新聞事件：

• 應(yīng)用材料公司實(shí)現(xiàn)22納米晶體管觸點(diǎn)制造

事件影響：

• 單片晶圓成本最多可降低30%

近日，應(yīng)用材料公司拓展了其Applied Endura Avenir RF PVD系統(tǒng)的應(yīng)用組合，實(shí)現(xiàn)了鎳鉑合金(NiPt)的沉積，將晶體管觸點(diǎn)的制造擴(kuò)展至22納米及更小的技術(shù)節(jié)點(diǎn)。晶體管觸點(diǎn)上的高質(zhì)量鎳鉑薄膜對(duì)于器件性能非常關(guān)鍵，但是在高深寬比(HAR)的輪廓底部沉積材料是一個(gè)極大的挑戰(zhàn)。為確保觸點(diǎn)阻抗的一致性和最佳產(chǎn)品良率，Avenir系統(tǒng)為HAR深達(dá)5:1 的觸孔提供了超過50%的底部覆蓋，其單片晶圓的成本比應(yīng)用材料公司之前市場(chǎng)領(lǐng)先的系統(tǒng)最多可降低30%。

應(yīng)用材料公司副總裁兼金屬沉積產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Prabu Raja表示：“通過把這個(gè)標(biāo)桿性RF PVD技術(shù)的應(yīng)用進(jìn)一步拓展，應(yīng)用材料公司繼續(xù)鞏固其在先進(jìn)金屬化解決方案領(lǐng)域內(nèi)的領(lǐng)先地位。應(yīng)用材料公司的RF PVD技術(shù)為芯片制造商提供了一個(gè)低風(fēng)險(xiǎn)的路徑，使用已經(jīng)通過生產(chǎn)驗(yàn)證的技術(shù)最大限度減少開發(fā)時(shí)間，制造功能強(qiáng)、阻抗低的晶體管觸點(diǎn)。Avenir系統(tǒng)已在多個(gè)邏輯芯片和晶圓代工客戶的觸點(diǎn)制造中得到了應(yīng)用和高度認(rèn)可。

2010年，應(yīng)用材料公司推出了這種基于極其成功的Endura平臺(tái)的突破性射頻增強(qiáng)物理氣相沉積技術(shù)，使芯片制造商可以在他們最先進(jìn)的高性能邏輯器件中集成最新的金屬柵晶體管技術(shù)。Avenir RF PVD系統(tǒng)針對(duì)觸點(diǎn)應(yīng)用，集成了更強(qiáng)的射頻源，使制造商能夠在又窄又深、直徑小于30納米的觸孔中沉積高度一致的鎳鉑層，這種能力對(duì)于減少觸點(diǎn)阻抗、優(yōu)化晶體管性能是至關(guān)重要的。