產品特性：

• 采用1 x 1.5 x 0.4mm WL-CSP封裝
• 側高比標準P溝道MOSFET降低40%
• 具有低RDS(ON) (74mOhm typical @ -4.5V VGS)
• 出色的功耗性能1.9W
• 符合RoHS，適應無鉛回流焊要求

應用范圍：

• 下一代手機、MP3播放器
• 其它便攜應用

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出采用1 x 1.5 x 0.4mm WL-CSP封裝的單一P溝道MOSFET器件FDZ391P，能滿足便攜應用對外型薄、電能和熱效率高的需求。FDZ391P采用飛兆半導體的1.5V額定電壓PowerTrench工藝設計，結合先進的WL-CSP封裝，將RDS(ON) 和所需的PCB空間減至最小。這款P溝道MOSFET器件的側高比標準P溝道MOSFET降低40%，可滿足下一代手機、MP3播放器和其它便攜應用的纖細外形尺寸要求。該器件具有低RDS(ON) (74mOhm typical @ -4.5V VGS)，能夠降低傳導損耗并提供出色的功耗性能 (1.9W)。

FDZ391P豐富了飛兆半導體廣泛的便攜設計解決方案，這些方案是節省空間和延長電池壽命所不可或缺的。憑借飛兆半導體在功率管理、信號調節和先進封裝領域的豐富經驗，這些產品可讓設計人員顯著減小外形尺寸，并提供出色的熱性能和電氣性能以滿足便攜應用的需求。這些解決方案包括µSerDes串化器/解串器、Intel、liMAX先進負載開關、USB開關、DC-DC轉換器、邏輯電平轉換器和許多其它功率管理及信號調節技術。

FDZ391P采用無鉛 (Pb-free) 端子，潮濕敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020標準對無鉛回流焊的要求。所有飛兆半導體產品均滿足歐盟有害物質限用指令 (RoHS) 的要求。