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IIC Shanghai 2025 峰會論壇議程曝光，這些關鍵議題值得重點關注
本次大會深度聚焦綠色能源生態、中國IC設計創新、EDA/IP、Chiplet、寬禁帶半導體等熱門賽道，直擊產業核心議題：AI與機器學習時代，IC設計的革新；高可靠、低延遲存儲方案如何重塑智能汽車、AR/VR等場景的極致體驗；Chiplet技術在多芯片封裝的實踐探索；綠色芯動力：可持續技術在IC設計中的崛起等，匯聚全球頂尖的半導體企業與創新力量，覆蓋設計-制造-封測-應用，激發合作新思路，助力精準對接目標企業，共同推動全球半導體產業的繁榮發展。
2025-03-19
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富昌電子榮獲Diodes授予的“2024年度亞洲最佳分銷商獎”
中國上海–2025年3月13日–近日，全球知名的電子元器件授權代理商富昌電子（Future Electronics）榮獲Diodes 公司頒發的“2024年度亞洲最佳分銷商獎（Asia Best Distributor Award 2024）”。該獎項旨在表彰富昌電子在2024年度亞洲市場出色的業績表現，及雙方緊密的戰略合作伙伴關系。
2025-03-18
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鎧俠參展CFMS 2025：布局下一代先進存儲，持續助力高能AI
3月12日，全球領先的存儲解決方案提供商鎧俠參展中國閃存市場峰會CFMS 2025/MemoryS 2025，在現場針對人工智能 AI應用提出了全新的存儲解決方案，并預告了全新一代的QLC企業級與數據中心級SSD，以及下一代BiCS FLASH?，為云端計算、大模型加速，提供了高效、可靠的先進存儲解決方案。
2025-03-18
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第17講：SiC MOSFET的靜態特性
商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強，在結構上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態特性。
2025-03-17
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工業應用中輔助電源技術綜述
本文介紹了工業應用輔助電源解決方案，包括兩級式輔助電源架構和各種拓撲結構。第一級輔助電源通常使用反激拓撲，英飛凌的1700V CoolSiC? SiC MOSFET可以幫助客戶簡化設計。第二級輔助電源可以使用LLC、推挽式或全橋式拓撲，英飛凌的2EP1XXR系列驅動IC可以提供簡單靈活的解決方案。
2025-03-17
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為什么碳化硅Cascode JFET?可以輕松實現硅到碳化硅的過渡？
電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇，但碳化硅器件憑借其優異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術優勢（圖1），這使其在電動汽車、數據中心，以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能源基礎設施領域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術。
2025-03-11
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貿澤電子與NXP聯合推出全新電子書，提供有關電動汽車電機控制的專業觀點
專注于推動行業創新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿澤電子貿澤宣布與NXP Semiconductors合作推出全新電子書，探討工業和汽車等系統的電氣化對于電機控制技術進步和創新的高依賴度。高效的電機控制系統對于實現出色的電動汽車 (EV) 性能至關重要。NXP的新電子書展示了設計工程師如何減少功率損耗并改善系統效率，以提高電動汽車的可靠性、行駛里程和安全性。
2025-03-11
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SiC JFET并聯的五大難題，破解方法終于來了！
隨著Al 相關的工作負載日益復雜且能耗不斷提升，能夠兼具高能效與高壓處理能力的可靠硅碳化物（SiC）JFET 變得愈發關鍵。在此背景下，安森美（onsemi）的SiC Cascode JFET技術成為了焦點。本文將深入剖析安森美SiC Cascode JFET，涵蓋Cascode（共源共柵）結構的關鍵參數解析、并聯振蕩現象的探討，以及實用的設計指導原則。接下來，文章將進一步闡述在并聯應用中面臨的挑戰。
2025-03-10
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2025上海慕展：安芯易攜萬元“芯”意而來，亮點搶先看！
15場科技論壇，讓展會更有“深”度 作為全球電子科技領域的頂級展會之一，慕尼黑上海電子展（electronica China）已走過20年的輝煌歷程，它不僅是電子科技創新與技術交流的頂級平臺，更是匯聚全球智慧力量的科技盛宴。
2025-03-06
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安森美擬以每股35.10美元現金收購Allegro MicroSystems
安森美于美國時間3月5日披露了向Allegro MicroSystems, Inc. (以下簡稱"Allegro") （美國納斯達克股票代號：ALGM）董事會提交的收購提案的詳情，以每股35.10美元的現金收購Allegro的所有已發行普通股，按完全稀釋后的股本計算，對應的隱含企業價值為69億美元。
2025-03-06
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SiC JFET并聯難題大揭秘，這些挑戰讓工程師 “頭禿”！
隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內容包括Cascode（共源共柵）關鍵參數和并聯振蕩的分析，以及設計指南。本文為第一篇，聚焦Cascode產品介紹、Cascode背景知識和并聯設計。
2025-03-06
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第16講：SiC SBD的特性
SiC SBD具有高耐壓、快恢復速度、低損耗和低漏電流等優點，可降低電力電子系統的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發電及新能源汽車等多種應用，本文介紹SiC SBD的靜態特性和動態特性。
2025-03-03
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