電動(dòng)汽車(chē)逆變器用IGBT驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)及可用性測(cè)試

電動(dòng)汽車(chē)逆變器用于控制汽車(chē)主電機(jī)為汽車(chē)運(yùn)行提供動(dòng)力，IGBT功率模塊是電動(dòng)汽車(chē)逆變器的核心功率器件，其驅(qū)動(dòng)電路是發(fā)揮IGBT性能的關(guān)鍵電路。驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與工業(yè)通用變頻器、風(fēng)能太陽(yáng)能逆變器的驅(qū)動(dòng)電路有更為苛刻的技術(shù)要求，其中的電源電路受到空間尺寸小、工作溫度高等限制，面臨諸多挑戰(zhàn)。本文設(shè)計(jì)一種驅(qū)動(dòng)供電電源，并通過(guò)實(shí)際測(cè)試證明其可用性。

2016-11-16

MOSFET靠什么進(jìn)軍IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域？

兩個(gè)主要類(lèi)型的功率晶體管：MOSFET和IGBT非常流行，它們?cè)陔娫聪到y(tǒng)設(shè)計(jì)中已經(jīng)使用了多年，因此，很容易假定它們之間的差異一直保持不變。本文通過(guò)解釋最新一代MOSFET和IGBT的工作特性，使用戶能夠更好地了解最能滿足應(yīng)用需求的最合適的器件類(lèi)型，并解釋了目前的功率晶體管選擇的灰色區(qū)域。

2016-09-18

基于兩級(jí)電流變化率檢測(cè)IGBT模塊短路的策略

為了解決傳統(tǒng)VCE在檢測(cè)大功率絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊的短路故障時(shí)存在的問(wèn)題，在分析了IGBT短路特性的基礎(chǔ)上，提出了一種基于兩級(jí)電流變化率(di/dt)檢測(cè)IGBT兩類(lèi)短路故障的策略。

2016-08-24

三菱電機(jī)IGBT和IPM比翼齊飛，力保市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)地位

三菱電機(jī)半導(dǎo)體首席技術(shù)官GourabMajumdar博士，在PCIM Asia 2016展會(huì)期間提到，三菱電機(jī)的功率半導(dǎo)體模塊（包括其在美國(guó)合資企業(yè)Powerex）2014年和2015年的銷(xiāo)售額大約在4.3兆日元至4.4兆日元，約占全球總銷(xiāo)量的23%，位居功率模塊市場(chǎng)首位。

2016-07-07

DC/DC加強(qiáng)絕緣方案解決變頻器母線電壓監(jiān)測(cè)難題

變頻器廣泛應(yīng)用于工業(yè)運(yùn)動(dòng)控制，電力，新能源，電梯，空調(diào)，機(jī)械制造等行業(yè)，它通過(guò)對(duì)工作頻率的控制和改變，讓設(shè)備運(yùn)行的更加高效節(jié)能，從而得以大量應(yīng)用。由于變頻器中的電力電子器件例如IGBT快速的開(kāi)關(guān)導(dǎo)致的dv/dt干擾，使得變頻器母線電壓監(jiān)測(cè)問(wèn)題變得非常困難，本文主要針對(duì)這一問(wèn)題進(jìn)行分析，并提出解決方案。

2016-06-27

安森美汽車(chē)電子龐大銷(xiāo)售市場(chǎng)帶動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)需求與日俱增

3月中旬，安森美在上海舉辦一場(chǎng)汽車(chē)電子產(chǎn)品線路巡演，展示其半導(dǎo)體產(chǎn)品的路線圖和市場(chǎng)趨勢(shì)。根據(jù)安森美提供的資料顯示，去年的年收入達(dá)到了35億美元，其中汽車(chē)電子占了33%，可以說(shuō)，汽車(chē)電子帶來(lái)的穩(wěn)定收入足以讓安森美在行業(yè)不景氣的大環(huán)境下高枕無(wú)憂。他們對(duì)于的半導(dǎo)體需求傳感器、功率器件、圖像傳感器、通信接口、IGBT、保護(hù)器件、無(wú)線充電、車(chē)載網(wǎng)絡(luò)、馬達(dá)控制、LED驅(qū)動(dòng)和電源管理IC也是與日俱增。

2016-04-01

詳解三種為IGBT“保駕護(hù)航”的驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)方法

本文著重介紹了三個(gè)為IGBT“保駕護(hù)航”的驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路的作用是將單片機(jī)輸出的脈沖進(jìn)行功率放大，以驅(qū)動(dòng)IGBT，保證IGBT的可靠工作，驅(qū)動(dòng)電路起著至關(guān)重要的作用，對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)電路的基本要求如下。

2016-01-06

專家解析：提高逆變效率的變壓器拓?fù)浞椒?/a>

提高晶閘管dV/dt耐受性的設(shè)計(jì)訣竅，你知道嗎？

晶閘管(SCR)是一種半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件。早在1956年，Moll等人就發(fā)表了這種開(kāi)關(guān)器件的理論基礎(chǔ)。盡管低功率器件在當(dāng)代開(kāi)關(guān)領(lǐng)域已基本銷(xiāo)聲匿跡，并被高壓雙極結(jié)型晶體管(BJT)、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)及絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等所取代，但它們?cè)谡淄呒?jí)開(kāi)關(guān)器件領(lǐng)域仍無(wú)可替代，例如2kA、1.2kV的SCR就被應(yīng)用于機(jī)車(chē)驅(qū)動(dòng)器中，或用來(lái)控制鋁材生產(chǎn)廠中的電爐等。

2015-12-07

對(duì)比分析：DC-DC變換器的硬開(kāi)關(guān)MOS和IGBT損耗對(duì)比

DC-DC變換器具有兩種啟動(dòng)運(yùn)行方式，分別是硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)。但是硬開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)盒關(guān)斷兩種損耗是不同的。具體損耗的程度我們來(lái)看一下這兩種損耗的對(duì)比分析。

2015-08-17

解析：IGBT的驅(qū)動(dòng)過(guò)流保護(hù)電路的設(shè)計(jì)方案

本文針對(duì)IGBT的驅(qū)動(dòng)過(guò)流保護(hù)問(wèn)題，設(shè)計(jì)出模塊驅(qū)動(dòng)過(guò)流保護(hù)電路、分離元件驅(qū)動(dòng)過(guò)流保護(hù)電路。文中詳細(xì)分析了兩種不同的驅(qū)動(dòng)過(guò)流保護(hù)電路的工作原理和優(yōu)缺點(diǎn)。下面就跟小編一起回顧。

2015-07-22

行家指點(diǎn)迷津：精準(zhǔn)選擇電動(dòng)汽車(chē)的IGBT緩沖電路

電動(dòng)汽車(chē)已經(jīng)憑借方便快捷的優(yōu)勢(shì)進(jìn)入了千家萬(wàn)戶。但是電動(dòng)汽車(chē)能源問(wèn)題依舊沒(méi)有解決。本文就由行家為我們指點(diǎn)迷津，精準(zhǔn)選擇電動(dòng)汽車(chē)DC-DC變換器緩沖器，看看電動(dòng)汽車(chē)變換器應(yīng)該選擇什么樣的IGBT緩沖電路更合適。

2015-07-14