【導讀】相移全橋電路中輕負載時流過的電流小，L_S中積蓄的能量少，所以很有可能在滯后臂的C_OSS充放電完成之前就開始開關工作。因此，ZVS工作無法執行，很容易發生MOSFET的導通損耗。

另一方面，當超前臂的MOSFET的C_OSS充放電時，能量通過變壓器被輸送到二次側。參考前面的思路，通過能量收支來考慮ZVS的成立條件時，以Mode（2）為例，假設相移全橋電路的變壓器的匝比為n，則超前臂的ZVS成立條件可用下面的公式來表示。I_L2是Mode（1）結束時的I_L，E_{OSS_Q1}和E_{OSS_Q2}分別是完成Q1和Q2的C_OSS充放電所需的能量。

在實際的電路工作中，需要設置Dead Time來防止上下臂短路。如上所述，在輕負載時，滯后臂MOSFET的充放電可能尚未完成，即可能會有漏極電壓V_DS殘留（成為硬開關），因此，在某些Dead Time的設置，可能會導致滯后臂MOSFET的導通損耗增加。因此，在設置Dead Time時需要注意這一點。

下圖是在Dead Time優化和未優化情況下導通時的示意圖。

在Dead Time未優化的情況下，會瞬間流過很大的漏極電流ID。這是由于受到了兩種電流的影響：第一種是柵極-漏極間電容C_GD和柵極-源極間電容C_GS的電容比，導致柵極-源極間電壓V_GS超過了閾值電壓，從而引起的直通電流；另一種是對應橋臂MOSFET的C_OSS的充電電流。其中，后者C_OSS的充電電流在硬開關工作時一定會產生，但前者的直通電流則可以通過設置MOSFET的C_GD和C_GS的適當電容比來防止。因此，選擇C_GD和C_GS的電容比適當的MOSFET很重要。

關鍵要點

●     輕負載時，電流小，L_S中積蓄的能量少，因此很有可能在C_OSS的充放電完成之前就開始開關工作，致使ZVS工作無法執行，容易發生MOSFET的導通損耗。

●     C_OSS的充放電未完成可能會導致V_DS殘留，因此需要設置適當的Dead Time來防止上下橋臂短路引起的直通電流。

●     MOSFET的C_GD和C_GS的某些電容比可能會導致流過直通電流，因此選擇該電容比適當的MOSFET很重要。

免責聲明：本文為轉載文章，轉載此文目的在于傳遞更多信息，版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問題，請聯系小編進行處理。

推薦閱讀：

使用PWM輸出方式驅動有刷直流電機：H橋電路PWM驅動

光芯片電磁仿真解決方案

什么是電源的紋波，如何測量它的值，又如何抑制呢？

高分辨率工業應用中的精密信號調理

通過節省時間和成本的創新技術降低電源中的EMI