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      一種用FET光耦做壓控電位器的電路設計

      發布時間:2014-02-20 責任編輯:sherryyu

      【導讀】光電FET光耦是一個可變電阻,與固定電阻連在一起,就成了一個電位器。但是傳統的電路設計會使電位器產生線性響應。本文介紹的電路使用了兩只光電FET,一只作反饋,另一只則用于需要隔離電位器的應用。將兩只光電FET的輸入端串聯,就可以保證輸入LED有相同數量的電流。

      光電FET光耦是一個可變電阻,與固定電阻連在一起,就成了一個電位器。H11F3M光電FET有7.5kV的隔離電壓,能安全地控制高壓電路參數。但非線性傳輸特性可能有問題。為了校正這種非線性,我們采用一種反饋機制,使電位器產生線性響應,本電路使用了兩只光電FET,一只作反饋,另一只則用于需要隔離電位器的應用。將兩只光電FET的輸入端串聯,就可以保證輸入LED有相同數量的電流。

      光電FET光耦和電阻連起來做一個電位器

      圖 光電FET光耦和電阻連起來做一個電位器

      FET輸出端放50kΩ的電阻,以模擬電位器的響應。電路對設定輸入電壓(用電位器R7調節)和光電FET1的反饋之間的差值做放大。得到的輸出控制光電FET LED中的電流,直到反饋電壓等于輸入電壓時為止。輸出電壓以線性方式跟隨輸入電壓(圖3)。也許你會認為相同器件號的光電FET沒什么區別,但實際上還是表現出了微小的制造差異。五只H11F3M器件的偏差在3%以內。

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