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優(yōu)化汽車應(yīng)用的駕駛循環(huán)仿真
碳化硅（SiC）已經(jīng)改變了許多行業(yè)的電力傳輸，尤其是電動汽車（EV）充電和車載功率轉(zhuǎn)換部分。由于 SiC 具備卓越的熱特性、低損耗和高功率密度，因此相對 Si 與 IGBT 等更傳統(tǒng)的技術(shù)，具有更高的效率和可靠性。要想獲得最大的系統(tǒng)效率并且準(zhǔn)確的預(yù)測性能，必須仿真這些由 SiC 組成的拓?fù)洹⑾到y(tǒng)和應(yīng)用。
2023-01-28
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SiC MOSFET真的有必要使用溝槽柵嗎？
眾所周知，“挖坑”是英飛凌的祖?zhèn)魇炙嚒Ｔ诠杌a(chǎn)品時代，英飛凌的溝槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和溝槽型的MOSFET就獨(dú)步天下。在碳化硅的時代，市面上大部分的SiC MOSFET都是平面型元胞，而英飛凌依然延續(xù)了溝槽路線。難道英飛凌除了“挖坑”，就不會干別的了嗎？非也。因為SiC材料獨(dú)有的特性，SiC MOSFET選擇溝槽結(jié)構(gòu)，和IGBT是完全不同的思路。咱們一起來捋一捋。
2023-01-27
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低電感ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)集成新型950V IGBT和二極管技術(shù)，滿足光伏應(yīng)用的需求
本文介紹了新型950V IGBT和二極管技術(shù)。950V IGBT結(jié)構(gòu)基于微溝槽理念，與典型1200V技術(shù)相比，新型950V IGBT和二極管的靜態(tài)損耗和/或開關(guān)損耗顯著降低。通過分析應(yīng)用需求與功率模塊設(shè)計的相互作用，本文確定了功率模塊的應(yīng)用結(jié)果和優(yōu)化路徑。得益于經(jīng)優(yōu)化的功率模塊設(shè)計和采用950V技術(shù)，近期推出的無基板Easy3B解決方案實現(xiàn)了全集成1500V ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的額定電流達(dá)到400A，而雜散電感低至僅15nH。
2023-01-16
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高壓柵極驅(qū)動IC自舉電路的設(shè)計與應(yīng)用指南
本文講述了一種運(yùn)用功率型MOSFET和IGBT設(shè)計高性能自舉式柵極驅(qū)動電路的系統(tǒng)方法，適用于高頻率，大功率及高效率的開關(guān)應(yīng)用場合。不同經(jīng)驗的電力電子工程師們都能從中獲益。在大多數(shù)開關(guān)應(yīng)用中，開關(guān)功耗主要取決于開關(guān)速度。因此，對于絕大部分本文闡述的大功率開關(guān)應(yīng)用，開關(guān)特性是非常重要的。
2023-01-13
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如何優(yōu)化隔離柵級驅(qū)動電路?
柵極驅(qū)動光電耦合器FOD31xx系列的功能是用作電源緩沖器，來控制功率MOSFET或IGBT的柵極。它為MOSFET 或 IGBT 的柵極輸入供應(yīng)所需的峰值充電電流，來打開器件。該目標(biāo)通過向功率半導(dǎo)體的柵極提供正壓(VOH)來實現(xiàn)。若要關(guān)閉MOSFET或IGBT，需拉起驅(qū)動器件的柵極至0電壓(VOL)或更低。
2023-01-10
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滿足高度緊湊型1500-V并網(wǎng)逆變器需求的新型ANPC功率模塊
本文提出了一種優(yōu)化的ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)支持最新的1200-V SiC T-MOSFET與IGBT技術(shù)優(yōu)化組合，實現(xiàn)成本效益。市場上將推出一款采用全集成ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的新型功率模塊，適用于高度緊湊型、高效率1500-V并網(wǎng)逆變器。新開發(fā)的Easy3B功率模塊在48kHz頻率條件下，可以實現(xiàn)輸出功率達(dá)到200kW以上。此外，相應(yīng)的P-Q圖幾乎呈圓形。這意味著，該功率模塊適用于儲能系統(tǒng)等新興應(yīng)用。
2023-01-10
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先進(jìn)碳化硅技術(shù)，有效助力儲能系統(tǒng)
