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零漂移霍爾效應電流傳感器的分析
德州儀器（TI）推出了新的零漂移霍爾效應電流傳感器系列。TMCS1100和TMCS1101傳感器可在一段時間內以及在工作溫度范圍內實現最小漂移和最大精度，同時通過8引腳SOIC封裝提供可靠的3 kVrms隔離，這對于工業電機驅動器，太陽能逆變器等高壓AC或DC系統尤其重要。這些新設備的準確性消除了對設備進行校準的需要，從而隨著時間的流逝減少了設備維護。
2021-10-09
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貿澤電子聯手STMicroelectronics推出全新內容網站聚焦無線解決方案
貿澤電子與全球知名半導體解決方案制造商STMicroelectronics (ST) 聯手推出全新內容網站，致力于為無線領域的工程師提供來自ST的新資源、新產品和技術新知。
2021-09-15
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安森美電機開發套件獲中國2021年Top 10電源產品獎
2021年9月15日 —安森美(onsemi，納斯達克股票代號：ON)宣布其電機開發套件(MDK)獲《21IC中國電子網》選為2021年Top 10電源產品獎。這一年度獎項計劃是備受行業認同的確定中國10個最具技術進步的創新電源產品的一個基準。
2021-09-15
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雙向功率轉換器受益于 CoolSiCTM MOSFET
雙向功率轉換器是可再生能源和電動汽車充電器中的關鍵部件。碳化硅開關能夠實現先前技術無法達到的效率水平。
2021-09-15
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MHL接口的靜電保護方案
Mobile High-Definition Link (MHL) 移動終端高清影音標準接口，是一種連接便攜式消費電子裝置的影音標準接口，MHL 僅使用一條信號電纜，通過標準 HDMI 輸入接口即可呈現于高清電視上。它運用了現有的 Micro USB接口，不論是手機、數碼相機、數字攝影機和便攜式多媒體播放器， 皆可將完整的媒體內容直接傳輸到電視上且不損傷影片高分辨率的效果。
2021-09-13
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通過AC整流橋上的有源開關提高效率
提高電源轉換效率和功率密度一直是電源行業的首要目標，在過去十年中，更因功率器件、拓撲結構和控制方案的發展而取得長足的進步。超結MOSFET、SiC二極管以及最新GaN FET的發展，確保了更高頻率下的更高開關效率；同時，高級拓撲及其相應控制方案的實現也在高速發展。因此，平衡導通損耗與開關損耗以實現最佳工作點，現在已完全可以實現。
2021-09-10
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第三代半導體熱潮“帶貨”沉積設備需求，供應鏈與服務本地化成關鍵考量
隨著中國“十四五”規劃的提出、以及全球科技產業對于“碳達峰、碳中和”的目標達成共識，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體新材料憑借高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率以及抗強輻射能力等優異特性，成為了支撐5G基建、新能源產業、特高壓、軌道交通等領域的核心技術。數據表明，2020年中國“第三代半導體”產業電力電子和射頻電子總產值超過100億元，同比增長69.5%。其中，SiC、GaN電力電子產值規模達44.7億元， 同比增長54%；GaN微波射頻產值達到60.8億元，同比增長80.3%。
2021-09-09
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仿真看世界之650V混合SiC單管的開關特性
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-09-08
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TM1810-3， TM1810-2 LED恒流驅動IC
在 使用BH1750測量激光發射器的強度[1] 文章后面的留言中，aytc100給出了內部限流保護芯片可能是TM1810之類的。并給出了相應的 TM1810資料鏈接 。考慮到后面可能需要進行相應的激光管的實驗，所以從 TMALL購買TM1810-2,TM1810-3 以備后面進行測試使用。
2021-09-08
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貿澤聯手安森美推出全新資源平臺，分享BLDC電機控制新品與技術見解
2021年9月7日 – 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 與推動節能創新的半導體解決方案知名供應商安森美(onsemi)合作，創建了一個全新內容平臺，用于介紹無刷直流 (BLDC) 電機控制資源、產品和技術見解。安森美在MOSFET和其他電源、傳感和保護設備領域處于主導地位，并深耕工業無刷直流電機市場數十年。您可以通過https://manufacturers.mouser.com/on-semiconductor-brushless-dc-motor-control-solutions訪問此平臺。
2021-09-07
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在正確的比較中了解SiC FET導通電阻隨溫度產生的變化
比較SiC開關的數據資料并非易事。由于導通電阻的溫度系數較低，SiC MOSFET似乎占據了優勢，但是這一指標也代表著與UnitedSiC FET相比，它的潛在損耗較高，整體效率低。
2021-09-07
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X-FAB與派恩杰達成長期戰略合作，共同推動全球SiC產業發展
2021年9月6日，模擬晶圓代工龍頭企業X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）和國產SiC功率器件供應商派恩杰聯合對外宣布，雙方就批量生產SiC晶圓建立長期戰略合作關系，此前雙方已經合作近三年時間。
2021-09-06
- 安森美與舍弗勒強強聯手，EliteSiC技術驅動新一代PHEV平臺
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