全受控狀態(tài)。而實際情況是,在達到限流條件后通常需要一個延時才能真正關(guān)閉開關(guān)。發(fā)生硬件短路時,電流迅速上升,首先會達到直流限制條件并開始關(guān)閉開關(guān)(直流限制可以非常精確,但反應(yīng)速度較慢,較慢的反應(yīng)速度可以避免浪涌和其它偽故障事件造成開關(guān)閉合)。

      雖然開關(guān)會在短時間內(nèi)斷開,但此時峰值電流可能已經(jīng)遠遠高于直流門限。引線寄生電感較低時,電流可能上升更快。請參考圖1。

      通過電阻限制電流

      我們采用具有較低引線電感的MAX1558USB開關(guān),發(fā)生硬件短路時,通過芯片內(nèi)部保護開關(guān)實現(xiàn)電流限制。當保護電路最終斷開開關(guān)時,可以測量到峰值電流(I),這個過程如圖2所示。峰值電流流過輸入端的寄生電感(LSTRAY),將儲存以下能量(E):

      E=½×LSTRAY×I²

      斷路器或保護開關(guān)斷開后,能量會消耗到哪里呢?

                                  
                                   圖1.該電路表明了硬件短路時的電流路徑以及寄生電感驅(qū)動下的電流路徑

            
       圖2.波形顯示了具有10µFCBYPASS情況下的短路響應(yīng),從VIN波形可以看出:由于電流變化使得輸入電壓上沖到了8.6V。

      從圖2可以看出:輸入電流(IIN)很快上升到48.8A,然后被限制。開關(guān)斷開時,可以測量到電流下降的速率,當IIN以20A/µs下降時,VIN將上沖到8.6V(VMAX),可以根據(jù)下式計算電路電感:

      (VMAX-VIN)=di/dt×LSTRAY

      當VMAX-VIN=3.6V,di/dt=20A/µs時,LSTRAY=180nH。

      所以,根據(jù)E=½×LSTRAY×I²,故障結(jié)束時有214µJ的能量存儲在LSTRAY中。需要利用旁路電容吸收這部分能量并限制電壓的上升。如果選擇10µF輸入電容,初始電壓為5V,初始儲能為:

      ½×C×V²=E

      現(xiàn)在,假設(shè)所有存儲在LSTRAY中的能量最終都轉(zhuǎn)移到輸入電容CBYPASS上,那么:

      初始能量+寄生能量=最終能量
      125µJ+214µJ=339µJ

      339µJ是輸入電容的最終能量,根據(jù):

      ½×C×V²=E

      或:

      ½×10µF×V²=339µJ

      求解V,得到:V=8.23V。這與圖2中的8.6V測量值非常接近。

      如果輸入旁路電容只有0.1μF,輸入電壓將上升到具有破壞性的電壓值。按照0.1µF重新計算:

      初始能量+寄生能量=最終能量
      1.25µJ+214µJ=215µJ

      并且:

      ½×0.1µF×V²=215µJ

      求解V,得到:V=65.6V!

      顯然,這個過程將損壞額定電壓只有5.5V的器件。對于這種情況下的硬件短路波形如圖3所示,注意輸出也會上沖到9.8V,這是由于短路后才會斷開開關(guān),它也取決于本次測試時的快速di/dt變化。

      通常di/dt由功率器件的關(guān)斷特性決定。對于USB口,電路取決于終端用戶—存在任何可能性,但在掌控之內(nèi)。引起這樣極端的快速關(guān)斷的原因可能是由于電纜斷裂、連接器發(fā)生問題,或連接過程中的機械故障,如本例所示。
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                           圖3.從波形可以看出,若輸入電容只有0.1µF,輸入電壓會上沖到一個潛在的破壞性高壓。

      當然電壓不會上沖到66V理論計算值,這是因為芯片內(nèi)部集成了齊納保護管,可以鉗制電壓的上升,并可能由于吸收能量而被損壞。發(fā)生過壓的過程中,額外的能量被硅片吸收。下面的圖4是圖3的時間展開圖。
           
      圖4.圖3的時間展開圖,注意到開關(guān)關(guān)斷期間較高的di/dt變化率,部分存儲能量已經(jīng)送至輸出端!這將損壞USB開關(guān)。

      從圖4可以看出,對于相同電路,較大的輸入旁路電容可以更好地應(yīng)對硬件短路造成的寄生能量,從而提供額外保護。通常,帶有地層的印刷電路板(PCB)比測試當中的引線或?qū)嶒炇抑衅渌B接具有更小的寄生電感。在實驗室做測試時,降低連接線和測試設(shè)備的寄生電感非常困難。

      輸入電感限制峰值電流

      圖5所示,即使存在高達1.3µH的輸入引線電感,如果使用10µF的旁路電容,器件仍然可以免于損壞。
            
      圖5.此波形顯示了輸入長引線產(chǎn)生的寄生電感較大(1.3µH)時的情況,同樣使用10µF輸入旁路電容。注意:輸入電流的上升和下降比較緩慢。當輸入電壓超過8V時,器件也會發(fā)生齊納擊穿,電流被泄漏到輸出端(可以由波形圖中的IOUT看出),但開關(guān)不會損壞。

      從圖5可以看出,較大的電感減緩了輸入電流的上升、下降速度。這一點很重要,電感較大時電流的變化速率大大降低。因為存儲在電感內(nèi)部的能量與電流平方成正比,與電感成正比關(guān)系,較高的峰值電流會存儲更多的能量。存儲在1.3µH電感的能量僅為419µJ:

      125µJ+419µJ=544µJ

      并且

      ½×10µF×V²=544µJ

      由上式求解V,得到:V=10.43V。

      雖然器件在這硬件短路時幸免于難,但仍推薦選用一個更大的輸入旁路電容,以限制最大電壓,使其低于數(shù)據(jù)資料中規(guī)定的極限參數(shù)。

      如果設(shè)計中沒有考慮存儲在寄生電感中能量,USB器件可能由于過壓而造成損壞。圖5所示,輸入電感可以是峰值電流的限制因素,從圖2可以看出電阻也可以限制電流。如果電流被限制在導(dǎo)致器件損壞的電平以下,較低的電感有助于改善電路的安全工作。

      如果電流沒有得到應(yīng)有的限制,能量在低電感情況下釋放可能迅速達到破壞性水平。需要特別注意避免這種情況的發(fā)生。圖2所示電路中,電流由0.1Ω電阻限制。雖然減小電感后會使電流的上升速度提高,如果采取適當?shù)南蘖鞔胧^小的電感有助于降低儲能。

      大多數(shù)PCB設(shè)計在保護開關(guān)以及輸入輸出路徑下方都有一個地層,電感通常遠遠低于180nH。對于下方有地層的1/16英寸寬的PCB走線,每英寸長度大約會產(chǎn)生10nH電感。應(yīng)根據(jù)具體應(yīng)用環(huán)境,確定所需要的輸入旁路電容。從電感的測量、分析結(jié)果看,可能需要更大的旁路電容來保證系統(tǒng)的可靠性,也有可能允許降低輸入旁路電容。

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