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如何構建功能安全的小型48V、30kW MHEV電機驅動系統
減少溫室氣體(GHG)排放的全球性舉措推動了汽車的發展，要求汽車制造商提高新車動力總成的電氣化水平。輕混合動力電動汽車(MHEV)采用48V電機驅動系統來幫助減少內燃機(ICE) 的GHG排放，已成為實現合規性的極具吸引力的選擇，因為這種汽車的實現成本遠遠低于全混合動力電動汽車。本白皮書介紹如何使用DRV3255-Q1 48V BLDC電機驅動器在 MHEV 中實現汽車安全完整性等級D(ASIL D) 功能安全，同時提供高達 30kW 的電機功率和高集成度以幫助減小布板空間。
2022-01-25
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貿澤電子備貨豐富多樣的Murata產品
Murata是陶瓷無源電子元件、無線連接模塊和電源轉換技術設計和制造領域的全球先鋒。貿澤電子作為其全球授權分銷商，庫存有來自Murata Electronics、Murata Power Solutions及Murata IPDiA的19,000多種產品，并且還在不斷引入新的解決方案。
2022-01-21
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貿澤電子內容中心推出機器人專題，一站提供各類豐富資源及前沿產品
2022年1月20日 – 專注于引入新品并提供海量庫存?的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 在貿澤內容中心開辟了機器人專題，為工程師提供廣泛而深入的專業知識和內容，幫助其加快機器人設計速度。此專題包含一系列文章、博客、圖表和精選產品，重點介紹全球知名制造商的特色產品，以及如何將其解決方案合理實現到機器人應用和機器人過程自動化 (RPA) 解決方案中。要開始探索貿澤內容中心的機器人專題，請從導航菜單中選擇Applications（應用）中的Industrial（工業）板塊，并進入Robotics（機器人）專題；或者也可直接點擊https://resources.mouser.com/robotics。
2022-01-20
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如何加快設計和調試速度？具有突破性、可擴展、直觀易用的上電時序系統是關鍵！
各行各業的電子系統都變得越來越復雜，這已經不是什么秘密。至于這種復雜性如何滲透到電源設計中，卻不是那么明顯。例如，功能復雜性一般通過使用ASIC、FPGA和微處理器來解決，在更小的外形尺寸中融入更豐富的應用特性。
2022-01-20
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橋式電路的開關產生的電流和電壓
本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開關動作中，SiC MOSFET的VDS和ID的變化會產生什么樣的電流和電壓。
2022-01-19
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低邊開關導通時的Gate-Source間電壓的動作
上一篇文章中，簡單介紹了SiC MOSFET橋式結構中柵極驅動電路的開關工作帶來的VDS和ID的變化所產生的電流和電壓情況。本文將詳細介紹SiC MOSFET在LS導通時的動作情況。
2022-01-19
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貿澤電子2021年新增110家制造商合作伙伴產品分銷陣容再升級
2022年1月18日 – 專注于引入新品并提供海量庫存?的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布2021年新增供應商數再創記錄，達到了113家，產品分銷陣容進一步擴大，為廣大設計工程師與采購人員提供了更加多元化的選擇。貿澤為客戶提供各類先進的技術，以幫助設計人員避免代價高昂的重新設計、生產延誤甚至項目終止。
2022-01-18
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為什么貼片的開關穩壓器模塊能提高設計工程師的工作效率
制造商不愿意將錢花在現成的模塊上，而是參考控制IC的應用電路，使用分立器件搭建一個開關穩壓器安裝在電路板上。這種方法在理論上是有效的，但實際上卻存在一些問題。
2022-01-18
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ScaleFlux為高性能數據庫提供超密集的計算存儲解決方案
作為大規模部署計算存儲的領導者，ScaleFlux于近日宣布其旗艦CSD 2000解決方案與Supermicro的FatTwin?（一種高密度4U多節點系統）相契合——提供了一個完全集成的高性能、經濟高效的平臺，非常適合部署Redis on Flash (RoF)。
2022-01-17
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SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？
自舉式懸浮驅動電路可以極大的簡化驅動電源的設計，只需要一路電源就可以驅動上下橋臂兩個開關管的驅動，可以節省Si MOSFET功率器件方案的成本。隨著新能源受到全球政府的推動與支持，與新能源相關的半導體芯片需求激増，導致產能緊缺。綠色低碳技術創新應用是實現碳中和目標的重要一環，碳化硅是應用于綠色低碳領域的共用性技術，SiC MOSFET替代Si MOSEFET成為了許多廠商的新選擇。不過，SiC MOSFET的驅動與Si MOSFET到底有什么區別，替代時電路設計如何調整，是工程師非常關心的。我們《SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時如何實現負壓？》一文中已經分享了負壓自舉的小技巧。本文SiC MOSFET驅動常規自舉電路的注意事項。
2022-01-17
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SiC MOSFET的橋式結構
在探討“SiC MOSFET：橋式結構中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹，這也是這個主題的前提。
2022-01-17
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SiC MOSFET的柵極驅動電路和Turn-on/Turn-off動作
LS（低邊）側SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時的VDS和ID的變化方式不同。在探討SiC MOSFET的這種變化對Gate-Source電壓（VGS）帶來的影響時,需要在包括SiC MOSFET的柵極驅動電路的寄生分量在內的等效電路基礎上進行考量。
2022-01-17
- 安森美與舍弗勒強強聯手，EliteSiC技術驅動新一代PHEV平臺
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