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      IR 推出為 D 類應用優化的汽車用 DirectFET2 功率 MOSFET

      發布時間:2010-08-27

      產品特性:

      • 改善了總諧波失真
      • 提高效率
      • 降低電磁干擾

      應用范圍:

      • D 類音頻系統輸出級等高頻開關

      全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR) ,今天宣布推出汽車用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列,適合D 類音頻系統輸出級等高頻開關應用。

      新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件,拓展了 IR 適用于汽車 D 類音頻系統的 DirectFET®2 功率 MOSFET 陣營,并利用低柵極電荷 (Qg) 作出優化,來改善總諧波失真 (THD) 和提高效率,而低二極管反向恢復電荷 (Qrr) 則進一步改善了總諧波失真,降低了電磁干擾 (EMI) 。

      AUIRF7640S2 和 AUIRF7647S2 小罐器件的封裝尺寸比 SO-8 小,更能夠為沒有散熱片的 8Ω 負載提供每通道 100W 的功率,由此可以提供非常緊湊的 D 類解決方案,是節省多通道電路板空間的理想選擇。AUIRF7675M2 中罐器件的封裝尺寸比 DPak 小54% ,能夠為沒有散熱片的 4Ω 負載提供每通道 250W 的功率,使其非常適合 D 類音頻系統的亞低音輸出級。

      IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示:“新款 DirectFET®2 器件是對之前推出的 AUIRF7665S2 的補充,為設計師提供了適用 D 類音頻系統不同功率等級的替代額定電壓和導通電阻。”

      正如所有的 DirectFET® 產品一樣,新器件提供了最小的熱阻抗以及寄生電阻和電感,能夠提供出色的功率密度和雙面冷卻效率。

      新器件符合 AEC-Q101 標準,是在IR要求零缺陷的汽車質量理念下研制而成的,所采用的環保材料既不含鉛,也符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。


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