圖1 5V/3A參考設計

 

典型特征

 

●    4.5V至28V寬輸入電壓范圍

●    集成66mΩ和36mΩ MOSFET，用于3A連續輸出電流

●    2μA關斷電流，25μA靜態電流

●    內部5ms軟啟動

●    固定410kHz開關頻率

●    內部PWM和跳頻模式

●    峰值電流模式控制

●    內部回路補償

●    兩個MOSFET的過電流保護

●    過電壓保護

●    熱關機

●    -40℃至+125℃工作溫度范圍

●    綠色TSOT-23-6封裝

 

核心特點

 

抗過載特性是SGM61230最突出的特點之一。與市場同規格產品相比，SGM61230在遭遇過載情況時不會立即觸發打嗝或電流折返保護，能維持在最大峰值電流控制默認的狀態下持續輸出，確保系統在極限條件下可以持續提供負載輸出，直到產品熱保護，這極大地支撐了系統最大運行狀態，并防止系統突發負載輸出不夠而產生宕機現象。

 

這意味著在輕微過載情況下，SGM61230也能持續最大負載輸出，直到系統恢復正常負載。即便系統持續過載，SGM61230也會持續最大能力輸出，直到芯片熱保護或者負載解除。

 

同步的架構在內部集成了高側（66mΩ）和低側（36mΩ）MOSFET，較低的RON可以優化產品的輸出效率。芯片通過使用內部補償電壓控制高側MOSFET的關斷和低側MOSFET的開啟，實現對電流模式的控制。在每個周期中，開關電流會與由內部補償電壓產生的參考電流進行比較。當峰值開關電流與參考電流相交（Intersect）時，高側開關關閉。與此同時，當低側MOSFET打開時，傳導電流會受到內部電路監測。正常運行期間，低側MOSFET為負載提供源極電流（Source Current）。在每個時鐘周期結束時，將低側MOSFET源極電流與內部設定的低側源極電流限值進行比較。當電感谷電流超過低側源電流限值，在下一個周期內高側MOSFET不會導通，而低側MOSFET繼續保持導通。如下圖所示，當電感谷電流低于低側源極電流限制時，高側MOSFET會再次開啟。

 

圖2 通過MOSFET進行過電流保護

 

SGM61230雖采用410kHz固定頻率PWM控制方式，但得益于跳頻模式，其在輕載模式下也能實現高效率。具體而言，當電感峰值電流低于500mA時，芯片會認為負載是輕載且能根據負載電流情況逐漸降低開關頻率，從而實現輕載高效。表1及圖3、圖4的數據展示了這一特點。

 

表1 不同輸出電流時SGM61230效率

 

圖3 不同輸出電流時SGM61230效率曲線

 

圖4 SGM61230輕載時效率曲線

 

白色家電、機頂盒、數字電視、打印機、以及工業中的12V分布式電源總線供電是SGM61230的主要應用領域，憑借具備出色的抗過載性能、高效、小尺寸封裝等諸多優勢，正成為國產高性價比模擬芯片的首選物料。

 

 

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