【導(dǎo)讀】起步于2007年，專注于功率半導(dǎo)體器件及功率IC的研發(fā)、設(shè)計、銷售的瑞森半導(dǎo)體（REASUNOS），將于7月11日-13日亮相2023慕尼黑上海電子展（展位號：7.2H館 D320展位）。與眾多行業(yè)伙伴，共同聚焦新能源汽車、自動駕駛、智能座艙 、充電樁、綠色能源等新興科技領(lǐng)域，深入探討功率半導(dǎo)體技術(shù)在領(lǐng)域的應(yīng)用及未來發(fā)展趨勢。
起步于2007年，專注于功率半導(dǎo)體器件及功率IC的研發(fā)、設(shè)計、銷售的瑞森半導(dǎo)體（REASUNOS），將于7月11日-13日亮相2023慕尼黑上海電子展（展位號：7.2H館 D320展位）。與眾多行業(yè)伙伴，共同聚焦新能源汽車、自動駕駛、智能座艙 、充電樁、綠色能源等新興科技領(lǐng)域，深入探討功率半導(dǎo)體技術(shù)在領(lǐng)域的應(yīng)用及未來發(fā)展趨勢。
electronica China慕尼黑上海電子展是電子行業(yè)內(nèi)極具影響力的大規(guī)模專業(yè)展，也是行業(yè)內(nèi)重要的盛事。瑞森半導(dǎo)體已連續(xù)多年參展，本屆展會面積規(guī)模計劃擴大至10萬平米,參展企業(yè)將達到1600+,預(yù)計吸引觀眾7萬人次，將會是電子行業(yè)同胞的一場盛會。
瑞森半導(dǎo)體本次展會主打三條產(chǎn)品線，硅基功率器件，碳化硅基功率器件以及功率IC ，其中硅基功率器件包括平面高壓MOS，超結(jié)MOS，Trench低壓MOS和SGT低壓MOS, 產(chǎn)品涵蓋20V-1500V全耐壓段，可以滿足各種不同應(yīng)用場景；以平面高壓MOS為例，目前國內(nèi)產(chǎn)品在技術(shù)指標上存在的問題主要是高溫（150℃）漏電大以及電磁輻射EMI難解決；產(chǎn)品質(zhì)量上存在的問題主要是老化考核后產(chǎn)品擊穿電壓（BV）跌落，可靠性難以符合工業(yè)要求等問題。瑞森半導(dǎo)體高壓MOS系列采用新型的橫向變摻雜技術(shù)，以專有的功率MOS結(jié)構(gòu)，高溫特性優(yōu)良，同時極大提升了產(chǎn)品的雪崩能量和抗浪涌能力；
碳化硅基功率器件包括碳化硅SBD和碳化硅MOSFET，產(chǎn)品涵蓋650V-1200V-1700V，3300V產(chǎn)品系列在開發(fā)中；已實現(xiàn)全球銷售，SiC 產(chǎn)品系列完全可實現(xiàn)國產(chǎn)替代。
瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS產(chǎn)品系列，均采用多層外延工藝制作，與傳統(tǒng)的trench工藝相比，具有優(yōu)異的抗EMI及抗浪涌能力，性能可媲美國際一線品牌。
電源管理IC采用的是1um 600V HVIC 高壓浮柵工藝，整個系統(tǒng)電源采用CS-CP PPFC+ LLC (電流源電荷泵 +串聯(lián)諧振)技術(shù)，是國內(nèi)唯一 一家可以單級方案做到400W以上的大功率并涵蓋高PF、低THD、無頻閃、高效率等優(yōu)勢的產(chǎn)品系列，其中效率超過94%，PF（功率因數(shù)）大于0.96，THD（總諧波失真）在5%以內(nèi)，頻閃系數(shù)<0.03（遠遠優(yōu)于國標1.15的標準），產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于教育照明、家居照明、商業(yè)照明、學(xué)生書房燈、戶外路燈、植物照明、投光燈、景觀照明、體育場館等。
瑞森半導(dǎo)體核心研發(fā)第三代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)，研發(fā)人員占比40%，具備強大的自主研發(fā)能力 。并與湖南大學(xué)半導(dǎo)體學(xué)院（集成電路學(xué)院）深度合作，進行第三代半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新研發(fā)突破。未來，產(chǎn)品體系發(fā)展及完善速度將會加快步伐，將就更高耐壓、更大電流，模塊化等方向以及GaN HEMTs 的驅(qū)動芯片投入研發(fā)。
瑞森半導(dǎo)體服務(wù)全球半導(dǎo)體行業(yè)市場16年，產(chǎn)品性能、穩(wěn)定性、一致性均得到市場的認可，本次展會現(xiàn)場除了產(chǎn)品展示外，瑞森半導(dǎo)體功率器件FAE總監(jiān)及驅(qū)動方案研發(fā)總監(jiān)也將坐鎮(zhèn)展會現(xiàn)場，專業(yè)解答各類技術(shù)問題。更有電源網(wǎng)、芯查查等專訪，同時展會活動現(xiàn)場還有各類福利，誠邀全球客戶觀展。
關(guān)于瑞森半導(dǎo)體 （REASUNOS）
瑞森半導(dǎo)體（REASUNOS）起步于2007年，是一家專注于功率半導(dǎo)體器件及功率IC的研發(fā)、設(shè)計、銷售的國家級高新技術(shù)企業(yè)， 致力于為全球客戶提供功率半導(dǎo)體整體解決方案。
公司專注于高質(zhì)、高性能的產(chǎn)品研發(fā)，核心研發(fā)第三代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)，是國內(nèi)碳化硅（SiC）產(chǎn)品系列較早實現(xiàn)量產(chǎn)并全球銷售的企業(yè)。品質(zhì)、性能對標國際品牌，成功替代眾多進口系列，助力芯片國產(chǎn)化。在集成芯片領(lǐng)域， 國內(nèi)首創(chuàng)單級大功率400W高PF無頻閃LED驅(qū)動IC，是具備較強競爭力、自主創(chuàng)新的產(chǎn)品。在功率器件領(lǐng)域，就更高耐壓、更大電流，模塊化等發(fā)展方向以及GaN HEMTs系列持續(xù)投入研發(fā)中。
公司產(chǎn)品涵蓋碳化硅MOS、碳化硅二極管、硅基平面MOS、超結(jié)MOS、中低壓MOS、LED驅(qū)動IC、電機驅(qū)動IC和系列ESD&TVS靜電保護器件等，憑借產(chǎn)品可靠性高、參數(shù)一致性好等特點，廣泛應(yīng)用于新能源汽車 、充電樁、光伏、逆變、儲能、白色家電、工業(yè)控制和消費類電子等領(lǐng)域。
瑞森半導(dǎo)體始終關(guān)注客戶需求，將產(chǎn)品研發(fā)放在首要位置，公司于2022年成立瑞森半導(dǎo)體科技（湖南）有限公司，并與湖南大學(xué)創(chuàng)建“湖南大學(xué)半導(dǎo)體學(xué)院產(chǎn)教融合基地”，進行半導(dǎo)體技術(shù)與應(yīng)用創(chuàng)新的深度研發(fā)合作。
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