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      誤啟動(dòng)的發(fā)生機(jī)制

      發(fā)布時(shí)間:2020-12-16 責(zé)任編輯:wenwei

      【導(dǎo)讀】上一篇文章中通過標(biāo)準(zhǔn)型且具有快恢復(fù)特性的SJ MOSFET的雙脈沖測(cè)試,介紹了“在橋式電路中,恢復(fù)特性可通過使用高速M(fèi)OSFET來降低損耗,但是在某些情況下,即使使用高速M(fèi)OSFET也無法降低導(dǎo)通損耗”。本文就其中一個(gè)原因即誤啟動(dòng)現(xiàn)象進(jìn)行說明。
       
      通過雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性
       
      上一篇文章中通過標(biāo)準(zhǔn)型且具有快恢復(fù)特性的SJ MOSFET的雙脈沖測(cè)試,介紹了“在橋式電路中,恢復(fù)特性可通過使用高速M(fèi)OSFET來降低損耗,但是在某些情況下,即使使用高速M(fèi)OSFET也無法降低導(dǎo)通損耗”。本文就其中一個(gè)原因即誤啟動(dòng)現(xiàn)象進(jìn)行說明。
       
      什么是誤啟動(dòng)現(xiàn)象
       
      誤啟動(dòng)是因MOSFET的各柵極電容(CGD,CGS)和RG引起的現(xiàn)象,在串聯(lián)2個(gè)MOSFET的橋式電路中,當(dāng)位于開關(guān)側(cè)的MOSFET導(dǎo)通(Turn-on)時(shí),在原本為OFF狀態(tài)的續(xù)流側(cè)MOSFET發(fā)生了不應(yīng)發(fā)生的導(dǎo)通,導(dǎo)致直通電流流過,損耗增大。
       
      誤啟動(dòng)的發(fā)生機(jī)制
       
      本圖與在“什么是雙脈沖測(cè)試?”中用于說明的圖是同一幅圖,圖中給出了雙脈沖測(cè)試的基本工作。
       
      誤啟動(dòng)的發(fā)生機(jī)制
       
      從工作②轉(zhuǎn)換為工作③時(shí),高邊Q1的Drain-Source間電壓VDS_H從0V急劇變?yōu)閂i。由于此時(shí)產(chǎn)生的dVDS_H/dt(單位時(shí)間內(nèi)的電壓變化) ,使電流流過CGD_H、CGS_H和RG_H。如果此電流導(dǎo)致CGS_H的電壓上升、VGS_H超過MOSFET的柵極閾值,則MOSFET將發(fā)生不應(yīng)發(fā)生的導(dǎo)通。我們將該現(xiàn)象稱為誤啟動(dòng),發(fā)生誤啟動(dòng)時(shí),高壓側(cè)Q1和低壓側(cè)Q2之間會(huì)流過直通電流。下圖是展示了因體二極管的反向恢復(fù)電流和誤啟動(dòng)而引發(fā)直通電流的示意圖。
       
      誤啟動(dòng)的發(fā)生機(jī)制
       
      由于逆變器電路和Totem Pole PFC電路等是串聯(lián)了2個(gè)MOSFET的橋式電路,因此不僅會(huì)出現(xiàn)反向恢復(fù)損耗,而且還可能因誤啟動(dòng)引起的直通電流導(dǎo)致導(dǎo)通損耗增大。
       
      上一篇文章中提到的評(píng)估中使用的R6030JNZ4(PrestoMOS™),已證實(shí)其導(dǎo)通損耗比其他快恢復(fù)型SJ MOSFET要小。這不僅僅是因?yàn)槠浠謴?fù)特性出色,更是因?yàn)閷?duì)各柵極電容之比進(jìn)行了優(yōu)化,并采用了可抑制誤啟動(dòng)的結(jié)構(gòu)。
       
      關(guān)鍵要點(diǎn)
       
      ●    橋式電路中的誤啟動(dòng)是指由于MOSFET的VDS急劇變化引發(fā)VGS的波動(dòng),從而導(dǎo)致MOSFET發(fā)生意外導(dǎo)通的現(xiàn)象。
      ●    當(dāng)誤啟動(dòng)引發(fā)了直通電流時(shí),導(dǎo)通損耗會(huì)增加,因此有時(shí)候即使恢復(fù)特性出色也未必能夠獲得理想的損耗降低效果。
       
       
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