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      IR推出30V DirectFET MOSFET適合19V輸入同步降壓應用

      發布時間:2010-12-17 來源:電子產品世界

      IRF6708S2/IRF6728M的產品特性:
      • 可減少元件數量達30%
      • 低電荷和低導通電阻
      • 低寄生電阻電感
      • 卓越的散熱性能
      IRF6708S2/IRF6728M的應用范圍:
      • 19V輸入同步降壓應用

      國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出了IRF6708S2和IRF6728M 30V DirectFET MOSFET芯片組,特別為注重成本的19V輸入同步降壓應用 (如筆記本電腦) 而設計。

      IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐器件可減少元件數量達30%,大幅降低了整體系統成本。這些新款DirectFET MOSFET具有低電荷和低導通電阻 (RDS(on)) ,最大限度減少了傳導及開關損耗。IRF6728M還備有單片型集成式蕭特基二極管 (Schottky) ,可以降低與體二極管導通和反向恢復相關的損耗。

      IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:“IRF6708S2和IRF6728M芯片組能夠為注重成本的DC-DC開關應用提供高效率、且具有成本效益的解決方案,而DirectFET確保的卓越熱特性充分體現了一流的整體價值。”

      IRF6708S2和IRF6728M采用了IR最新一代的30V MOSFET硅技術。這些新器件除了擁有低導通電阻和低電荷,也具有DirectFET封裝低寄生電阻電感和卓越的散熱性能。

      產品詳細數據及應用說明可瀏覽IR網頁www.irf.com。

      新器件符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) ,現已接受批量訂單。
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