人們普遍認(rèn)識到，碳化硅（SiC）現(xiàn)在作為一種成熟的技術(shù)，在從瓦特到兆瓦功率范圍的很多應(yīng)用中改變了電力行業(yè)，覆蓋工業(yè)、能源和汽車等眾多領(lǐng)域。這主要是由于它比以前的硅（Si）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的應(yīng)用具有更多優(yōu)勢，包括更高的開關(guān)頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進(jìn)而可以實現(xiàn)更高的功率密度，可靠性和效率。得益于更低的溫度和更小的磁性元件，熱管理和電源組件現(xiàn)在尺寸更小，重量更輕，成本更低，從而降低了總 BOM 成本，同時也實現(xiàn)了更小的占用空間。
2022-12-22
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簡述SiC MOSFET短路保護(hù)時間
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說，在一定的短路耐受時間（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路時間不超過這個SCWT，器件基本上是安全的（超大電流導(dǎo)致的寄生晶閘管開通latch up除外，本篇不討論）。
2022-12-22
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通過轉(zhuǎn)向1700V SiC MOSFET，無需考慮功率轉(zhuǎn)換中的權(quán)衡問題
高壓功率系統(tǒng)設(shè)計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續(xù)創(chuàng)新的需求。基于硅的解決方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設(shè)計人員現(xiàn)在有機(jī)會在提高性能的同時，應(yīng)對所有其他挑戰(zhàn)。
2022-12-16
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分析自動化第三季度市場數(shù)據(jù)，看IC與方案需求
今年第三季度，電池和光伏制造業(yè)訂單增長最好，印刷、制藥、暖通空調(diào)、食品機(jī)械和電梯持平，其它行業(yè)都有降低。相關(guān)應(yīng)用的MCU，DPS，MOSFET，IGBT和電源管理IC需求受終端設(shè)備制造商影響有變化，PLC和工控機(jī)用HMI方案和網(wǎng)關(guān)也有市場需求起伏。其中伺服、CNC增長率為負(fù)，低壓變頻器、大中小型PLC、HMI均有一定程度的正增長，其中PLC整體表現(xiàn)相對亮眼，達(dá)到兩位數(shù)以上的增長率。
2022-12-16
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新一代1700V IGBT7技術(shù)及其在電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用優(yōu)勢
EconoDUAL?3是一款經(jīng)典的IGBT模塊封裝，其上一代的1700V系列產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應(yīng)用于級聯(lián)型中高壓變頻器、靜止無功發(fā)生器（SVG）和風(fēng)電變流器，覆蓋了中功率和一部分大功率的應(yīng)用場合。隨著芯片技術(shù)的發(fā)展和市場對高功率密度IGBT模塊的需求增加，英飛凌已經(jīng)基于最新的1700V IGBT7技術(shù)開發(fā)了新一代的EconoDUAL?3模塊，并率先推出了900A和750A兩款新產(chǎn)品。本文首先分析了上一代最大電流等級600A的產(chǎn)品FF600R17ME4[1]在MVD和SVG中的典型應(yīng)用，然后介紹了1700V IGBT7的芯片特性和EconoDULA?3模塊的性能優(yōu)化。通過與FF600R17ME4對比，分析了900A和750A的產(chǎn)品優(yōu)勢。最后，針對級聯(lián)高壓變頻器和靜止無功發(fā)生器的應(yīng)用場景，通過仿真對比，闡明了新一代IGBT產(chǎn)品在輸出能力和功率損耗等方面為系統(tǒng)帶來的價值。
2022-12-15
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適用于下一代大功率應(yīng)用的XHP2封裝
軌道交通牽引變流器的平臺化設(shè)計和易擴(kuò)展性是其主要發(fā)展方向之一，其對半導(dǎo)體器件也提出了新的需求。一方面需要半導(dǎo)體器件能滿足更寬的電壓等級和電流等級，另一方面也要兼容電力電子器件的新技術(shù)，比如IGBT5/.XT或SiC MOSFET。這樣既有利于電力電子系統(tǒng)的平臺化設(shè)計，也可以增加系統(tǒng)的功率密度，減小系統(tǒng)的尺寸和體積。因此，半導(dǎo)體器件需要具有更低的雜散電感、更大的電流等級和對稱的結(jié)構(gòu)布局。本文介紹了一種新的用于大功率應(yīng)用的XHP? 2 IGBT模塊，包括低雜散電感設(shè)計原理、開關(guān)特性和采用IGBT5/.XT技術(shù)可以延長模塊的使用壽命等關(guān)鍵點(diǎn)。
2022-12-05
- 國產(chǎn)芯片與系統(tǒng)深度融合！兆易創(chuàng)新聯(lián)袂普華軟件破局汽車電子
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