蜜臀av免费一区二区三区 ,午夜亚洲国产理论片中文,亚洲综合图色40p,欧美牲交a欧美牲交aⅴ久久,18禁强伦姧人妻又大又

智能家居

比亞迪電子與大股東轉(zhuǎn)讓資產(chǎn)

比亞迪電子宣布向大股東比亞迪集團(tuán)收購主要用于生產(chǎn)手機(jī)金屬部件的設(shè)備，總代價9,286.3萬元人民幣，另外，公司將向比亞迪集團(tuán)出售供生產(chǎn)耳機(jī)及切割液晶顯示屏保護(hù)膜的設(shè)備，總代價4,291.4萬元人民幣。

2008-12-05

手機(jī)金屬部件液晶顯示屏保護(hù)膜鋰電池柔性印制電路板

比亞迪電子與大股東轉(zhuǎn)讓資產(chǎn)

2008-12-05

手機(jī)金屬部件液晶顯示屏保護(hù)膜鋰電池柔性印制電路板

比亞迪電子與大股東轉(zhuǎn)讓資產(chǎn)

2008-12-05

手機(jī)金屬部件液晶顯示屏保護(hù)膜鋰電池柔性印制電路板

Vishay推出采用TurboFET技術(shù)第三代功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET技術(shù)，利用新電荷平衡漏結(jié)構(gòu)將柵極電荷降低多達(dá) 45%，從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。

2008-12-05

SiS426DN SiR496DP Si7718DN Si7784DP TrenchFET 功率MOSFET MOSFET

Vishay推出采用TurboFET技術(shù)第三代功率MOSFET

2008-12-05

SiS426DN SiR496DP Si7718DN Si7784DP TrenchFET 功率MOSFET MOSFET

Vishay推出采用TurboFET技術(shù)第三代功率MOSFET

2008-12-05

SiS426DN SiR496DP Si7718DN Si7784DP TrenchFET 功率MOSFET MOSFET

工信部稱電子產(chǎn)業(yè)內(nèi)資日子好過外資

中國電子信息產(chǎn)業(yè)受金融危機(jī)之創(chuàng)明顯，進(jìn)入第三季度后至10月底，該產(chǎn)業(yè)增加值的增速一路下滑，而進(jìn)出口增速同比也有較大回落。工業(yè)和信息化部(下稱“工信部”)昨天公布的10月份國內(nèi)電子信息產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)運(yùn)行情況、1～10月電子產(chǎn)業(yè)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展速度已明顯放緩，結(jié)構(gòu)調(diào)整繼續(xù)深化。

2008-12-04

電子信息產(chǎn)業(yè) 電子制造業(yè)

工信部稱電子產(chǎn)業(yè)內(nèi)資日子好過外資

2008-12-04

電子信息產(chǎn)業(yè) 電子制造業(yè)

工信部稱電子產(chǎn)業(yè)內(nèi)資日子好過外資

2008-12-04

電子信息產(chǎn)業(yè) 電子制造業(yè)

首頁上一頁 1782 1783 1784 1785 1786 1787 1788 1789 下一頁尾頁

特別推薦

技術(shù)文章更多>>

技術(shù)白皮書下載更多>>

熱門搜索

比亞迪電子與大股東轉(zhuǎn)讓資產(chǎn)

比亞迪電子與大股東轉(zhuǎn)讓資產(chǎn)

比亞迪電子與大股東轉(zhuǎn)讓資產(chǎn)

Vishay推出采用TurboFET技術(shù)第三代功率MOSFET

Vishay推出采用TurboFET技術(shù)第三代功率MOSFET

Vishay推出采用TurboFET技術(shù)第三代功率MOSFET

工信部稱電子產(chǎn)業(yè)內(nèi)資日子好過外資

工信部稱電子產(chǎn)業(yè)內(nèi)資日子好過外資

工信部稱電子產(chǎn)業(yè)內(nèi)資日子好過外資

友情鏈接(QQ：317243736)