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如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能
MOSFET作為主要的開(kāi)關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用，分析了MOSFET損耗特點(diǎn)，提出了優(yōu)化方法；并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。
2016-06-27
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三菱電機(jī)攜八款功率器件在PCIM Asia 2016隆重登場(chǎng)
三菱電機(jī)今年繼續(xù)以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來(lái)”為主題， 攜帶八款新型功率器件，于6月28至30日在上海世博展覽館舉行的PCIM Asia 2016(上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì))中登場(chǎng)，向公眾展示其在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)上的非凡實(shí)力(三菱電機(jī)展位號(hào)：B15)。
2016-06-24
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三菱電機(jī)確認(rèn)出席PCIM亞洲展2016
2016年6月28日至6月30日，三菱電機(jī)半導(dǎo)體大中國(guó)區(qū)將攜帶8款新型功率模塊，亮相在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2016(展位號(hào)B15)。本屆，三菱電機(jī)還將繼續(xù)以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來(lái)”為宗旨，圍繞變頻家電、工業(yè)新能源、鐵道牽引·電動(dòng)汽車(chē)以及SiC器件等領(lǐng)域?yàn)槟平閮?yōu)質(zhì)產(chǎn)品。
2016-06-13
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【專(zhuān)訪(fǎng)金城微】功率器件在行業(yè)領(lǐng)域的運(yùn)用將會(huì)更加廣泛
第四屆中國(guó)電子信息博覽會(huì)在深圳會(huì)展中心成功舉辦，深圳市金城微零件有限公司作為效應(yīng)(MOS)管現(xiàn)貨領(lǐng)先供應(yīng)商，也參加了此次展會(huì)，全面展示了MOS為主的大量功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。電子元件技術(shù)網(wǎng)作為此次展會(huì)的特邀媒體，對(duì)金城微進(jìn)行了專(zhuān)訪(fǎng)。
2016-05-04
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安森美汽車(chē)電子龐大銷(xiāo)售市場(chǎng)帶動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)需求與日俱增
3月中旬，安森美在上海舉辦一場(chǎng)汽車(chē)電子產(chǎn)品線(xiàn)路巡演，展示其半導(dǎo)體產(chǎn)品的路線(xiàn)圖和市場(chǎng)趨勢(shì)。根據(jù)安森美提供的資料顯示，去年的年收入達(dá)到了35億美元，其中汽車(chē)電子占了33%，可以說(shuō)，汽車(chē)電子帶來(lái)的穩(wěn)定收入足以讓安森美在行業(yè)不景氣的大環(huán)境下高枕無(wú)憂(yōu)。他們對(duì)于的半導(dǎo)體需求傳感器、功率器件、圖像傳感器、通信接口、IGBT、保護(hù)器件、無(wú)線(xiàn)充電、車(chē)載網(wǎng)絡(luò)、馬達(dá)控制、LED驅(qū)動(dòng)和電源管理IC也是與日俱增。
2016-04-01
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是德科技全新分析儀CX3300主攻先進(jìn)器件表征和低功率器件評(píng)估
今日，是德科技公司推出支持低至 100-pA 級(jí)動(dòng)態(tài)電流測(cè)量的分析儀CX3300。新款分析儀具有最高 200 MHz 的帶寬、1 GSa/s 的采樣率和 14 或 16 位寬動(dòng)態(tài)范圍。
2016-03-31
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大熱的氮化鎵功率技術(shù)，“劍走偏鋒”的創(chuàng)新高壓器件
氮化鎵技術(shù)擁有低功耗、小尺寸等特性設(shè)計(jì)上的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，其優(yōu)勢(shì)以及成熟規(guī)模化生產(chǎn)能力使其近年來(lái)在功率器件市場(chǎng)大受歡迎。在前不久舉辦的EEVIA第五屆ICT技術(shù)趨勢(shì)論壇上，這個(gè)主題受到國(guó)內(nèi)媒體的集體“圍觀”。
2016-02-25
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泰克圖形源表儀器2461具備最高脈沖源和阱性能，滿(mǎn)足高功率器件測(cè)量應(yīng)用需求
近日，泰克科技公司宣布，發(fā)布一款簡(jiǎn)便易用的圖形源測(cè)量單元(SMU)儀器--Keithley 2461，新器件用以?xún)?yōu)化和分析高功率材料、器件和模塊的特性。
2016-01-14
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提高晶閘管dV/dt耐受性的設(shè)計(jì)訣竅，你知道嗎？
晶閘管(SCR)是一種半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件。早在1956年，Moll等人就發(fā)表了這種開(kāi)關(guān)器件的理論基礎(chǔ)。盡管低功率器件在當(dāng)代開(kāi)關(guān)領(lǐng)域已基本銷(xiāo)聲匿跡，并被高壓雙極結(jié)型晶體管(BJT)、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)及絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等所取代，但它們?cè)谡淄呒?jí)開(kāi)關(guān)器件領(lǐng)域仍無(wú)可替代，例如2kA、1.2kV的SCR就被應(yīng)用于機(jī)車(chē)驅(qū)動(dòng)器中，或用來(lái)控制鋁材生產(chǎn)廠(chǎng)中的電爐等。
2015-12-07
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飛一般的速度，帶你體驗(yàn)全球最快的功率開(kāi)關(guān)
穩(wěn)壓器和DC-DC電源內(nèi)的硅功率器件不久將會(huì)被GaN FET代替。與硅MOSFET相比，其開(kāi)關(guān)速度要快得多，且RDS(on)更低。這將能增強(qiáng)電源的電源效率，為大家?guī)?lái)益處。如果您正在設(shè)計(jì)帶有GaN器件的電源電路，您需要掌握該器件的開(kāi)關(guān)速度。為測(cè)量這一速度，示波器、探頭和互連的速度必須足夠快，以盡量減少其對(duì)測(cè)量產(chǎn)生的影響。
2015-11-24
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嵌入式設(shè)計(jì)必讀：電路設(shè)計(jì)之三極管基礎(chǔ)電路設(shè)計(jì)寶典
在嵌入式電路中經(jīng)常使用IO口來(lái)控制某些電路的開(kāi)關(guān)功能，此時(shí)可把三極管用作開(kāi)關(guān)器件。在使用時(shí)需要利用開(kāi)關(guān)三極管如9014和9015等小功率器件，此時(shí)的三極管處于飽和狀態(tài)。本文用實(shí)例來(lái)說(shuō)明該類(lèi)電路的特點(diǎn)。
2015-09-09
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三星CSP封裝工藝日趨完善 推出3款倒裝芯片新品
近日，三星電子在廣州國(guó)際照明展會(huì)上展出3款倒裝芯片新品。其中包括：大功率器件LM301A、倒裝COB、第二代CSPLED。三星表示，第二代CSPLED器件可降低熱阻，三星電子將參加9日至12日在中國(guó)廣州舉行的國(guó)際照明博覽會(huì)，公開(kāi)主要技術(shù)戰(zhàn)略及新產(chǎn)品。三星參加這次中國(guó)廣州展覽會(huì)的意義非凡，因?yàn)橹袊?guó)市場(chǎng)作為全球照明市場(chǎng)的橋頭堡，隨著LED照明需求的增加，飛速增長(zhǎng)。
2015-06-11
- 高精度低噪聲 or 大功率強(qiáng)驅(qū)動(dòng)？?jī)x表放大器與功率放大器選型指南
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