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詳解適用于服務(wù)器電源電路的TLVR電感器

發(fā)布時間:2023-11-04 來源:TDK 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】考慮到上述諸多情況,TLVR 是目前應(yīng)對低電壓大電流應(yīng)用中快速負(fù)載波動的主流電路配置。這種TLVR能使半導(dǎo)體處理器獲得較高的瞬態(tài)響應(yīng)性能,滿足負(fù)載要求,同時降低電源損耗,而且可保持較小的輸出電容值,從而減少安裝面積和系統(tǒng)成本。


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隨著云計(jì)算、智能手機(jī)的普及和5G的發(fā)展,通過互聯(lián)網(wǎng)傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量不斷增加,數(shù)據(jù)中心的信息處理需求也在激增,以便通過使用大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)和其他數(shù)據(jù)來支持人工智能等技術(shù)的發(fā)展和數(shù)字化轉(zhuǎn)型 (DX)。


為順應(yīng)這種市場趨勢,CPU、GPU和FPGA等半導(dǎo)體處理器在制造工藝技術(shù)方面取得重大發(fā)展,并且越來越傾向于微型化,從而使得單位面積上集成的柵極數(shù)量不斷增加,工作頻率不斷提高,信息處理能力顯著增強(qiáng)。在處理器能力提升的驅(qū)動下,服務(wù)器電源電路也取得了重大進(jìn)展。


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半導(dǎo)體處理器的微型化導(dǎo)致了電源電壓的降低,但消耗的電流不降反升,使得功耗持續(xù)增加。而低電壓和大電流的趨勢帶來的問題之一是對快速負(fù)載波動的響應(yīng)。隨著電壓降低,電壓的容許公差變得非常小。比如,為了避免處理器的誤操作,若以±3%的精度提供磁芯電壓,則電壓為1V時的公差必須控制在±30mV。對于服務(wù)器專用電源,即使在超過1000A的大電流負(fù)載驟變的驅(qū)動條件下,輸出電壓也必須盡可能保持穩(wěn)定。


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【服務(wù)器電源電路】


低電壓大電流趨勢一直持續(xù)發(fā)展,在此之前通常采用高頻化和多相位化來應(yīng)對。對于多相VR,僅通過一個相位的占空比控制不足以應(yīng)對大電流負(fù)載波動,需要對多個相位進(jìn)行占空比控制。但相位間的切換需要時間,因此需要進(jìn)一步提高切換頻率來加快響應(yīng)速度。

 

雖然提高頻率對改善負(fù)載響應(yīng)有很大的作用,但同樣會極大地增加開關(guān)元件的損耗,因此很難通過提高現(xiàn)有電路配置的多相VR的頻率來達(dá)到服務(wù)器電源追求高能效的要求。此外,通過使用大容量外部電容器可在一定程度上抑制大電流應(yīng)用的電壓波動,但這會增加安裝面積和電容器成本。

 

考慮到上述諸多情況,TLVR (Trans-Inductor Voltage Regulators) 是目前應(yīng)對低電壓大電流應(yīng)用中快速負(fù)載波動的主流電路配置。在這種電路配置中,每個相位開關(guān)連接到一個帶額外繞組的電感器上,然后將每個相位的繞組和補(bǔ)償電感器串聯(lián)成回路,以便同時為每個相位提供電流。這種TLVR能使半導(dǎo)體處理器獲得較高的瞬態(tài)響應(yīng)性能,滿足負(fù)載要求,同時降低電源損耗,而且可保持較小的輸出電容值,從而減少安裝面積和系統(tǒng)成本。


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下圖解釋了TLVR的運(yùn)行機(jī)制。當(dāng)多相VR中的電流需求突然增加時,為維持輸出電壓,會增加當(dāng)時開啟的相的占空比,從而增加輸出電流。通過增加特定相的占空比可增加該相的輸出電流,但如果發(fā)生大電流負(fù)載變化,電流值將不夠用,輸出電流的增加將通過增加后續(xù)相的占空比來滿足。


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【多相和TLVR電路配置的比較(6相)】


在這種情況下,確保所需電流需求所需的時間過長,輸出電流的回轉(zhuǎn)率較低,無法充分應(yīng)對快速變化的負(fù)載。另一方面,在TLVR中,與每個相位開關(guān)相連的電感器上都增加了額外的繞組,每個電感器中的額外繞組又與補(bǔ)償電感器串聯(lián)成回路。


通過這種電路配置,在電流需求突然大幅增加的情況下,此時接通的相位的占空比將擴(kuò)大,從而增加輸出電流,并與其他未接通的電感器協(xié)同工作,使所有電感器都能在同一時刻提供電流。因此,即使在電流負(fù)載發(fā)生較大變化時,也能實(shí)現(xiàn)較高的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng),而且電源電壓幾乎不會降低。TLVR方法不僅能快速供應(yīng)電流,還能有效減少輸出電容,是目前的主流電路配置。


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我們在有限條件下,使用電路模擬器作為比較案例,比較了8個相位的VR和TLVR在負(fù)載突然變化時輸出電壓的變化。下圖是假設(shè)在800kHz開關(guān)頻率下從12V轉(zhuǎn)換為1.8V,并且輸出平滑電容器的電容值為1850μF時,相對于240A→360A→240A負(fù)載變化的電壓變化的計(jì)算結(jié)果。


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【負(fù)載響應(yīng)電路仿真比較結(jié)果】


因此,相對于多相VR的1.8V電壓,負(fù)載電壓波動為±0.3V。另一方面,TLVR的輸出波動小于±0.1V,電壓穩(wěn)定所需的時間大幅縮短。若將負(fù)載波動期間的允許電壓波動設(shè)定為 ±0.3V,則使用TLVR電路配置時,輸出平滑電容值可減少到230μF,幾乎為原先的八分之一,電壓穩(wěn)定所需的時間也能大幅縮短。


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我們提供有針對TLVR電路配置進(jìn)行了優(yōu)化的雙線圈功率電感器VLBUC系列和Lc補(bǔ)償功率電感器VLBU6565100。


VLBUC12060120系列是一款支持大電流的雙線圈功率電感器,具有高飽和磁通密度、針對高頻開關(guān)專門優(yōu)化的磁性材料和獨(dú)特的電極結(jié)構(gòu)等特點(diǎn),實(shí)現(xiàn)了低損耗。兩個線圈之間的絕壓高達(dá)DC100V。


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此外,VLBU6565100系列適用于Lc補(bǔ)償功率電感器,是一款適合高頻應(yīng)用的低損耗元件。兩者的工作溫度范圍均為-40至+125°C。



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