-
使用 SiC JFET 接近完美開關
碳化硅 (SiC) JFET堅固耐用，具有高能量雪崩和短路耐受額定值，而且值得注意的是，它們在每單位芯片面積的 FOM 導通電阻R DS(on) × A方面擊敗了所有其他技術，實現了價值接近材料的理論極限（圖 1）。這個品質因數直接關系到開關的實際性能及其經濟性，與競爭技術相比，每個晶圓的芯片數量更多，性能相當。
2022-12-16
-
Vicor攜手貿澤推出以48V設計為主題的全新資源網站
2022年12月14日 – 專注于推動行業創新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Vicor聯手推出一個全新的資源網站，提供各種面向48V產品和電源設計的資源。該網站包含一系列深入詳細的文章、視頻和信息圖，為設計人員和制造商提供了全面的資源，助其開發采用48V較高壓配電系統的新型電源。
2022-12-14
-
數字電容器 IC 如何簡化天線調諧？
天線調諧要求的源阻抗和負載阻抗共軛匹配，從無線技術誕生開始一直延續至今，而今已經演變成一種新的、更具挑戰性的形式。
2022-12-14
-
安森美智能電源產品斬獲中國“2022年Top 10電源產品獎”多項殊榮
領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布其創新的智能電源產品在“2022年Top 10電源產品獎”評選中榮獲多項獎項。其中，APM32系列汽車碳化硅功率模塊獲“2022 Top 10電源產品獎”，汽車主驅碳化硅功率模塊VE-Trac? Direct SiC獲“最佳應用獎”，高功率圖騰柱PFC控制器NCP1681獲“綠色節能獎”。“Top 10電源產品獎”由21IC中國電子網主辦，備受行業認可，獲得該殊榮的產品代表其在本年度具有極高的產品力和技術創新能力。
2022-12-13
-
SiC MOSFET和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業的技術服務，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產品設計周期。在第三代半導體的實際應用領域，富昌電子結合自身的技術積累和項目經驗，落筆于SiC相關設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考，并期待與您進一步的交流。
2022-12-13
-
橋式結構中的柵極-源極間電壓的行為：關斷時
具有驅動器源極引腳的SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的SiC MOSFET產品相比，在橋式結構情況下的柵-源電壓的行為不同。在上一篇文章中，我們介紹了LS（低邊）SiC MOSFET導通時的行為。本文將介紹低邊SiC MOSFET關斷時的行為。
2022-12-12
-
實現測試測量突破性創新，采用ASIC還是FPGA？
作為世界創新的幕后英雄，特別是在電子器件和通信技術方面，工程師們要開發測試設備，驗證這些新技術，以把新技術推向市場。這些工程師必須運行尖端技術，處理預測行業和創新未來的挑戰。在開創未來的過程中，測試測量工程師面臨的基礎性創新挑戰之一，是確定設計中采用專用集成電路(ASIC)還是現場可編程門陣列(FPGA)。
2022-12-09
-
高可靠性電容式MEMS麥克風在車載中的應用
采用MEMS技術制造的電容式硅麥克風在小型化、性能、可靠性、環境耐受性、成本及量產能力上與ECM（Electret Capacitance Microphone）相比具有巨大優勢，一經推出變迅速占領手機、PDA（Personal Digital Assistant）、耳機等消費電子產品市場。
2022-12-09
-
聚焦器件可靠性、柵極驅動器創新和總體系統解決方案
碳化硅（SiC）技術能在大幅提高當前電力系統效率的同時降低其尺寸、重量和成本，因此市場需求不斷攀升。但是SiC解決方案并不是硅基解決方案的直接替代品，它們并非完全相同。為了實現SiC技術的愿景，開發人員必須從產品質量、供貨情況和服務支持等各個方面仔細評估多家產品和供應商，并了解如何優化不同SiC功率組件到其最終系統的集成。
2022-12-09
-
汽車IC分類一張圖，國際大廠與中國步伐有差異
汽車IC就是車規級產品，滿足汽車質量管理體系，符合可靠性和功能安全要求的集成電路。中國汽車芯片產業創新戰略聯盟（以下簡稱“聯盟”）在2020年發布了《純電動乘用車車規級芯片一般要求》團體標準，將汽車半導體分為10個大類和60個小類，10個大類分別包括控制芯片、存儲芯片、計算芯片、信息安全芯片、驅動芯片、通信芯片、功率芯片、電源芯片、模擬芯片以及傳感器。
2022-12-09
-
恒流負載導致的啟動故障
內置折返式限流電路的線性穩壓器IC，在IC啟動前輸出端被施加恒流負載時，可能會出現無法啟動的問題。
2022-12-08
-
提高電源轉換器性能的低 RDS(on) SiC FET（SiC FET 架構顯示出多項優勢）
近年來隨著高性能計算需求的持續增長，HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器）總線接口被應用到越來越多的芯片產品中，然而HBM的layout實現完全不同于傳統的Package/PCB設計，其基于2.5D interposer的設計中，由于interposer各層厚度非常薄且信號線細，使得直流損耗、容性負載、容性/感性耦合等問題嚴重，給串擾和插損指標帶來了非常大的挑戰。
2022-12-08
- 研華AMAX革新城式：三合一平臺終結工業控制“碎片化”困局
- 安勤雙劍出鞘：HPS-ERSU4A工作站+MAB-T660邊緣AI重塑精準醫療
- 【工程師必看】貿澤上新：三分鐘搞定FTTH終端的光纖快速接頭方案
- 顛覆UWB設計！Abracon沖壓金屬天線實現79ps時延精度
- 變壓器技術全景圖：從電磁感應到平面革命
- 體積減半性能翻倍！Nexperia CFP15B封裝重塑功率晶體管天花板
- 國產突圍！谷泰微GT4321以250ps延遲刷新USB/音頻切換性能紀錄
- 安森美與英偉達強強聯手，800V直流方案賦能AI數據中心能效升級
- 安森美與舍弗勒強強聯手，EliteSiC技術驅動新一代PHEV平臺
- 變壓器技術全景圖：從電磁感應到平面革命
- 國產MCUGD32E235如何破局家電變頻控制？全場景高能效方案拆解
- 厘米級世界鏡像：移動測繪的技術突圍與場景革命
- 車規與基于V2X的車輛協同主動避撞技術展望
- 數字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
