-
IGBT驅(qū)動(dòng)電路的選擇
目前，IGBT驅(qū)動(dòng)電路的選擇在當(dāng)代的應(yīng)用可謂是越來越廣泛，IGBT驅(qū)動(dòng)電路的選擇是值得我們好好學(xué)習(xí)的，現(xiàn)在我們就深入了解IGBT驅(qū)動(dòng)電路的選擇。
2014-09-22
-
IGBT驅(qū)動(dòng)電路中柵極電阻Rg的作用及選取方法
現(xiàn)在科技迅速在發(fā)展當(dāng)中，本文我們?yōu)榇蠹疑钊胫v解IGBT驅(qū)動(dòng)電路中柵極電阻Rg的作用及選取方法與目前國內(nèi)其他產(chǎn)品相比的優(yōu)勢，希望對大家有所幫助。
2014-09-22
-
技術(shù)詳解：新一代場截止陽極短路IGBT
本文介紹以類似MOSFET的方式內(nèi)嵌固有體二極管的最新一代陽極短路IGBT。與最佳競爭產(chǎn)品和前代產(chǎn)品相比，該器件具有Eoff較小的特性。總之，新器件使得FS IGBT更適用于不需要高性能反向并聯(lián)二極管的軟開關(guān)應(yīng)用。
2014-08-28
-
一種可實(shí)現(xiàn)IGBT平滑切換的不對稱輸出的方法
IGBT在電力電子領(lǐng)域發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，是不可或缺的組成部分。還廣泛應(yīng)用于高電壓、大功率負(fù)載切換。在這種情況下，必須使用具有良好絕緣性能的隔離電源轉(zhuǎn)換器，以確保綠色能源要求，能夠安全可靠地為我們服務(wù)。那么如何實(shí)現(xiàn)IGBT平滑切換的不對稱輸出呢？本文將為大家講解。
2014-04-15
-
對于IGBT系統(tǒng)的電路保護(hù)新型與傳統(tǒng)型的較量
IGBT作為功率器件廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、電力電子系統(tǒng)等領(lǐng)域。為使我們設(shè)計(jì)的系統(tǒng)能夠更安全、更可靠的工作，對IGBT的保護(hù)顯得尤為重要。那么新型保護(hù)電路與傳統(tǒng)的保護(hù)電路又有那些根本上的不同呢？
2014-03-26
-
IGBT保護(hù)電路的主要內(nèi)容
失效隨著IGBT在國內(nèi)的迅猛發(fā)展，IGBT保護(hù)電路在各行業(yè)中的應(yīng)用越來越多，由于IGBT保護(hù)電路失效機(jī)理很多人不明白它的失效防護(hù)，本文對此作一闡述。
2014-03-22
-
匯總常用IGBT及MOSFET器件隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)
MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu)，直流電不能通過，因而低頻的表態(tài)驅(qū)動(dòng)功率接近于零。但是柵極和源極之間構(gòu)成了一個(gè)柵極電容Cgs，因而在高頻率的交替開通和需要關(guān)斷時(shí)需要一定的動(dòng)態(tài)驅(qū)動(dòng)功率。本文匯總了一些常用IGBT及MOSFET器件隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)，給大家分享分享！
2014-03-04
-
頂級分享！讓IGBT跑的更快小竅門！
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。那么如何讓IGBT性能更好，跑的更快呢？請看本文分享~
2014-02-16
-
實(shí)例解析IGBT對EMC影響的兩大技術(shù)問題
在電子元件技術(shù)網(wǎng)論壇中，網(wǎng)友碰到兩道棘手的技術(shù)問題，曾經(jīng)查找很多技術(shù)資料都無法解決，故網(wǎng)友將自己的疑惑分享在論壇中，期望個(gè)中高手幫忙解答。此問題均是跟EMC有關(guān)，是網(wǎng)友在工作中碰到的實(shí)際問題。如今小編將問題陳列出來，望廣大EMC高手幫忙解答！
2014-02-12
-
省電專家：如何降低電磁爐應(yīng)用中的IGBT損耗
近年來，人們使用的電器產(chǎn)品數(shù)量不斷增多，致使每個(gè)家庭內(nèi)的總能耗穩(wěn)步上升，不僅大多數(shù)西方國家是這樣，新興國家亦是如此。與這些能耗相關(guān)的成本也已經(jīng)增 加，因?yàn)槿剂腺Y源變得更為緊缺，公用事業(yè)公司因此而漲價(jià)。為了將從電網(wǎng)獲得的功率提升至最高，并因此使電費(fèi)賬單支出受控及減少碳排放，付出更多努力來為室 內(nèi)環(huán)境開發(fā)更高能效的電器就至關(guān)重要了。
2014-01-21
-
將應(yīng)用在電磁感應(yīng)加熱中的IGBT的功率損耗降到最低
近年來，人們使用的電器產(chǎn)品數(shù)量不斷增多，致使每個(gè)家庭內(nèi)的總能耗穩(wěn)步上升，不僅大多數(shù)西方國家是這樣，新興國家亦是如此。與這些能耗相關(guān)的成本也已經(jīng)增加，因?yàn)槿剂腺Y源變得更為緊缺，公用事業(yè)公司因此而漲價(jià)。為了將從電網(wǎng)獲得的功率提升至最高，并因此使電費(fèi)賬單支出受控及減少碳排放，付出更多努力來為室內(nèi)環(huán)境開發(fā)更高能效的電器就至關(guān)重要了。
2013-12-19
-
安森美半導(dǎo)體IGBT，實(shí)現(xiàn)高能效的高性能開關(guān)應(yīng)用
針對不同應(yīng)用選擇合適的IGBT實(shí)現(xiàn)高能效的器件，安森美半導(dǎo)體提供了豐富的分立式IGBT方案，廣泛用于電磁爐、不間斷電源(UPS )、太陽能逆變器和逆變電焊機(jī)等領(lǐng)域。
2013-11-21
- 國產(chǎn)芯片與系統(tǒng)深度融合！兆易創(chuàng)新聯(lián)袂普華軟件破局汽車電子
- 揭秘未來勞動(dòng)力：貿(mào)澤與Molex新電子書解析機(jī)器人技術(shù)變革
- 臺(tái)積電大陸芯片生產(chǎn)遇阻，美國豁免撤銷加速國產(chǎn)替代進(jìn)程
- 2025年Q2全球DRAM營收突破316億美元，創(chuàng)近年單季最高漲幅
- 200W開關(guān)功率：Pickering 600系列繼電器通吃高壓高能場景
- 安森美亮相PCIM Asia 2025，帶來汽車、工業(yè)及AI數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)盛宴
- 中國電子展組委會(huì)聯(lián)袂電子制造產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟：四地探企，智啟新程
- 單對以太網(wǎng)新突破：10BASE-T1L實(shí)現(xiàn)千米級工業(yè)通信傳輸
- 電子電路無聲衛(wèi)士：扼流線圈技術(shù)演進(jìn)、應(yīng)用生態(tài)與全球供應(yīng)鏈格局
- 未來工廠：利用搭載人工智能的傳感器在邊緣做出決策——第2部分
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
