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功率器件熱設計基礎（十）——功率半導體器件的結構函數
在功率器件的熱設計基礎系列文章《功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法》和《功率半導體芯片溫度和測試方法》分別講了功率半導體結溫、芯片溫度、殼溫和散熱器溫度的測試方法，用的測溫儀器是熱電偶、紅外成像儀和模塊中的NTC和芯片上的二極管。
2024-12-31
功率器件 熱設計 功率半導體器件 結構函數
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JFET 共源共柵提高了電流源性能
許多過程控制傳感器，例如熱敏電阻和應變計電橋，都需要的偏置電流。通過添加單個電流設置電阻器 R 1，您可以配置電壓參考電路 IC 1 以產生恒定且的電流源（圖 1 ）。然而，信號源的誤差取決于 R 1 和 IC 1的精度 ，并影響測量精度和分辨率。盡管您可以指定精度超過常用電壓基準 IC 精度的高精度電...
2024-12-31
JFET 共源共柵 電流源
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探索工業應用中邊緣連接的未來
我們的世界正變得更加智能且緊密相連，樓宇和工廠正以前所未有的方式實現自動化。為了確保這些新系統有效運行，可靠的信息通信至關重要——這不僅體現在工業控制面板內部，也包括遍布整個場所的各種設備之間的通信。
2024-12-31
工業應用 邊緣連接
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機電繼電器的特性及其在信號切換中的選型和應用
本文介紹了機電繼電器(EMR)在信號切換中的應用，強調了其出色的導通和關斷性能、輸入/輸出隔離功能以及多極配置帶來的靈活性和多功能性。文章以 Omron Electronic Components 的產品為例，介紹了如何選擇和應用 EMR，包括繼電器類型、區別、配置、射頻性能、功耗以及可靠性等方面的考慮。
2024-12-31
機電繼電器 信號切換
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低功率開關電容器帶隙，第 2 部分
在本期文章中，對傳統的帶隙電路進行了誤差分析，然后解釋了如何使用開關電容電路將這些誤差降至。圖 1 顯示了傳統的帶隙參考實現方案及其相關的誤差源。
2024-12-31
開關電容器
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解構數字化轉型：從策略到執行的全面思考
今年，我們看到先進電子技術和軟件在產品功能中的占比仍在持續增加，產品、制造工藝和供應鏈的復雜程度更勝從前，市場高漲的需求要求更短的產品開發周期，同時，各種新規也不斷涌現：今年 5 月，中國財政部發布了《企業可持續披露準則——基本準則（征求意見稿）》，要求企業踐行可持續發展理念；11 ...
2024-12-29
數字化轉型 工業軟件
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為什么超大規模數據中心要選用SiC MOSFET？
如今，數據中心迫切需要能夠高效轉換電能的功率半導體，以降低成本并減少排放。更高的電源轉換效率意味著發熱量減少，從而降低散熱成本。
2024-12-28
數據中心 SiC MOSFET
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如何通過基本描述找到需要的電容？
本文介紹了電容的基本描述，包含了其類型、尺寸、容值、容差和額定電壓。了解這些參數可以幫助你準確地選擇和訂購所需的電容元件。
2024-12-28
電容
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低功耗嵌入式設計簡介
當產品主要設計用于電池供電時，一切都會發生變化。小型電池存儲的能量非常有限，但消費者想要非常緊湊（讀作“對于大尺寸電池來說太小”）并且不需要充電的高性能（讀作“高功率”）設備每二十分鐘。設計師要做什么？
2024-12-28
嵌入式設計
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