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電路保護(hù)

氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)專利：RC負(fù)偏壓關(guān)斷技術(shù)之松下篇

松下與英飛凌曾共同研發(fā)了增強(qiáng)型GaN GIT功率器件，兩家公司都具有GaN GIT功率器件的產(chǎn)品。對于其柵極驅(qū)動(dòng)IC，如上期所介紹的，英飛凌對其GaN EiceDRIVER? IC已布局有核心專利；而松下在這一技術(shù)方向下也是申請了不少專利，其中就包括采用RC電路的負(fù)壓關(guān)斷方案。

2022-12-22

氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng) RC負(fù)偏壓關(guān)斷技術(shù)

簡述SiC MOSFET短路保護(hù)時(shí)間

IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說，在一定的短路耐受時(shí)間（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路時(shí)間不超過這個(gè)SCWT，器件基本上是安全的（超大電流導(dǎo)致的寄生晶閘管開通latch up除外，本篇不討論）。

2022-12-22

SiC MOSFET 短路保護(hù)時(shí)間

PCI－Express總線接口的布線規(guī)則

PCIE是一種典型的串行總線，本文是針對PCI-E接口的布線規(guī)則，這些規(guī)則是很多芯片廠商的設(shè)計(jì)指導(dǎo)，也是很多老工程師耳熟能詳?shù)慕鹂朴衤伞?/p>

2022-12-21

PCI－Express 總線接口

LC低通濾波器原理及設(shè)計(jì)方法

前面提到過RC濾波器那么自然而然就存在LC濾波器，在汽車的電子控制器中幾乎每個(gè)控制器都會(huì)用到LC濾波器，特別是在電源輸入的地方可以獲得更好的EMI效果。

2022-12-21

LC低通濾波器

Transphorm按功率段發(fā)布氮化鎵功率管可靠性評估數(shù)據(jù)

加州戈利塔—2012年12月15 日--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供貨商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今日發(fā)布了針對其氮化鎵功率管的最新可靠性評估數(shù)據(jù)。評估可靠性使用的失效率（FIT）是分析客戶現(xiàn)場應(yīng)用中失效的器件數(shù)。迄今為止，基于超過850億小時(shí)的現(xiàn)場應(yīng)用數(shù)據(jù)，...

2022-12-20

Transphorm 功率管可靠性評估

新穎功率電感器設(shè)計(jì)，用于緊湊型大電流 DC／DC 轉(zhuǎn)換器

電感器是 DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的關(guān)鍵組件，因?yàn)樗軌蛞种?AC 紋波電流，從而在輸出中提供平滑的 DC 電流。一代的電子設(shè)備非常緊湊，并且具有越來越先進(jìn)的功能。它們通常由電池供電，需要高能效，從基本組件開始，例如 DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的電感器。

2022-12-19

功率電感器大電流 DC／DC 轉(zhuǎn)換器

使用 SiC JFET 接近完美開關(guān)

碳化硅 (SiC) JFET堅(jiān)固耐用，具有高能量雪崩和短路耐受額定值，而且值得注意的是，它們在每單位芯片面積的 FOM 導(dǎo)通電阻R DS(on) × A方面擊敗了所有其他技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了價(jià)值接近材料的理論極限（圖 1）。這個(gè)品質(zhì)因數(shù)直接關(guān)系到開關(guān)的實(shí)際性能及其經(jīng)濟(jì)性，與競爭技術(shù)相比，每個(gè)晶圓的芯片數(shù)量更多，性...

2022-12-16

SiC JFET接近開關(guān)

性能逆天的這種電容，你見過嗎？

我們都知道，理想狀態(tài)下電容的阻抗是隨頻率的增加而逐漸減小的。但在實(shí)際運(yùn)用中，由于電容器存在等效電感（ESL）以及在電路板上存在一定的安裝電感，當(dāng)頻率上升到一個(gè)特定值后電容的阻抗將不再減小，反而是逐漸增加的趨勢變化。這個(gè)特定頻率就是電容的自諧振頻率。在諧振頻率之前，電容器呈現(xiàn)容性特...

2022-12-15

電容電路板電感

面向電路的噪聲耦合抑制技術(shù)

任何在示波器上仔細(xì)觀察過低電平信號(hào)讀數(shù)的人都會(huì)熟悉電子電路中可能出現(xiàn)的噪聲。出現(xiàn)的各種固有的噪聲源在低信號(hào)電平下十分明顯。在其他以典型邏輯電平運(yùn)行的系統(tǒng)中，由于電磁干擾和電路之間的耦合，會(huì)產(chǎn)生外在噪聲。這些噪聲源都需要一個(gè)特定的電路或策略來降低耦合強(qiáng)度或減少噪聲，或兩者兼而有之。

2022-12-15

電路噪聲耦合抑制技術(shù)

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