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互連技術

意法半導體拓展新加坡“廠內實驗室” 深化壓電MEMS技術合作

全球半導體巨頭意法半導體（ST）宣布擴大新加坡"廠內實驗室"（Lab-in-Fab）項目，聯合科技研究局微電子研究所 (A*STAR IME)、愛發科（ULVAC）、新加坡科技研究局材料研究與工程研究所 (A*STAR IMRE) 及新加坡國立大學（NUS），共同推進壓電MEMS技術開發。

2025-05-29

意法半導體 Lab-in-Fab 壓電MEMS技術

有機實心電位器選型避坑指南：國際大廠VS國產新勢力

有機實心電位器是一種以有機聚合物為基材，通過填充導電顆粒（如碳黑、石墨）形成連續電阻體的無源電子元件。其核心結構由電阻軌道、集電刷和轉動軸組成，通過機械旋轉改變集電刷與電阻體的接觸位置，實現電阻值的連續調節。

2025-05-29

有機實心電位器

CMOS有源晶振電壓特性與精準測量指南

CMOS有源晶振的供電電壓（Vcc）直接決定其輸出電壓特性。這種“高壓平、低壓差”的設計確保了數字電路的噪聲容限。例如LVCMOS3V3標準要求Voh≥3.2V（3.3V供電時），以滿足下游芯片的高電平識別閾值（≥2.0V）。供電電壓的兼容性是選型核心——如YXC YSO110TR系列支持1.8~3.3V寬壓輸入，適配低功耗IoT設備...

2025-05-29

CMOS有源晶振電壓特性精準測量

Arm 生態系統：從云端到邊緣全面驅動 AI

人工智能 (AI) 正以前所未有的速度重塑科技，成為人們日常生活中不可或缺的一部分。Arm 計算平臺正處于這場變革的核心。基于 Arm 架構的芯片出貨量迄今已累計超過

2025-05-28

Arm 生態

電容選型避坑手冊：參數、成本與場景化適配邏輯

電容器是一種通過電場儲存電荷的無源元件，其基本結構由兩個導體極板和中間的絕緣介質（電介質）組成。當兩極板施加電壓時，正負電荷在極板上積累，形成電場儲能。電容值（C）由極板面積（A）、極板間距（d）和電介質介電常數（ε）決定。

2025-05-27

電容

小體積大能量：陶瓷電容技術全解析：定義、原理與市場格局

陶瓷電容是以陶瓷介質為核心，通過金屬電極層疊或涂覆形成的無源電子元件。其核心原理基于陶瓷介質的極化效應：當施加電壓時，陶瓷介質內部的正負電荷發生位移，形成電場儲存電能；斷開電源后，電荷釋放供給電路。

2025-05-27

陶瓷電容

線繞電阻與可調電阻技術對比及選型指南

線繞電阻與可調電阻雖同屬電阻范疇，但設計目標、結構特性及適用場景存在顯著差異。

2025-05-27

線繞電阻可調電阻

全球熱管理巨頭煥新啟航：萊爾德熱系統正式更名Tark Thermal Solutions

全球熱管理行業領導者萊爾德熱系統（Laird Thermal Systems）宣布正式更名為塔克熱系統（Tark Thermal Solutions）。此次更名源于原有名稱許可協議到期，旨在通過全新品牌形象強化企業市場定位，更好地彰顯公司在主動式熱管理領域60余年的技術積淀與解決方案領導力。新名稱與品牌視覺體系的啟用，...

2025-05-27

熱管理萊爾德熱系統塔克熱系統 Tark Thermal Solutions

ESIS 2025第四屆中國電子半導體數智峰會圓滿落幕

ESIS 2025第四屆中國電子半導體數智峰會于5月24日在上海揚子江麗笙精選酒店圓滿落下帷幕！本屆大會在上海市集成電路行業協會的指導下，由信息俠主辦，浙江省數字經濟聯合會、徽聯智匯、CIO 時代鼎力聯合協辦。大會以 “數智芯引擎·變革新動能” 為主題，吸引了半導體產業鏈上下游企業高管、技術專家、...

2025-05-27

中國電子半導體數智峰會

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