【導讀】美高森美新型VRF2944 和VRF3933MOSFET器件，VRF2944在50V供電電壓下可提供業(yè)界最高輸出功率，瞄準RF和寬帶通信應用。可用于工業(yè)、科學、醫(yī)療、商業(yè)、國防RF功率和寬帶通信。
美高森美公司宣布擴展高頻率垂直擴散金屬氧化物半導體(VDMOS) MOSFET產品系列，兩款更大功率、更高電壓(V) VRF2944 和VRF3933器件經設計在2-60 megahertz (MHz)的工業(yè)、科學和醫(yī)療(ISM)頻率范圍運作，目標應用包括需要大功率和高增益而不影響可靠性、穩(wěn)定性或互調失真的商業(yè)和國防RF功率和寬帶通信。
與包括SD2933競爭器件相比，業(yè)界領先VRF2944器件在50V供電電壓下提供400W或提高33%的輸出功率。美高森美公司的較大功率器件允許客戶將現(xiàn)有系統(tǒng)的功率增加33%，或減少其RF功率系統(tǒng)的每瓦費用。此外，通過在MOSFET器件上集成一個柵極電阻來提升寄生阻抗，以保持60MHz的最大工作頻率。VRF2944器件與美高森美的前代產品VRF2933相似，能夠在最高65V供電電壓下運作，單一VRF2944器件可以提供675W輸出功率。
VRF3933器件能夠在最高100V供電電壓下運作，并且提供300W輸出功率，較高電壓MOFET器件還具有較高的輸出阻抗，可以更便利地匹配50Ω負載。例如，四個VRF3933器件兩兩并聯(lián)，而且這兩個并聯(lián)對器件采用推挽式，能夠通過4:1變壓器，使用83V供電電壓向50Ω負載發(fā)送1.1 kW功率。
美高森美公司VRF產品系列的主要特性包括：
●高于大多數(shù)競爭器件的電壓實現(xiàn)較高的輸出功率：Po與V2成比例
●氮鈍化芯片具有高可靠性
●金涂敷和金線粘接獲得更高的可靠性
●通過美高森美的應用工程技術團隊獲得設計支持
供貨
美高森美公司現(xiàn)提供VRF2944和VRF3933器件現(xiàn)貨。
