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如何利用英飛凌MOTIX? embedded power硬件機(jī)制標(biāo)定小電機(jī)ECU
英飛凌MOTIX? MCU專為實(shí)現(xiàn)一系列電機(jī)控制應(yīng)用的機(jī)電電機(jī)控制解決方案而設(shè)計(jì)，在這些應(yīng)用中，小尺寸封裝和最少數(shù)量的外部組件是必不可少的，包括但不限于：車窗升降器，天窗，雨刮器 ，燃油泵，HVAC風(fēng)扇，發(fā)動(dòng)機(jī)冷卻風(fēng)扇，水泵。由于電機(jī)量產(chǎn)的參數(shù)的非一致性。需要對(duì)這些小電機(jī)進(jìn)行產(chǎn)線級(jí)別標(biāo)定。以下是一些適配MOTIX? MCU 硬件特性的標(biāo)定方法參考。
2024-11-12
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司勝訴，美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)終裁確認(rèn)英諾賽科侵權(quán)
宜普電源轉(zhuǎn)換公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC, 以下簡(jiǎn)稱宜普公司）今日宣布美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)（U.S. International Trade Commission, ITC）全體委員會(huì)維持此前的初步裁定，確認(rèn)英諾賽科侵犯了宜普公司的核心氮化鎵技術(shù)專利。該相關(guān)專利對(duì)人工智能、衛(wèi)星、快速充電器、仿人機(jī)器人、自動(dòng)駕駛以及其他許多技術(shù)的發(fā)展均至關(guān)重要。美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)決定禁止英諾賽科（珠海）科技有限公司（Innoscience (Zhuhai) Technology Company Co., Ltd.）和其子公司（以下簡(jiǎn)稱英諾賽科）在未獲宜普公司授權(quán)的情況下將相關(guān)氮化鎵產(chǎn)品進(jìn)口至美國(guó)。
2024-11-11
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基于GPU器件行為的創(chuàng)新分布式功能安全機(jī)制為智能駕駛保駕護(hù)航
隨著汽車智能化程度的快速提高，大量新的處理器和系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）被廣泛引入到車輛中，無論是在駕駛還是座艙等場(chǎng)景，無論采用域控制器模式還是新興的中央控制單元模式，都無一例外地在考慮加入更加智能化的新功能。但是隨之而來的是這些控制單元中的相關(guān)芯片的系統(tǒng)級(jí)故障或意外行為可能引起的危險(xiǎn)，因此需要發(fā)現(xiàn)這些故障或可能的意外并提供相應(yīng)的保護(hù)措施，這個(gè)過程就是為汽車芯片建立和提供功能安全（Functional Safety，亦簡(jiǎn)稱FuSa）解決方案。
2024-10-12
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意法半導(dǎo)體與高通達(dá)成無線物聯(lián)網(wǎng)戰(zhàn)略合作
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 與高通公司旗下子公司高通技術(shù)國(guó)際有限公司（Qualcomm Technologies International, Ltd，簡(jiǎn)稱QTI）近日宣布，雙方達(dá)成一項(xiàng)新的戰(zhàn)略協(xié)議，合作開發(fā)基于邊緣 AI的下一代工業(yè)和消費(fèi)物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
2024-10-11
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貿(mào)澤推出全新一期EIT系列 探索可持續(xù)智能電網(wǎng)的技術(shù)創(chuàng)新
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 發(fā)布Empowering Innovation Together (共求創(chuàng)新，EIT) 計(jì)劃全新一期技術(shù)內(nèi)容，探討將可再生能源納入智能電網(wǎng)技術(shù)的好處，并重點(diǎn)介紹AI和5G在實(shí)現(xiàn)可持續(xù)電網(wǎng)管理中的作用。
2024-09-25
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貿(mào)澤電子對(duì)FIRST創(chuàng)始人兼發(fā)明家Dean Kamen進(jìn)行視頻專訪
