• 該產品開關損耗降低85％，大幅減少了工業設備等的功率損耗

• 開關損耗降低85％
• 與傳統的400A級別的Si-IGBT模塊相替換時，體積減小約50％
• 損耗低，因此發熱少，可減小冷卻裝置體積，從而可實現設備整體的小型化

本產品計劃在羅姆總部工廠（京都市）從3月份下旬開始量產、出貨。

近年來，在工業設備和太陽能電池、電動汽車、鐵路等電力電子技術領域，與Si元件相比，電力轉換時損耗少、材料性能卓越的SiC元件/模塊的實際應用備受期待。

根據估算，將傳統的Si半導體全部替換為SiC后的節能效果，僅在日本國內就相當于4座核電站的發電量※2，因此，各公司都已強化了相關研究開發。在這種背景下，羅姆于2010年在世界上率先成功實現了SiC-SBD和SiC-MOSFET兩種SiC元件的量產，在行業中遙遙領先。

與此同時，關于“全SiC”模塊，即所內置的功率元件全部將Si替換為SiC，多年來，雖然全世界的制造商多方試制，但在可靠性上存在諸多課題，一直無法實現量產。

此次，通過羅姆開發出的獨創的缺陷控制技術和篩選法，使可靠性得以確保。另外，針對SiC制備過程中特有的1700℃高溫工序，為了防止其發生特性劣化，羅姆開發了控制技術，于世界首家確立了“全SiC”功率模塊的量產體制。

內置最先進的SiC-SBD和SiC-MOSFET兩種元件，與傳統的Si-IGBT模塊相比，可以將電力轉換時的損耗降低85％。另外，與IGBT模塊相比，在10倍于其的頻率－100kHz以上的高頻環境下工作成為可能。該產品的額定電流為100A，通過高速開關和低損耗化，可以與額定電流為200～400A的Si-IGBT模塊進行替換。

不僅如此，通過設計和工藝的改善，羅姆還成功開發出散熱性卓越的模塊。替換傳統的400A級別的Si-IGBT模塊時，體積可減小約50％。由于損耗低，因此發熱少，可減小外置的冷卻裝置體積，從而非常有助于設備整體的小型化。

羅姆將以SiC為首的功率元件事業作為發展戰略之一定位，今后，加強實現更高耐壓、更大電流的SiC元件/模塊的產品陣容的同時，不斷推進完善SiC 溝槽式MOSFET和SiC-IPM（智能電源模塊）等SiC相關產品的陣容與量產化。

＜特點＞

１） 開關損耗降低85％

內置了最先進的SiC-SBD與SiC-MOSFET的“全SiC”模塊，與傳統的Si-IGBT相比，開關損耗可降低85％。
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２） 實現小型、輕薄封裝

通過設計和工藝改善，成功開發出散熱性卓越的模塊。大大有助于設備的小型化需求。

＜電路圖＞

＜術語解說＞

?IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor的簡稱）
絕緣柵雙極晶體管。給柵極安裝了MOSFET的雙極晶體管。

?MOSFET（Metal－Oxide－Semiconductor Field　Effect　Transistor的簡稱)
金屬－氧化物－半導體場效應晶體管，是FET中最被普遍使用的結構。作為開關元件使用。

?SBD（肖特基勢壘二極管Schottky Barrier Diode　的簡稱）
使金屬和半導體接觸從而形成肖特基結，利用其可得到整流性（二極管特性）的二極管。具有“無少數載流子存儲效應，高速性能卓越”的特點。