在Techno-Frontier 2013上，Vishay Siliconix將展示在4.5V柵極驅動下最大導通電阻低至0.00135Ω的TrenchFET® Gen IV MOSFET；PowerPAK® SO-8L和8x8L封裝的50W前大燈LED驅動；優化了熱性能和電性能的PowerPAIR®器件。重點推出功率IC包括采用3mm x 3mm DFN10封裝的28V可編程、受保護的智能負載開關，5mm x 5mm封裝的高密度60A功率級；3 mm x 3 mm QFN-16封裝的高效16V microBUCK®穩壓器。

Vishay Semiconductors將展示各種二極管，包括采用SMPD封裝的45V～120V TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器；用于電動汽車、UPS和太陽能逆變器的第二代 650V FRED Pt® Ultrafast二極管；FRED Pt 超快恢復整流器。另外，Vishay Semiconductors將在顯著位置展示SurfLight™高功率紅外表面發射器等光電子產品，帶有數字輸出的全集成接近傳感器，以及1mA和5mA輸入電流的光耦。

Vishay的無源元件包括該公司各種各樣的最新電容器、電阻和電感器。重點展示的電阻包括具有高功率密度和可在+275℃高溫惡劣環境下使用的Vishay Dale Power Metal Strip®電阻，以及用于功率計和電池管理應用的高電流Power Metal Strip分流電阻。

特色電容器包括具有業內最小外形尺寸的Vishay Sprague Micro Tan®汽車級固鉭片式電容器；Vishay ESTA功率電子電容器；Vishay Vitramon通過安全認證的多層陶瓷片式電容器(MLCC)。Vishay Dale將展出面向汽車應用的薄型、高電流IHLP®器件，用于桌面電腦和服務器的高溫通孔電感器等電感器產品。

另外，Vishay將在Techno-Frontier 2013（7月17日至19日）的電源系統專項展覽Power System Japan的1D-207展位進行兩項演示。Vishay Siliconix將演示用600V和650V的E系列功率MOSFET來提高效率。Vishay Semiconductors將演示一個采用低正向電壓和快速開啟時間的TMBS整流器，以及具有高阻抗并能減小信號損失的低CJ TVS器件的系統。