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能源電力

產(chǎn)業(yè)巨人的投資使得德國(guó)太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)在全球居于領(lǐng)先地位

來(lái)自全球太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)巨人的投資使得德國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)步增長(zhǎng)，在2009年其3.8 GW 的總裝機(jī)容量或者一半新的裝機(jī)容量，使其在這一領(lǐng)域居于世界領(lǐng)先地位。

2010-06-22

太陽(yáng)能光伏薄膜電池

2010年歐洲無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施支出預(yù)計(jì)小幅增長(zhǎng)

據(jù)iSuppli公司，2010年歐洲移動(dòng)運(yùn)營(yíng)商在無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施方面的投資將略有增長(zhǎng)，符合當(dāng)前的謹(jǐn)慎心態(tài)。同時(shí)，運(yùn)營(yíng)商尋找可行的創(chuàng)收模式，讓其網(wǎng)絡(luò)中急劇增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)流量發(fā)揮效益。

2010-06-22

歐洲無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施增長(zhǎng) iSuppli

LED驅(qū)動(dòng)電路功率因數(shù)改善探討以及NCP1014解決方案

本參考設(shè)計(jì)將分析現(xiàn)有照明LED驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)功率因數(shù)低的原因，探討改善功率因數(shù)的技術(shù)及解決方案，介紹相關(guān)設(shè)計(jì)過(guò)程、元器件選擇依據(jù)、測(cè)試數(shù)據(jù)分享，顯示這參考設(shè)計(jì)如何輕松符合“能源之星”固態(tài)照明標(biāo)準(zhǔn)的功率因數(shù)要求，非常適合低功率LED照明應(yīng)用。

2010-06-21

功率因數(shù) PFC NCP1014LEDGTGEVB NCP1014

無(wú)塵室電纜集塵問(wèn)題研究

對(duì)于潔凈室環(huán)境來(lái)說(shuō)，電纜拖鏈中的電纜集塵是一個(gè)復(fù)雜的問(wèn)題。為了盡量減少集塵，需要盡可能地避免電纜以及套管之間的摩擦。盡管通過(guò)減少運(yùn)動(dòng)器件可以減少集塵，但是自動(dòng)生產(chǎn)線上電纜的運(yùn)動(dòng)不可避免。本文對(duì)無(wú)塵室電纜拖鏈中的電纜集塵問(wèn)題進(jìn)行研究，幫組大家解決這個(gè)問(wèn)題

2010-06-21

無(wú)塵室電纜集塵問(wèn)題潔凈室

2010年半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)將勁揚(yáng)113.2%

Gartner副總裁Klaus Rinnen表示：技術(shù)升級(jí)，將帶動(dòng) 2010年半導(dǎo)體資本設(shè)備市場(chǎng)的成長(zhǎng)。對(duì)40奈米和45奈米設(shè)備的需求大幅增加，帶動(dòng)晶圓代工的龐大資本支出。英特爾對(duì)3x奈米的投資，NAND 記憶體制造商支出增加，以及升級(jí)至下一世代 DDR3 DRAM 記憶體，皆為主要的投資成長(zhǎng)動(dòng)能。

2010-06-21

半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè) Gartner

基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)

Si襯底的GaN基LED制造技術(shù)是國(guó)際上第三條LED制造技術(shù)路線，是LED三大原創(chuàng)技術(shù)之一，與前兩條技術(shù)路線相比，它具有哪些優(yōu)勢(shì)？本文為你詳細(xì)講解基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)。

2010-06-21

Si襯底 GaN基 LED

LED照明和太陽(yáng)能應(yīng)用點(diǎn)亮北京節(jié)能展

近日，以“低碳技術(shù)、綠色經(jīng)濟(jì)”為主題的2010中國(guó)北京國(guó)際節(jié)能環(huán)保展覽會(huì)在京拉開(kāi)帷幕，此次展覽會(huì)由北京市政府與國(guó)家發(fā)展和改革委員會(huì)主辦，展會(huì)既為中外參展企業(yè)搭建了交流的平臺(tái)，又給廣大百姓提供了了解節(jié)能減排、低碳生活知識(shí)的課堂。

2010-06-18

節(jié)能展 LED 照明太陽(yáng)能熱水器低碳綠色經(jīng)濟(jì)

IGBT軟開(kāi)關(guān)在應(yīng)用中的損耗

本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200VRC-IGBT，并將探討面向軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。

2010-06-18

IGBT 軟開(kāi)關(guān) 損耗 TrenchStop RC-IGBT

Harwin授予Mouser本年度全球目錄分銷(xiāo)商獎(jiǎng)

2010年6月10日，Mouser榮獲Harwin頒發(fā)的2009/2010目錄分銷(xiāo)商年度獎(jiǎng)。

2010-06-17

Harwin Mouser 目錄分銷(xiāo)商

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