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互連技術

2022第十二屆亞太國際電源產品及技術展覽會

十三五期間，中國電源產業發展態勢良好，2016年中國電源市場規模首次突破2000億大關，達2056億元，同比增長6.9%，2018年，中國電源市場的規模達到2459億元，同比增長5.95%，并預計到2023年，其市場規模將增至4221億元。隨著LED照明、分布式光伏、風能、充電樁、云計算、大數據、智慧城市的興起與繁...

2021-12-02

亞太國際電源產品技術展覽會風能充電樁云計算

GDDR6給FPGA帶來的大帶寬存儲優勢以及性能測試

隨著互聯網時代的到來，人類所產生的數據發生了前所未有的、爆炸性的增長。IDC預測，全球數據總量將從2019年的45ZB增長到2025年的175ZB[1]。同時，全球數據中近30%將需要實時處理，因而帶來了對FPGA等硬件數據處理加速器的需求。如圖1所示。

2021-12-02

GDDR6 FPGA 存儲優勢

I2C通信協議：了解I2C Primer、 PMBus和SMBus

I2C，即Inter-Integrated Circuit，是一種常用的串行通信協議，用于在器件之間——特別是兩個或兩個以上不同電路之間建立通信。I2C Primer是最常用的I2C。本文將介紹I2C Primer的基本特性和標準，并重點說明在通信實現過程中如何正確使用該協議。從I2C的基本原理出發，我們將介紹其變體子集——系統管理...

2021-12-02

wenwei

貿澤電子攜手Bourns推出全新電子書探討浪涌保護技術的設計挑戰

專注于引入新品推動行業創新的電子元器件分銷商貿澤電子宣布與知名電子元器件制造商和供應商Bourns聯手推出全新電子書《How to Choose the Right Surge Protection Technology》（如何選擇合適的浪涌保護技術）。在該書中，Bourns和其他知名公司的行業專家就一些常見問題提供了見解，包括涵蓋浪涌保...

2021-11-30

貿澤電子 Bourns 浪涌保護技術

低壓差穩壓器LDO的基本原理與主要參數

取樣電壓加在比較器A的同相輸入端，與加在反相輸入端的基準電壓Uref相比較，兩者的差值經放大器A放大后，控制串聯調整管的壓降，從而穩定輸出電壓。

2021-11-29

低壓差穩壓器LDO

MOSFET性能改進：RDS(ON)的決定因素

許多中高壓MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）結構，而小于200V的產品大多具有溝槽MOS（U-MOS）結構。因此，當耐受電壓VDSS＝600V時，Rdrift成為主導因素，當耐受電壓是30V時，因素Rch的比例較高。

2021-11-29

MOSFET RDS

了解 3 種靜態電流 (IQ) 的規格

靜態電流 (IQ) 通常定義為集成電路 (IC) 在空載和非開關但啟用狀態下消耗的電流。廣義上，靜態電流是 IC 在任何超低功耗狀態下消耗的輸入電流，這一定義更有助于我們理解靜態電流的內涵。

2021-11-26

靜態電流 IQ

關于4G/5G智能手機天線調諧的4點須知

天線效率在智能手機的整體 RF 性能中發揮著至關重要的作用。然而，當前的智能手機工業設計趨勢和 RF 需求（尤其是即將過渡至 5G），意味著智能手機必須要將更多的天線安裝到更小的空間內，并且/或者提高現有天線的帶寬。

2021-11-26

4G/5G 智能手機天線調諧

用于測試儀表放大器的差分光隔離驅動器

據說我們使用的一些電信號相對于地面“浮動”。一個典型的例子可能是電源中分流電阻上的壓降或復雜的生物醫學信號，例如心電圖。在這種情況下，儀表放大器 (IA) 用于放大信號的差模分量并抑制其共模分量。

2021-11-25

測試儀表放大器差分光隔離驅動器

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