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 很高興推出與工程師、發(fā)明家兼FIRST? (For Inspiration and Recognition of Science and Technology) 創(chuàng)始人Dean Kamen的視頻專訪。這家非營(yíng)利機(jī)構(gòu)致力于通過機(jī)器人實(shí)踐項(xiàng)目，推動(dòng)青少年的科學(xué)、技術(shù)、工程與數(shù)學(xué) (STEM) 教育。自2014年以來，貿(mào)澤一直是FIRST的主要贊助商之一，協(xié)助該機(jī)構(gòu)每年持續(xù)激發(fā)數(shù)十萬年輕人的創(chuàng)新靈感，培養(yǎng)他們?nèi)娴腟TEM和生活技能。
2024-09-09
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2024CIOE中國(guó)光博會(huì) | 傲科光電邀您相約12A59展位！
匯聚全球光電科技，盡在中國(guó)深圳光電博覽會(huì)(CIOE)。本屆CIOE將于2024年9月11-13日在深圳國(guó)際會(huì)展中心(寶安新館)隆重舉辦。在這個(gè)全球光電科技匯聚的盛會(huì)上，傲科光電將展示業(yè)界領(lǐng)先的400G/800G/1.6T 應(yīng)用的全系列Driver、TIA及硅光解決方案。
2024-09-09
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什么是IGBT的退飽和（desaturation）？ 什么情況下IGBT會(huì)進(jìn)入退飽和狀態(tài)？
這要從IGBT的平面結(jié)構(gòu)說起。IGBT和MOSFET有類似的器件結(jié)構(gòu)，MOS中的漏極D相當(dāng)于IGBT的集電極C，而MOS的源極S相當(dāng)于IGBT的發(fā)射極E，二者都會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象。下圖所示是一個(gè)簡(jiǎn)化平面型IGBT剖面圖，以此來闡述退飽和發(fā)生的原因。柵極施加一個(gè)大于閾值的正壓VGE，則柵極氧化層下方會(huì)出現(xiàn)強(qiáng)反型層，形成導(dǎo)電溝道。
2024-08-30
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可調(diào)速工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器有哪些不同類型
本文簡(jiǎn)要介紹了 VSD 和 VFD 的常用定義，并探討了廣泛使用 VFD 的原因。然后，回顧了 IEC 61800-9 中為交流驅(qū)動(dòng)器定義的效率等級(jí)，并介紹了 Delta Electronics、Siemens、Schneider Electric 和 Omron Automation 提供的典型市電供電型 VFD，最后還以 MEAN WELL 的示例系統(tǒng)為例，探討了 VFD 在 AMR 和其他電池供電型系統(tǒng)中的應(yīng)用。
2024-08-13
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西門子Xcelerator即服務(wù)助力松下進(jìn)行家電開發(fā)數(shù)字化轉(zhuǎn)型
西門子支持全球領(lǐng)先的電子產(chǎn)品制造商松下電器將產(chǎn)品開發(fā)和設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)管理轉(zhuǎn)移到軟件即服務(wù)(SaaS)模式,作為其數(shù)字化轉(zhuǎn)型(DX)策略——“松下轉(zhuǎn)型”(Panasonic Transformation – PX)的一部分
2024-08-06
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半導(dǎo)體后端工藝｜第九篇：探索不同材料在傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝中的作用
可靠性和穩(wěn)定性是保障半導(dǎo)體產(chǎn)品順暢運(yùn)行的關(guān)鍵因素。半導(dǎo)體器件的封裝必須注意避免受到物理、化學(xué)和熱損傷。因此，封裝材料必須具備一定的質(zhì)量要求。隨著業(yè)界對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)品運(yùn)行速度的要求不斷提高，封裝材料需要具備更優(yōu)異的電氣性能，比如具備低介電常數(shù)（Permittivity）1和介電損耗（Dielectric Loss）2的基板等。
2024-08-02
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全新Reality AI Explorer Tier，免費(fèi)提供強(qiáng)大的AI/ML開發(fā)環(huán)境綜合評(píng)估“沙盒”
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）宣布推出Reality AI Explorer Tier——作為Reality AI Tools?軟件的免費(fèi)版本，可用于開發(fā)工業(yè)、汽車和商業(yè)應(yīng)用中的AI與TinyML解決方案。
2024-07-17
- 高精度低噪聲 or 大功率強(qiáng)驅(qū)動(dòng)？?jī)x表放大器與功率放大器選型指南
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