【導讀】IR在業內率先商業付運可大幅度提高現有電源轉換系統效率的GaN功率器件，預示著電源效率革命性改善新時代的到來。相比當今最先進的硅功率器件技術，氮化鎵技術平臺能夠將客戶的主要應用的性能指標（FOM）提升10倍。
國際整流器公司(IR)近日宣布，已經為一套家庭影院系統測試并裝運了基于其革命性氮化鎵(GaN)功率器件技術平臺的產品，預示著電源轉換新時代的來臨。這套家庭影院系統是由一家業界領先的消費電子產品公司所生產。
IR總裁兼首席執行官Oleg Khaykin表示：“IR開始商業裝運采用其尖端的氮化鎵技術平臺及IP產品組合的器件，成功保持了我們在功率半導體器件市場的領導地位，同時預示著電源轉換新時代的來臨，這正與公司幫助客戶節省能源的核心宗旨相契合。我們完全可以預期，氮化鎵技術對電源轉換市場的潛在影響能夠至少不遜色于我們30年前推出的功率HEXFET。”
圖示：國際整流器公司推出的GaN
GaN技術優勢：
這一成就彰顯了IR在功率管理市場的戰略優勢，即能夠提供一個帶來高資本效益的制造模式。相比最先進的硅技術，氮化鎵技術平臺能夠將客戶的主要應用的性能指數(FOM)提升10倍。這一新的里程碑表明IR一直致力于為客戶提供頂尖的功率管理技術。
Khaykin總結稱：“長期來看，氮化鎵技術適用于IR所有業務單元和產品線。我們欣然見證該技術成為公司長期收入增長和市場占有率擴大的主要推動力。我謹向所有相關人士致以衷心的謝意，并且祝賀他們取得如此非凡的成就。”
這款開創先河的氮化鎵功率器件技術平臺是IR歷經10年，基于其專有的硅基氮化鎵磊晶技術進行研發的成果。其高產量、150mm的硅基氮化鎵磊晶以及相關的器件制造工藝，能夠與IR現有的具備成本效益的硅制造設施完全匹配，為客戶提供商業可行的世界級氮化鎵功率器件制造平臺。
相關閱讀：
硅功率MOSFET前景堪憂？
http://m.gdnengbo.cn/power-art/80020877
第三講：基于MOSFET的高能效電源設計
http://m.gdnengbo.cn/power-art/8002087
