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安森美的VE-TracTM SiC系列為電動車主驅逆變提供高能效、高功率密度和成本優勢
雙碳目標正加速推進汽車向電動化發展，半導體技術的創新助力汽車從燃油車過渡到電動車，新一代半導體材料碳化硅(SiC)因獨特優勢將改變電動車的未來，如在關鍵的主驅逆變器中采用SiC可滿足更高功率和更低的能效、更遠續航、更小損耗和更低的重量，以及向800 V遷移的趨勢中更能發揮它的優勢，但面臨成本、封裝及技術成熟度等多方面挑戰。安森美(onsemi)提供領先的智能電源方案，在SiC領域有著深厚的歷史積淀，是世界上少數能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商之一，其創新的VE TracTM Direct SiC和VE-TracTM B2 SiC方案采用穩定可靠的平面SiC技術，結合燒結技術和壓鑄模封裝，幫助設計人員解決上述挑戰，配合公司其他先進的智能功率電源半導體，加快市場采用電動車，助力未來的交通邁向可持續發展。
2022-07-07
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貿澤榮獲2021年度RECOM目錄分銷商獎
2022年7月6日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 很高興地宣布榮獲RECOM Power Inc.頒發的2021年度目錄分銷商獎。RECOM Power Inc.是一家專門生產AC/DC和DC/DC轉換器及開關穩壓器的電源制造商。在頒獎典禮上，RECOM表彰了貿澤在新產品引入和全球客戶增長方面的卓越表現。
2022-07-06
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分立式CoolSiC MOSFET的寄生導通行為研究
米勒電容引起的寄生導通常被認為是碳化硅MOSFET的弱點。為了避免這種效應，硬開關逆變器通常采用負柵極電壓關斷。但是，這對于CoolSiC?MOSFET真的是必要的嗎？
2022-07-06
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仿真看世界之SiC單管的開關特性
如下圖1是今年英飛凌新推出的一顆TO-247-3封裝的1200V/45m?的SiC MOSFET單管。假定該器件焊到PCB后，其管腳到器件內部芯片柵極、漏極和源極的雜散參數如下圖所示，其中VD1_Q1、VG1_Q1和VS2_Q1表示器件Q1外部管腳測到的信號，VD0_Q1、VG0_Q1和VS0_Q1表示器件Q1內部芯片的信號，芯片Q1內包含寄生電阻Rgint=4?。
2022-07-06
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如何正確理解SiC MOSFET的靜態和動態特性
CoolSiC? MOSFET集高性能、堅固性和易用性于一身。由于開關損耗低，它們的效率很高，因此可以實現高功率密度。但盡管如此，工程師需要了解器件的靜態和動態性能以及關鍵影響參數，以實現他們的設計目標。在下面的文章中，我們將為您提供更多關于這方面的見解。
2022-07-05
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安森美豐富的SiC方案解決新一代UPS的設計挑戰
隨著云計算、超大規模數據中心、5G應用和大型設備的不斷發展，市場對不間斷電源 (UPS)的需求保持高位，且正在往小型化、高容量化、高效化發展，設計人員面臨如何在性能、能效、尺寸、成本、控制難度之間權衡取舍的挑戰，安森美(onsemi)基于新一代半導體材料碳化硅(SiC)的方案，有助于變革性地優化UPS設計。
2022-07-04
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Trinamic步進電機控制模塊助力抗擊瘧疾
瘧疾是世界上最致命的傳染病之一。這種疾病在亞洲、非洲和南美洲的熱帶地區十分常見，越早診斷，越能有效治療。標準瘧疾檢測需要由訓練有素的技術人員在顯微鏡下檢測血液樣本，以確認是否存在瘧原蟲，以及瘧原蟲的數量和類型。僅在印度，每年就會進行1.75億次瘧疾檢測。
2022-07-04
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Spectricity在X-FAB部署專有技術，為移動設備帶來光譜成像功能
中國北京，2022年6月29日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，與專注多光譜成像技術研發的半導體設計公司Spectricity攜手，推出獨特成像解決方案。來自Spectricity的專有光譜成像技術已部署在X-FAB工藝平臺的量產設備中；此舉將首次實現移動設備光譜圖像傳感器的低成本制造。
2022-07-02
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貿澤電子連續第五年榮獲Littelfuse年度全球分銷商獎
2022年6月30日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 榮獲Littelfuse頒發的2021年度全球卓越服務分銷商獎。Littelfuse是一家致力于打造一個可持續發展、互聯互通和更安全世界的工業技術制造公司。這是貿澤連續第5年、歷年來第11次獲得這項大獎。
2022-07-02
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貿澤電子榮獲Bourns 2021年度全球電子商務分銷商大獎
2022年6月28日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子(Mouser Electronics) ?自豪地宣布榮獲業界知名電子元件制造商和供應商Bourns? Inc頒發的2021年度電子商務分銷商大獎。這個大獎旨在表彰貿澤通過其卓越的設計創新能力，在電子商務中取得的銷售成功和業績增長。
2022-07-01
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SiC FET的起源及其向著完美開關發展的歷程
使用寬帶隙半導體作為高頻開關為實現更高的功率轉換效率提供了有力支持。一個示例是，碳化硅開關可以實施為SiC MOSFET或以共源共柵結構實施為SiC FET。本白皮書追溯了SiC FET的起源和發展，直至最新一代產品，并將其性能與替代技術進行了比較。
2022-07-01
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在IC電源管理這個新領域，有哪些物聯網最佳應用？
本文探討物聯網(IoT)電池技術。將描述設計人員面臨的一些電源問題，以及ADI公司提供的解決方案。這些解決方案非常高效，可以幫助克服物聯網設備中的其他問題，包括尺寸、重量和溫度。
2022-06-28
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